快科技3月16日消息，如今內(nèi)存芯片已經(jīng)進(jìn)入了史上最強(qiáng)的超級牛市，價(jià)格不斷飆升，而且產(chǎn)能非常緊缺，智能手機(jī)、PC等行業(yè)面臨巨大沖擊。

當(dāng)?shù)貓?bào)道指出，三星電子半導(dǎo)體內(nèi)部已經(jīng)開始擔(dān)心，當(dāng)前由存儲芯片供應(yīng)緊張帶來的繁榮可能只會持續(xù)一到兩年，之后市場可能再度進(jìn)入下行周期。

其內(nèi)部認(rèn)為，全球存儲芯片市場可能在2028年前后出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。

因此，三星一方面希望抓住AI帶來的高利潤機(jī)會，另一方面也在努力提升運(yùn)營效率，避免再次出現(xiàn)過度投資。

SK海力士此前也表示，他們在擴(kuò)大產(chǎn)能方面將保持謹(jǐn)慎。

據(jù)悉，此次內(nèi)存短缺并非短期波動，而是由生成式AI技術(shù)革命引發(fā)的長期結(jié)構(gòu)性缺口，核心矛盾集中在高端產(chǎn)品與產(chǎn)能分配。

目前全球AI需求大漲，單臺AI服務(wù)器的DRAM和NAND需求分別是普通服務(wù)器的8-10倍，而HBM（高帶寬內(nèi)存）作為AI服務(wù)器核心標(biāo)配，供需缺口高達(dá)50%-60%。

2026年HBM市場規(guī)模預(yù)計(jì)增長近60%，占DRAM市場近四成份額，三星、SK海力士的DRAM總銷售額中，HBM占比均已超一半。

三星等三大存儲原廠將70%以上的新增及可調(diào)配產(chǎn)能優(yōu)先分配給HBM、先進(jìn)DRAM，導(dǎo)致低容量NAND等消費(fèi)級存儲供應(yīng)緊張，主流DDR4 8Gb顆粒價(jià)格從2025年低點(diǎn)的3.2美元飆升至15美元，漲幅達(dá)369%。

這一輪內(nèi)存暴漲導(dǎo)致手機(jī)、電腦等終端產(chǎn)品成本飆升，部分廠商被迫漲價(jià)或調(diào)整配置，全球智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)因成本壓力同比下滑12.9%。