2026年3月25日，SEMICON China 2026在上海啟幕，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體高端薄膜工藝沉積設(shè)備領(lǐng)軍者微導(dǎo)納米（688147.SH）攜全場(chǎng)景ALD及CVD設(shè)備解決方案矩陣重磅參展。當(dāng)前，AI驅(qū)動(dòng)先進(jìn)邏輯芯片升級(jí)、HBM（高帶寬存儲(chǔ)）催熱先進(jìn)封裝、存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)潮三大產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)交匯，微導(dǎo)納米集中展出面向邏輯、存儲(chǔ)芯片、先進(jìn)封裝等多領(lǐng)域的全系列薄膜沉積產(chǎn)品，彰顯國(guó)產(chǎn)設(shè)備在核心賽道的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。

作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，薄膜沉積設(shè)備直接決定芯片性能與良率，長(zhǎng)期以來(lái)被海外企業(yè)主導(dǎo)。此次微導(dǎo)納米的參展陣容，不僅覆蓋主流應(yīng)用賽道，更在多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，成為國(guó)產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備邁向“大規(guī)模量產(chǎn)替代”的重要縮影。

邏輯芯片制造：PEALD助力技術(shù)突破

在邏輯芯片制造領(lǐng)域，工藝節(jié)點(diǎn)持續(xù)演進(jìn)對(duì)薄膜沉積設(shè)備的精度、穩(wěn)定性提出更高要求。據(jù)悉，微導(dǎo)納米是國(guó)內(nèi)首家將量產(chǎn)型High-k ALD設(shè)備應(yīng)用于28nm前道生產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)廠商，此次展會(huì)上，其新一代iTomic? PE系列等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備引發(fā)行業(yè)關(guān)注。

該設(shè)備采用獨(dú)特的Thunder Balance?技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)射頻效果的毫秒級(jí)切換，在薄膜均勻性、致密性及顆?？刂频汝P(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，能夠滿足邏輯芯片關(guān)鍵界面層與阻擋層的嚴(yán)苛制造需求，為產(chǎn)業(yè)升級(jí)替代提供核心設(shè)備支撐。

存儲(chǔ)芯片賽道：空間ALD破解高深寬比填充難題

隨著3D NAND、3D DRAM等存儲(chǔ)芯片技術(shù)向高層數(shù)、高集成度演進(jìn)，高深寬比結(jié)構(gòu)的薄膜填充成為行業(yè)核心痛點(diǎn)。此次微導(dǎo)納米重點(diǎn)展出的iTomic? SPX系列空間型原子層沉積設(shè)備，針對(duì)性解決了這一行業(yè)難題。

該產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的空間ALD技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化反應(yīng)腔體設(shè)計(jì)，在保持近100%優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率的同時(shí)，大幅提升沉積速率，且單腔可同時(shí)處理多片晶圓，具備生產(chǎn)效率高、維護(hù)間隔長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，完美匹配存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)線對(duì)產(chǎn)能與薄膜質(zhì)量的雙重需求。，可有效提升深孔、深槽等復(fù)雜結(jié)構(gòu)中薄膜沉積均勻性指標(biāo)。

據(jù)悉，微導(dǎo)納米的iTomic?系列ALD設(shè)備與iTronix?系列CVD設(shè)備已批量進(jìn)入國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)線，是國(guó)內(nèi)首批進(jìn)入存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)線的國(guó)產(chǎn)硬掩膜沉積工藝專用高端PECVD設(shè)備。

先進(jìn)封裝領(lǐng)域：低溫PECVD搶占AI算力市場(chǎng)先機(jī)

AI算力浪潮下，HBM、Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升芯片性能的核心路徑，也對(duì)薄膜沉積設(shè)備提出了全新的技術(shù)要求，尤其是低熱預(yù)算工藝需求日益迫切。微導(dǎo)納米率先推出的iTronix?系列低溫PECVD設(shè)備，精準(zhǔn)契合這一市場(chǎng)需求。

依托專有的冷卻和動(dòng)態(tài)溫控技術(shù)，該設(shè)備可在50~450°C的溫度區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，有效解決了傳統(tǒng)高溫工藝導(dǎo)致的晶圓翹曲、材料熱損傷等問(wèn)題，能夠滿足2.5D/3D封裝中低熱預(yù)算、高縱橫比溝槽、厚膜沉積等關(guān)鍵需求，顯著提升封裝良率。

量產(chǎn)驗(yàn)證成效顯著 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成增長(zhǎng)核心

技術(shù)突破的背后，是市場(chǎng)驗(yàn)證的有力支撐。數(shù)據(jù)顯示，短短3年內(nèi)，微導(dǎo)納米設(shè)備累計(jì)過(guò)貨晶圓已突破600萬(wàn)片，這組數(shù)據(jù)的快速不僅印證了其設(shè)備的高性能、高穩(wěn)定性、高可靠性，也標(biāo)志著其ALD及CVD設(shè)備早已邁入大規(guī)模量產(chǎn)階段。

業(yè)績(jī)層面，微導(dǎo)納米2025年半導(dǎo)體設(shè)備收入達(dá)8.81億元，同比增長(zhǎng)169.12%，占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入比重從12.14%躍升至33.50%，公司戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型從“培育期”正式進(jìn)入“收獲期”，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已成為驅(qū)動(dòng)公司增長(zhǎng)的核心引擎。

持續(xù)的研發(fā)投入是技術(shù)突破的關(guān)鍵。據(jù)微導(dǎo)納米CTO黎微明透露，公司研發(fā)投入占比長(zhǎng)期保持在20%左右，近期成功發(fā)行的可轉(zhuǎn)債也為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新提供了充足的資金保障。

業(yè)內(nèi)人士表示，微導(dǎo)納米此次在SEMICON China 2026的實(shí)力亮相，不僅展現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備的技術(shù)實(shí)力，更彰顯了國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)在核心賽道的前瞻布局。隨著先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、新興半導(dǎo)體領(lǐng)域的需求持續(xù)釋放，微導(dǎo)納米有望憑借全場(chǎng)景產(chǎn)品矩陣與規(guī)模化量產(chǎn)能力，進(jìn)一步加速國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代進(jìn)程，推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控發(fā)展。