投資銀行高盛認為，中國光刻機公司至少落后美國同行20年。光刻技術(shù)是半導體制造的幾個環(huán)節(jié)之一，也是阻礙中國制造高端芯片的唯一瓶頸。最先進的光刻機由荷蘭公司ASML制造，由于其依賴美國原產(chǎn)的零部件，美國政府有權(quán)限制其對華銷售。

由于擔憂與軍方的關(guān)聯(lián)，中國科技巨頭華為因美國政府制裁，被禁止從臺積電采購芯片。因此，華為不得不依賴中芯國際滿足其芯片需求，而美國又對中芯國際施加制裁，限制其采購極紫外 (EUV) 芯片制造光刻機，這意味著中芯國際只能用更舊的工藝以更高成本的方式生產(chǎn) 7 納米芯片。

然而，這些芯片很可能是使用 ASML 較老的 DUV 機器制造的，因為中國缺乏制造先進光刻掃描儀的能力，因為它們需要的零部件在全球范圍內(nèi)生產(chǎn)，主要在美國和歐洲。投資銀行高盛的一份最新報告指出，中國國內(nèi)光刻設(shè)備行業(yè)可能比 ASML 落后二十年。

圖片：Ray Wang/X

光刻是芯片制造工藝中的幾個步驟之一。它涉及將芯片設(shè)計從光掩模轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。高端設(shè)備，例如 ASML 的 EUV 和高數(shù)值孔徑 EUV 掃描儀，能夠在硅晶圓上轉(zhuǎn)移更小的電路圖案，從而提高芯片性能。圖案轉(zhuǎn)移后，會進行蝕刻，形成最終布局，并在整個制造過程中沉積其他材料并清潔晶圓。

因此，光刻技術(shù)對于在晶圓上復制精細電路至關(guān)重要，這意味著光刻設(shè)備是芯片制造過程中的瓶頸。投資銀行高盛在最近的一份報告中認為，中國國內(nèi)芯片制造行業(yè)至少還需要20年才能達到與ASML當前一代芯片制造技術(shù)相當?shù)乃健?/p>

目前，臺積電等領(lǐng)先的芯片制造商正在量產(chǎn)3納米芯片，并正在加緊生產(chǎn)2納米產(chǎn)品。高盛的報告強調(diào)：“ASML花了20年時間，投入了400億美元的研發(fā)和資本支出，才從65納米光刻技術(shù)過渡到3納米以下?！?鑒于中國本土的光刻設(shè)備制造商目前處于65納米工藝階段，該銀行的數(shù)據(jù)顯示，這些公司似乎不太可能在短期內(nèi)趕上西方。