“光刻機(jī)，全世界不是中國(guó)、美國(guó)都造不出來(lái)，中國(guó)能不能造出來(lái)？不可能，永遠(yuǎn)造不出來(lái)？誰(shuí)不懂得，我們中國(guó)又做出來(lái)了，純屬扯淡……”中科大物理學(xué)教授朱士堯關(guān)于光刻機(jī)的一番言論，在網(wǎng)絡(luò)上引發(fā)熱議。這番話如同一把鑰匙，打開了人們對(duì)光刻機(jī)這一“工業(yè)皇冠上的明珠”的討論閘門，也拋出了一個(gè)犀利的問題：在高端光刻機(jī)被少數(shù)國(guó)家“卡脖子”的當(dāng)下，中國(guó)究竟能否在這一領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破？

從國(guó)際上的相關(guān)事件來(lái)看，長(zhǎng)期以來(lái)，荷蘭阿斯麥公司（ASML）在高端光刻機(jī)領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，其生產(chǎn)的EUV（極紫外）光刻機(jī)是制造7nm及以下制程芯片的核心設(shè)備。2024年2月10 日，ASML向媒體展示了高NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為TWINSCAN EXE:5000，NA達(dá)到了0.55，單次光刻分辨率達(dá)到了8nm，售價(jià)高達(dá)3.5億歐元（約合27億元人民幣）。英特爾是率先向ASML訂購(gòu)新型High-NA EUV設(shè)備EXE:5000的企業(yè)，早在2023年12月就拿下全球首臺(tái)， 2024年4月完成組裝進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)階段，8月又宣布成功接收全球第二臺(tái)并完成安裝調(diào)試 。而臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于今年年底從ASML接收首批全球最先進(jìn)的高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機(jī)。

在光刻機(jī)領(lǐng)域，中國(guó)也在不斷突破。2024年10月，中國(guó)低調(diào)發(fā)布重磅消息，國(guó)產(chǎn)DUV浸沒式氟化氬光刻機(jī)研發(fā)成功，這一光刻機(jī)采用氟化氬作為光刻過程中的關(guān)鍵氣體，具有高穩(wěn)定性和高純度的特點(diǎn)，中國(guó)科研人員通過自主創(chuàng)新，成功實(shí)現(xiàn)了8nm以下的精細(xì)加工能力，這一成果標(biāo)志著中國(guó)在高端制造領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，向世界宣告中國(guó)已經(jīng)具備了自主研發(fā)和生產(chǎn)先進(jìn)光刻機(jī)的能力。不僅如此，今年9月上旬工信部發(fā)布的《首臺(tái)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄》通知透露，兩臺(tái)由中國(guó)自主研發(fā)的光刻機(jī)設(shè)備正式亮相，分別為氟化氪光刻機(jī)（Krf）和氟化氬光刻機(jī)（Arf）。其中，Krf光刻機(jī)波長(zhǎng)為248nm，分辨率≤110nm，套殼精度≤25nm；而Arf光刻機(jī)波長(zhǎng)為193nm，分辨率≤65nm，套殼精度≤8nm，均屬于深紫外（DUV）光刻機(jī)范疇。

此外，根據(jù)英國(guó)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，中芯國(guó)際已經(jīng)在測(cè)試由上海初創(chuàng)企業(yè)宇量異生產(chǎn)的DUV光刻機(jī)，雖然不是最先進(jìn)的EUV極紫外光刻機(jī)，但是通過多重曝光技術(shù)，極限情況下，可以制造5納米的芯片，這比原本國(guó)內(nèi)外業(yè)界普遍認(rèn)為的中國(guó)突破DUV光刻技術(shù)的時(shí)間提前了五年。

對(duì)于中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域的這些突破，網(wǎng)友們紛紛發(fā)表看法。

有網(wǎng)友自豪地表示：“從被‘卡脖子’到不斷突破，中國(guó)光刻機(jī)的每一次進(jìn)步都是科研人員汗水的結(jié)晶，為他們點(diǎn)贊！”

也有網(wǎng)友理性分析道：“我們雖然取得了很大進(jìn)展，但也得看到和ASML等在高端EUV領(lǐng)域還有差距，不能自滿，還得繼續(xù)埋頭搞研發(fā)?！?/p>

還有網(wǎng)友感慨：“中國(guó)在光刻機(jī)上的突破，意味著以后在芯片領(lǐng)域我們有了更多話語(yǔ)權(quán)，國(guó)外想隨意封鎖我們的時(shí)代一去不復(fù)返了！”

光刻機(jī)的研發(fā)是一個(gè)國(guó)家整體實(shí)力的體現(xiàn)，雖然中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在一定差距，但近年來(lái)的許多突破事件已經(jīng)充分展現(xiàn)了中國(guó)在該領(lǐng)域強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力和堅(jiān)韌不拔的奮斗精神。隨著中國(guó)在科研投入上的持續(xù)增加、人才隊(duì)伍的不斷壯大以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)的逐步完善，中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域必將實(shí)現(xiàn)更大的跨越，徹底打破國(guó)外的技術(shù)壟斷，為我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)高科技產(chǎn)業(yè)的騰飛插上堅(jiān)實(shí)的翅膀。

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