美國對存儲芯片下手了。

8月30日，韓國媒體《亞洲經(jīng)濟》發(fā)表文章稱，美國政府已決定撤銷三星電子和SK海力士中國工廠的“已驗證最終用戶（VEU）”資格。從明年開始，兩家公司每批設(shè)備發(fā)貨都需要單獨獲得許可。

美國把豁免關(guān)掉，就是讓三星、SK海力士在中國沒法再用美國機器造高端芯片。根據(jù)市場追蹤機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備公司占整個市場的70%以上的設(shè)備，大多為美國制造。

這一刀下去，兩家廠子不得不為每批運往中國的貨物尋求美國的批準，從而造成嚴重的延誤和效率低下，從而很可能導(dǎo)致減產(chǎn)，全球內(nèi)存條價格肯定跟著跳。

美國為何盯上存儲芯片？這要從存儲芯片說起，存儲芯片有兩種，一種是NAND flash，又叫閃充，主要用在U盤、SD卡、移動硬盤上，另一類是DRAM動態(tài)隨機存儲，主要用在手機、電腦、服務(wù)器的內(nèi)存里。

在2022年10月，美方就發(fā)布了嚴苛的出口管制新規(guī)，不僅規(guī)定了邏輯芯片的限制標準，還對存儲芯片DRAM和NAND進行了明確限制，但這些芯片是支撐三星、SK海力士利潤的核心業(yè)務(wù)，當時的制裁，導(dǎo)致這兩家公司在中國的利潤跌了90%，退出了工業(yè)皇冠的行列，其次，當時我們在生產(chǎn)內(nèi)存存儲芯片與固態(tài)硬盤上取得了實質(zhì)性突破！

因此，當時老美意識到，不能再制裁下去了，而是要圍繞取我們已經(jīng)取得突破領(lǐng)域發(fā)動“價格戰(zhàn)”與“傾銷戰(zhàn)”。

因此，在2023年10月，美國政府作出了一項決定，就是無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，無需其它許可。

那么為何原本被無限期解禁的兩家公司，突然又被重新管制了呢？原因是AI芯片的競爭已經(jīng)到了深水區(qū)，三星與SK海力士不僅在悶聲發(fā)大財，而且已有能力卡英偉達的脖子了。

根據(jù)美國Gartne公布2024年全球半導(dǎo)體廠商營收10強榜，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2023年增長18%，達到了6260億美元，而三星憑借存儲芯片與設(shè)備的價格反彈，從英特爾手里奪回第一，英特爾原地踏步，增長僅1%。英偉達排名第三，收入增長84%，排名第三，SK海力士排名第四?？梢钥闯觯珹I浪潮的紅利，三星吃的最多，其次是英偉達與SK海力士。

而三星一直在中國西安工廠生產(chǎn) NAND 閃存，該工廠已投資260 億美元。這些工廠占三星全球 NAND 產(chǎn)量的 40%。

單從存儲芯片這一塊來看，2025 年第二季度，韓國存儲巨頭 SK 海力士以 21.8 萬億韓元的銷售額，首次超越長期占據(jù)榜首的三星電子，奪得全球存儲市場（含 DRAM 和 NAND）銷售額冠軍。

不僅是銷售猛增，三星SK海力士技術(shù)上也有能力卡英偉達的脖子。在芯片產(chǎn)業(yè)鏈上，如果說英偉達是寫菜譜的，臺積電是掌勺的，而韓國恰恰掌握著AI芯片最核心的食材，HBM內(nèi)存，全稱高帶寬內(nèi)存處理器，HBM內(nèi)存就是DRAM大類里的高端細分產(chǎn)品，基本都用在AI領(lǐng)域，能滿足海量的數(shù)據(jù)處理需求，是AI芯片的心臟。

而全球能量產(chǎn)HBM內(nèi)存的，只有韓國，光三星和SK海力士就壟斷了全球90%的市場，英偉達也得排隊進貨。在HBM領(lǐng)域，SK海力士比三星更厲害。不僅獨占9成高端市場，一度還是英偉達御用供應(yīng)商。

因此，在AI芯片競爭進入到深水區(qū)，美國意識到三星SK海力士掌握著大殺器，尤其是SK海力士的HBM內(nèi)存，與其他玩家拉開了差距，2023年以來，SK海力士的HBM3的價格已經(jīng)上漲5倍多，隨著AI浪潮的爆發(fā)，對海量數(shù)據(jù)的運算需求越來越大，SK海力士站上了C位。

因此，當AI競爭走到今天，需要強悍的性能，普通的DDR內(nèi)存滿足不了速度的要求，需要HBM內(nèi)存。CK海力士與三星又開始在制裁中發(fā)揮作用了。

一旦美國這個文件生效，意味著三星西安NAND工廠、SK海力士無錫DRAM工廠以及大連NAND工廠將從明年1月起，未經(jīng)許可不得進口美國制造的設(shè)備，每家工廠都將接受單獨的審批程序。

根據(jù)美國商務(wù)部的說法：“在允許維持現(xiàn)狀的同時，不允許擴大生產(chǎn)和技術(shù)升級?！边@直接把他們在中國升級擴產(chǎn)的路給堵死了。

目前三星西安工廠以及SK海力士無錫和大連工廠的工藝流程比韓國總部落后一到兩代，關(guān)鍵戰(zhàn)略產(chǎn)品也集中在韓國國內(nèi)和美國的生產(chǎn)線上。尤其是用于AI服務(wù)器的高帶寬存儲器（HBM），尚未在中國生產(chǎn)。

那么美國不讓三星與SK海力士升級或擴建半導(dǎo)體工廠，本質(zhì)上它怕的就是三星與SK海力士把用于AI服務(wù)器的高帶寬存儲器（HBM）放到中國生產(chǎn)。因此，限制美國半導(dǎo)體設(shè)備，也能拖慢中國HBM研發(fā)上的進度，中國的生產(chǎn)基地可能會淪為低規(guī)格產(chǎn)品的固定生產(chǎn)基地，還能通過打壓三星與SK海力士，讓美國的美光從中受惠。

三星與SK海力士的銷售業(yè)績，都離不開中國市場。過去三星、SK海力士被限制之后，中國市場利潤大跌，后來被解禁后，其利潤營收暴漲，可以知道中國市場是這兩家廠商的基本盤。

美國的戰(zhàn)略很清楚，它怕中國AI崛起，一是不允許英偉達將先進的AI芯片賣給中國，二是鎖死中國先進制程與高端存儲芯片的發(fā)展，不準HBM這種存儲芯片，賣給中國。

在這個過程中，韓國公司卻成了夾心餅干，訂單大、設(shè)備斷，營收面臨重大壓力。

中國已在加速突圍芯片半導(dǎo)體。接下來，中國也會整合資源，集中力量辦大事，報道顯示，長江存儲正深化與本土工具制造商，如專門從事蝕刻設(shè)備的中微公司、專注于沉積和蝕刻設(shè)備的北方華創(chuàng)、沉積設(shè)備供應(yīng)商拓荊科技的合作，都在加速替換外國設(shè)備。這可能提升本土公司在光刻膠、蝕刻機等領(lǐng)域的競爭力，甚至是成熟工藝的競爭力。

美國限制SK海力士與三星其實給我們提了一個醒，在半導(dǎo)體設(shè)備與存儲芯片尤其是HBM內(nèi)存上，中國需要抓緊進一步發(fā)力。HBM 是先進 AI 芯片的關(guān)鍵存儲組件，約占芯片價值的一半，對 AI 模型訓(xùn)練和芯片封裝至關(guān)重要。美國卡哪里，意味著中國需要在哪里突圍。

韓國急得團團轉(zhuǎn)，一邊安撫企業(yè)，一邊去美國求寬限。有技術(shù)沒有市場，手里有貨，賣不出去，那種難受可想而知。

這相當于給中國國產(chǎn)替代空出了市場，中國想要發(fā)展AI芯片，就必須研發(fā)出自己的高端HBM內(nèi)存。HBM分好多代，HBM第一代此前已有廠商量產(chǎn)，但落后SK海力士、三星們兩代，畢竟對方已經(jīng)發(fā)展到了HBM3/HBM3e了。

這意味著，中國在這個領(lǐng)域要抓緊進度。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的說法，HBM本質(zhì)是一種先進封裝，國產(chǎn)的HBM2e已有公司宣布量產(chǎn)，即便沒量產(chǎn)但也近了。HBM3以及以后的，目前在先進封裝與良率上還搞差點火候，這是SK海力士的核心領(lǐng)域，有3個挑戰(zhàn)：DRAM顆粒、邏輯die和先進封裝。

而國產(chǎn)的HBM供應(yīng)鏈正在建立過程中，包括HBM Die的生產(chǎn)和配套的CoWoS封裝，技術(shù)上要突圍的是HBM 3e，這意味著國產(chǎn)HBM來到了由0到1的關(guān)鍵突破期，業(yè)內(nèi)估計26年能有送樣，量產(chǎn)爬坡得再晚一年半載的。

我們需要相信中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的韌性，美國能制裁中國芯片的環(huán)節(jié)不多了，AI芯片的競爭已經(jīng)在中場，美國以限制中國為由損害盟友商業(yè)利益，將反噬自身，并加速非美生態(tài)壯大，并推動中國HBM內(nèi)存突破進入快車道，我們拭目以待。

作者：王新喜 TMT資深評論人 本文未經(jīng)許可謝絕轉(zhuǎn)載