來源：環(huán)球網(wǎng)

【環(huán)球網(wǎng)報道】據(jù)臺灣“中央社”3月26日報道，臺積電離職工程師陳力銘及在職工程師吳秉駿、戈一平涉泄露關(guān)鍵技術(shù)，被臺檢方起訴。臺灣“智慧財產(chǎn)及商業(yè)法院”今天（26日）辯論終結(jié)，將于4月27日宣判，追加起訴并辦案件也一起宣判。

臺積電標(biāo)志 圖源：臺媒

據(jù)報道，臺灣“高檢署智慧財產(chǎn)檢察分署”起訴稱，陳力銘曾任臺灣積體電路制造股份有限公司12廠良率（又稱合格率）部門工程師，離職后進入一家日本半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商行銷部門。

檢方表示，陳力銘于2023年下半年至2025年上半年，為了讓半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商成為臺積電先進制程更多站點設(shè)備供應(yīng)商，多次要求當(dāng)時在職的臺積電工程師吳秉駿、戈一平提供關(guān)鍵技術(shù)與營業(yè)秘密，以便這家供應(yīng)商改善蝕刻機臺表現(xiàn)，以爭取臺積電2納米制程蝕刻站點供應(yīng)量產(chǎn)機臺資格。

臺積電發(fā)覺異常后經(jīng)過內(nèi)部調(diào)查，懷疑有在職與離職員工非法取得關(guān)鍵技術(shù)與營業(yè)秘密，去年7月8日提告。臺“高檢署智慧財產(chǎn)檢察分署”檢察官于同年7月25至28日指揮“調(diào)查局”發(fā)動搜查、約談，陳力銘、吳秉駿、戈一平后被羈押禁見。

臺“高檢署智慧財產(chǎn)檢察分署”在去年8月27日依意圖域外使用而竊取營業(yè)秘密罪、竊取營業(yè)秘密罪、核心關(guān)鍵技術(shù)營業(yè)秘密之域外使用罪起訴3人，并求處陳力銘應(yīng)執(zhí)行有期徒刑14年、吳秉駿應(yīng)執(zhí)行9年徒刑、戈一平7年徒刑。

據(jù)臺媒此前報道，臺積電不止一次遭遇機密外泄問題。除發(fā)現(xiàn)2納米技術(shù)遭工程師外泄外，2025年11月，臺積電退休資深副總羅唯仁被指控在離職前“扛走20箱機密”，“回鍋”美國英特爾，引發(fā)島內(nèi)科技圈嘩然。