2026年3月31日，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布了內(nèi)存市場(chǎng)最新分析預(yù)測(cè)報(bào)告。

分析顯示，2026年第二季度，DRAM供應(yīng)商正持續(xù)將產(chǎn)能調(diào)配至高帶寬內(nèi)存（HBM）與服務(wù)器存儲(chǔ)領(lǐng)域，同時(shí)推行補(bǔ)漲定價(jià)策略，以此縮小各產(chǎn)品線間的價(jià)差。在此背景下，即便終端市場(chǎng)出貨量仍面臨一定下行壓力，傳統(tǒng)DRAM合約價(jià)預(yù)計(jì)仍將環(huán)比上漲58%~63%。

與此同時(shí)，人工智能與數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求持續(xù)拉動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)行情，漲價(jià)勢(shì)頭已全面覆蓋全品類產(chǎn)品，預(yù)計(jì)二季度NAND閃存合約價(jià)或?qū)⑦_(dá)到70%~75%的環(huán)比漲幅。

北美云服務(wù)運(yùn)營(yíng)商正加速推進(jìn)人工智能推理業(yè)務(wù)部署，這一舉措直接拉動(dòng)了人工智能服務(wù)器及通用服務(wù)器的采購需求，使得大容量雙列直插式內(nèi)存模組（RDIMM）成為市場(chǎng)核心采購標(biāo)的。

從供應(yīng)端來看，廠商憑借更高的盈利空間，持續(xù)優(yōu)先保障服務(wù)器DRAM的產(chǎn)能供應(yīng)，并與核心客戶簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議，為后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)容提前鋪路。不過，短期內(nèi)市場(chǎng)供貨緊張的格局仍難以得到緩解。

在手機(jī)市場(chǎng)方面，各大主流品牌持續(xù)面臨內(nèi)存成本攀升的壓力，或?qū)?026年第二季度起逐步調(diào)整生產(chǎn)規(guī)劃，但上半年移動(dòng)端DRAM需求暫時(shí)不會(huì)出現(xiàn)大幅萎縮。

目前，DRAM廠商正與核心客戶密集敲定二季度定價(jià)基準(zhǔn)、明確漲價(jià)幅度，同時(shí)通過補(bǔ)漲定價(jià)策略抹平不同應(yīng)用場(chǎng)景的價(jià)差。因此，預(yù)計(jì)移動(dòng)端DRAM合約價(jià)將延續(xù)上一季度的上漲態(tài)勢(shì)。

在顯存領(lǐng)域，內(nèi)存漲價(jià)已明顯拖累筆記本電腦與游戲設(shè)備的市場(chǎng)需求，加之圖形顯存（GDDR）的產(chǎn)能分配持續(xù)受限，市場(chǎng)供貨缺口難以填補(bǔ)，2026年第二季度顯存價(jià)格或?qū)⑦M(jìn)一步攀升。

在消費(fèi)級(jí)DRAM領(lǐng)域，采購方主要主打低價(jià)走量的薄利產(chǎn)品。自2025年初開啟的持續(xù)漲價(jià)潮，已導(dǎo)致部分產(chǎn)品的內(nèi)存成本高于終端售價(jià)，采購需求因此出現(xiàn)小幅降溫。但頭部廠商逐步退出消費(fèi)級(jí)DRAM賽道，仍是打破市場(chǎng)供需平衡的核心因素，當(dāng)前市場(chǎng)供貨短缺問題尚未得到有效緩解。

在嵌入式閃存（eMMC/UFS）領(lǐng)域，盡管智能手機(jī)市場(chǎng)整體行情疲軟，但旗艦機(jī)型搭載人工智能功能所催生的高速傳輸需求依舊剛性不減，車載與工業(yè)級(jí)市場(chǎng)需求也迎來小幅回暖態(tài)勢(shì)。

在供應(yīng)層面，嵌入式閃存與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤共享部分制程產(chǎn)能資源，但由于兩者盈利水平差距懸殊，使其成為全品類中供貨缺口最大的細(xì)分產(chǎn)品，預(yù)計(jì)2026年第二季度其價(jià)格將大幅飆升。

在普通消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)卡及U盤領(lǐng)域，市場(chǎng)需求在漲價(jià)壓力下持續(xù)萎縮，相關(guān)廠商深陷成本與銷量的雙重困境，進(jìn)而大幅削減NAND閃存晶圓采購量。

總的來看，2026年第二季度，即便NAND閃存廠商通過工藝升級(jí)、加大四階存儲(chǔ)單元（QLC）滲透率等方式提升芯片出貨比特總量，行業(yè)產(chǎn)能增長(zhǎng)幅度依舊有限，市場(chǎng)整體嚴(yán)重短缺的趨勢(shì)仍難以扭轉(zhuǎn)。