3月5日消息，根據(jù)《上海松江》發(fā)布報道，全球首條 35 微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓工藝及封裝測試生產(chǎn)線落地上海松江。

據(jù)悉，該生產(chǎn)線主要用于新能源汽車、5G 基站的功率半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)。

之前功率芯片這一技術(shù)一直被海外少數(shù)企業(yè)把控，國內(nèi)想做高端超薄晶圓，處處受限制。

而這次尼西半導(dǎo)體的研發(fā)團(tuán)隊(duì)硬是啃下了這塊硬骨頭，把加工精度控制在 35±1.5 微米，良率直接沖到98.5%，這份突破帶來的實(shí)際效果，更是實(shí)打?qū)嵉慕o力。

從市場應(yīng)用來看，新能源汽車的高壓平臺、5G 基站的高功率密度場景、大功率快充設(shè)備，全都是這類高端功率芯片的剛需場景。

而且要知道 2025 年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已經(jīng)突破 2200 億元，新能源汽車對功率芯片的需求更是傳統(tǒng)燃油車的 5 倍。

所以，這條產(chǎn)線的落地正好補(bǔ)上了國產(chǎn)高端功率芯片的產(chǎn)能短板，單日測試環(huán)節(jié)就能產(chǎn)出 12 萬顆成品，規(guī)?；?yīng)能力直接拉滿。

更值得驕傲的是，這條產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)了核心裝備的自主可控。

從研磨機(jī)到鍵合機(jī)，再到激光切割設(shè)備，這些關(guān)鍵設(shè)備都是尼西半導(dǎo)體和國內(nèi)設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)的，一舉填補(bǔ)了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。

這意味著上海的這條產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了工藝和設(shè)備的雙重突破，真正走出了自主創(chuàng)新的路子，為國產(chǎn)器件進(jìn)軍高壓平臺、超級快充等高端市場，打下了量產(chǎn)基礎(chǔ)。

更重要的是，這一突破還能全面賦能新能源、數(shù)字經(jīng)濟(jì)這些國家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

比如，新能源汽車的續(xù)航和快充能力、5G 基站的能效和穩(wěn)定性，都會因?yàn)檫@款高端功率芯片得到提升，形成技術(shù)帶動產(chǎn)業(yè)的良性循環(huán)。

未來，隨著更多核心技術(shù)的突破，國產(chǎn)半導(dǎo)體必將在全球市場占據(jù)更多話語權(quán)。

參考來源：上海松江官方《全球首條 35 微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓工藝及封裝測試生產(chǎn)線》