山東
IT之家 3 月 18 日消息，三星電子存儲器開發(fā)副總裁 ??? 當(dāng)?shù)貢r間本月 16 日在 GTC 2026 現(xiàn)場表示，三星將在 HBM5 和 HBM5E 世代分別升級 HBM 內(nèi)存基礎(chǔ)（邏輯）裸片和 DRAM 裸片的工藝，而 HBM4E 的制程則將與 HBM4 相同。
IT之家整理如下：
HBM4HBM4EHBM5HBM5E基礎(chǔ)裸片4nm4nm2nm2nmDRAM1c nm1c nm1c nm1d nm
??? 同時提到，三星電子將 HBM4 視為其整體 HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的重點(diǎn)，目標(biāo)是占據(jù)超過一半的市場份額。三星電子還將加速 HBM 的開發(fā)，實(shí)現(xiàn)與英偉達(dá)同步的 1 年 1 迭代更新速度。
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