來源：芯極速

編輯：感知芯視界 Link

8月1日，由璞璘科技自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首臺(tái)PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備順利通過驗(yàn)收，并成功交付至國內(nèi)特色工藝客戶。

據(jù)介紹，PL-SR系列設(shè)備攻克了噴墨涂膠工藝等關(guān)鍵技術(shù)難題，達(dá)到了平均殘余層<10nm、殘余層變化<2nm、壓印結(jié)構(gòu)深寬比>7：1的技術(shù)指標(biāo)，可對(duì)應(yīng)線寬＜10nm 的納米壓印光刻工藝。

目前，該系列設(shè)備已初步完成存儲(chǔ)芯片、硅基（oS）微顯示器、硅光（SiPh）及先進(jìn)封裝（AVP）等芯片研發(fā)驗(yàn)證；其最小可實(shí)現(xiàn)20mm×20mm壓印模板均勻拼接，最終可實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓級(jí)超大模板。

作為行業(yè)參照，佳能此前推出的FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機(jī)（該設(shè)備對(duì)中國實(shí)施禁運(yùn)），憑借納米壓印技術(shù)可實(shí)現(xiàn)14nm線寬，據(jù)此宣稱能夠生產(chǎn)5nm制程芯片。而璞璘科技的PL-SR系列設(shè)備在這項(xiàng)指標(biāo)上已經(jīng)超越了佳能，但是，這并不意味著利用該設(shè)備就可直接用于5nm制程先進(jìn)邏輯芯片的制造。

與已商用的EUV光刻技術(shù)相比，納米壓印技術(shù)具有顯著的成本與能耗優(yōu)勢 —— 無需復(fù)雜的EUV光源系統(tǒng)，據(jù)佳能數(shù)據(jù)顯示，其耗電量僅為EUV技術(shù)的10%，設(shè)備投資成本可降至EUV設(shè)備的40%。不過，該技術(shù)也存在明顯局限：芯片制造速度慢于傳統(tǒng)光刻方式，且不適用于復(fù)雜邏輯制程芯片的生產(chǎn)。

值得注意的是，NAND Flash等存儲(chǔ)芯片的圖形結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單，其多層堆疊結(jié)構(gòu)具有高度一致性，因此更易于適配納米壓印技術(shù)。這意味著國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商有望借助國產(chǎn)納米壓印設(shè)備提升制程工藝，打破西方在高端存儲(chǔ)制造設(shè)備領(lǐng)域的封鎖，從而在與SK海力士、三星等國際存儲(chǔ)大廠的競爭中占據(jù)更有利地位。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，此次交付是我國首次向?qū)嶋H芯片量產(chǎn)客戶提供步進(jìn)式納米壓印曝光系統(tǒng)，標(biāo)志著該技術(shù)在產(chǎn)業(yè)化落地進(jìn)程中邁出了關(guān)鍵一步。

此外，值得注意的是，近期在蘇州召開的“2025 年先進(jìn)曝光技術(shù)研討會(huì)”上，來自華中科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院等科研單位，以及芯上微裝、皓宇芯光等本土設(shè)備廠商，集中發(fā)布了極紫外激光元件、多電子束曝光、半導(dǎo)體封裝等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的最新成果。

感知芯視界媒體推廣/文章發(fā)布 隗女士 15061886132(微信同號(hào))

*免責(zé)聲明：本文版權(quán)歸原作者所有，本文所用圖片、文字如涉及作品版權(quán)，請(qǐng)第一時(shí)間聯(lián)系我們刪除。本平臺(tái)旨在提供行業(yè)資訊，僅代表作者觀點(diǎn)，不代表感知芯視界立場。

免費(fèi)下載

光子產(chǎn)業(yè)報(bào)告【500頁】