本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

數(shù)據(jù)中心、HBM、輔助駕駛、人形機(jī)器人......均為明年的重點(diǎn)發(fā)展技術(shù)。

今日，TrendForce集邦咨詢發(fā)布了“2026十大科技市場趨勢預(yù)測”。

AI液冷散熱大規(guī)模滲透AI數(shù)據(jù)中心

AI數(shù)據(jù)中心承擔(dān)的計(jì)算任務(wù)呈指數(shù)級(jí)增長，隨著功耗和密度持續(xù)提升，帶動(dòng)算力液冷技術(shù)強(qiáng)勁需求。

傳統(tǒng)的風(fēng)冷技術(shù)難以滿足數(shù)據(jù)中心發(fā)展需求，液冷技術(shù)能夠有效解決高熱密度機(jī)柜的散熱難題，成為數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù)的新方向。

2026年受惠于北美大型CSPs提高資本支出，對(duì)AI數(shù)據(jù)中心建置需求旺盛，預(yù)估全球AI Server出貨年增將逾20%。

英偉達(dá)將面臨更為激烈的競爭。首先AMD將推出MI400整柜式產(chǎn)品，主攻CSPs客戶；其次，北美CSPs自研ASIC力道持續(xù)增強(qiáng)；最后，云廠商自研ASIC，以及寒武紀(jì)等AI芯片公司強(qiáng)化AI芯片自主研發(fā)，將AI市場競爭推向白熱化。

隨著AI芯片算力提升，單芯片熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)將從NVIDIA H100、H200的700W，上升至B200、B300的1,000W以上或更高，Server機(jī)柜須以液冷散熱系統(tǒng)對(duì)應(yīng)高密度熱通量需求，推升2026年AI芯片液冷滲透率達(dá)47%。Microsoft（微軟）亦提出新一代芯片封裝層級(jí)的微流體冷卻技術(shù)。整體而言，短中期市場仍以水冷板液冷為主，CDU架構(gòu)將自L2A (Liquid-to-Air)轉(zhuǎn)向L2L (Liquid-to-Liquid)設(shè)計(jì)，長期則朝更精細(xì)化的芯片級(jí)散熱演進(jìn)。

HBM與光通訊技術(shù)愈發(fā)關(guān)鍵

HBM 是一種基于 3D 堆棧封裝技術(shù)的高性能內(nèi)存，它通過將多個(gè) DRAM 芯片垂直堆疊，并使用硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片之間的高速互連，從而顯著提高內(nèi)存的帶寬和數(shù)據(jù)傳輸速度。與傳統(tǒng)的內(nèi)存架構(gòu)相比，HBM 具有更高的引腳密度和更低的延遲，能夠在有限的空間內(nèi)提供更大的內(nèi)存容量和更快的數(shù)據(jù)訪問速度。

目前各家存儲(chǔ)器廠商通過HBM堆棧結(jié)構(gòu)優(yōu)化，封裝與接口創(chuàng)新，并且與邏輯芯片協(xié)同設(shè)計(jì)，藉由各方面的努力來提升了AI芯片的本地帶寬。

解決了存儲(chǔ)器的傳輸瓶頸之后，跨芯片、跨模組間的數(shù)據(jù)傳輸仍成為限制系統(tǒng)效能的新瓶頸，為突破此限制，光電整合與CPO（Co-Packaged Optics）技術(shù)逐步成為主流GPU廠商與云端供應(yīng)商的研發(fā)重點(diǎn)?，F(xiàn)階段800G/1.6T pluggable光模組已啟動(dòng)大量生產(chǎn)，而2026年起預(yù)期將有更高帶寬的SiPh/CPO平臺(tái)導(dǎo)入AI 交換機(jī)（Switch）之內(nèi)。借由新型的光通訊技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗的數(shù)據(jù)互連，并優(yōu)化系統(tǒng)整體帶寬密度與能源效率。

NAND Flash供應(yīng)商強(qiáng)化AI方案

NAND Flash供應(yīng)商正加速推進(jìn)專門的解決方案，包含兩項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品：儲(chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器(SCM) SSD/KV Cache SSD/HBF技術(shù)，定位介于DRAM與傳統(tǒng)NAND間，提供超低延遲與高帶寬特性，為加速實(shí)時(shí)AI推理工作負(fù)載的理想選擇。

另一項(xiàng)是Nearline QLC SSD，QLC技術(shù)正以前所未有的速度被應(yīng)用于AI的溫/冷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層，例如模型檢查點(diǎn)與數(shù)據(jù)集歸檔。QLC的每晶粒儲(chǔ)存容量較TLC將高出33%，大幅降低儲(chǔ)存巨量AI數(shù)據(jù)集的單位成本。預(yù)估至2026年，QLC SSD于Enterprise SSD的市場滲透率將達(dá)30%。

AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能市場，爆發(fā)式增長

數(shù)據(jù)中心的能源需求不僅體現(xiàn)在總量上，更體現(xiàn)在其對(duì)供電質(zhì)量和穩(wěn)定性的極高要求上。根據(jù)最新要求，未來，國家樞紐節(jié)點(diǎn)新建的數(shù)據(jù)中心綠電占比需要超80%，但風(fēng)電、光伏的間歇性特征難以適配數(shù)據(jù)中心24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行的穩(wěn)定用電需求。為避免斷電造成服務(wù)器關(guān)閉、數(shù)據(jù)丟失、設(shè)備損壞等情況，大數(shù)據(jù)中心配儲(chǔ)的重要性越發(fā)凸顯。

預(yù)估未來五年內(nèi)，AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能除了現(xiàn)有的短時(shí)UPS備電和電能質(zhì)量改善，2至4小時(shí)的中長時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比將迅速提升，以同時(shí)滿足備電、套利和電網(wǎng)服務(wù)需求。部署方式也將從數(shù)據(jù)中心級(jí)的集中式BESS (battery energy storage system)，逐步向機(jī)柜級(jí)或叢集級(jí)的分散式BESS滲透，如電池備用單元，以提供更快的瞬時(shí)響應(yīng)。

預(yù)期北美將成為全球最大AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能市場，由超大規(guī)模云端廠商主導(dǎo)。預(yù)期全球AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能新增容量將從2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，復(fù)合年平均成長率達(dá)46.1%。

AI數(shù)據(jù)中心邁向800V HVDC架構(gòu)

在AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心時(shí)代，千瓦級(jí)的供電標(biāo)準(zhǔn)早已無法匹配AI模型對(duì)能耗的極端需求。

以英偉達(dá)當(dāng)前主力的GB200 NVL72機(jī)架為例，隨著機(jī)架功率逐步逼近兆瓦級(jí)別，基于54V直流的傳統(tǒng)配電方式已然陷入瓶頸。英偉達(dá)宣布其800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)將于2027年全面部署，以支持1MW及以上的IT機(jī)架功率需求，提升供電效率與可靠性，還大幅降低銅材使用，簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，并為AI工廠的發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

第三代半導(dǎo)體SiC/GaN正是實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵，多家半導(dǎo)體供應(yīng)商已宣布加入NVIDIA的800V HVDC計(jì)劃。預(yù)估第三代半導(dǎo)體SiC/GaN在數(shù)據(jù)中心供電中的滲透率在2026年將上升至17%，至2030年有望突破30%。

2nm GAAFET革新，2.5D/3D封裝突破

晶體管架構(gòu)正進(jìn)一步演變?yōu)镚AAFET，在GAAFET架構(gòu)中，柵極以四個(gè)方向完整包覆通道，提供了更佳的控制能力，使其在面對(duì)更嚴(yán)峻的工藝挑戰(zhàn)時(shí)晶體管仍然能穩(wěn)定地提升其性能。 盡管GAAFET架構(gòu)看似復(fù)雜，但GAAFET架構(gòu)在工藝上仍有很大一部分沿用原有的FinFET架構(gòu)的工藝，降低了晶圓代工廠在GAAFET架構(gòu)的工藝研發(fā)上所面對(duì)的技術(shù)挑戰(zhàn)。

隨著各家2nm GAAFET進(jìn)入量產(chǎn)，TSMC（臺(tái)積電）、Intel（英特爾）與Samsung（三星）則分別推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封裝技術(shù)，提供前后段整合代工服務(wù)。如何在產(chǎn)能利用率、可靠性、成本與良率間取得平衡與商業(yè)優(yōu)勢，將是各大晶圓代工與封裝廠的核心挑戰(zhàn)。

2026年人形機(jī)器人出貨成長逾700%

隨著特斯拉等國際巨頭量產(chǎn)時(shí)間表的明確，以及國內(nèi)廠商在資本與技術(shù)上的快速跟進(jìn)，一個(gè)全新的賽道正在加速成型。

2026年將是人形機(jī)器人邁向商用化的關(guān)鍵一年，全球出貨量預(yù)估年增逾七倍、突破5萬臺(tái)，市場動(dòng)能聚焦于兩大主軸：AI自適應(yīng)（AI Adaptivity）技術(shù)與場景應(yīng)用導(dǎo)向。AI自適應(yīng)技術(shù)結(jié)合高效AI芯片、感測融合與大型語言模型（LLM）的進(jìn)化，使機(jī)器人能在非結(jié)構(gòu)化環(huán)境中實(shí)時(shí)學(xué)習(xí)與動(dòng)態(tài)決策，展現(xiàn)“謀定而后動(dòng)”的行為能力。

筆記本電腦顯示高階化提速，折疊機(jī)主流化進(jìn)程迎關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)

OLED以自發(fā)光、高對(duì)比、輕薄化與可變刷新率等特性，突破LCD在厚度與能耗的物理瓶頸，符合Apple（蘋果）對(duì)影像精度與能源效率的雙重要求。Apple預(yù)計(jì)2026年正式將OLED面板導(dǎo)入MacBook Pro，將帶動(dòng)高階筆電顯示規(guī)格由mini-LED轉(zhuǎn)向OLED，預(yù)估2025年OLED筆電滲透率可望來到5%，2026年之后，在Apple帶動(dòng)下，2027–2028年可望提升至9–12%。

蘋果已經(jīng)于6 月啟動(dòng)了折疊 iPhone 的初步原型 1（Prototype 1/P1）階段。如果按照蘋果的傳統(tǒng)產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間表，這臺(tái)折疊屏手機(jī)預(yù)計(jì)將在 2025 年底完成主要的原型測試階段，隨后進(jìn)入工程驗(yàn)證測試 (EVT) 階段。預(yù)估將帶動(dòng)全球折疊手機(jī)出貨量于2027年突破3,000萬支。目前折疊手機(jī)仍面臨邁向主流的最后障礙—鉸鏈可靠度、柔性面板封裝、良率與成本控制。

LEDoS技術(shù)蓄積成長能量

Meta Ray-Ban Display是Meta公司于2025年9月18日Connect開發(fā)者大會(huì)上推出的智能眼鏡，由首席執(zhí)行官馬克·扎克伯格發(fā)布，套裝包含全彩高清顯示屏眼鏡及配套神經(jīng)腕帶，起售價(jià)799美元。該產(chǎn)品右鏡片配備600×600像素顯示屏，支持顯示通知、導(dǎo)航指引及社交媒體應(yīng)用，搭配的Meta神經(jīng)腕帶（Neural Band）通過肌電圖(EMG)技術(shù)檢測前臂肌肉電信號(hào)實(shí)現(xiàn)手勢操控。

隨著市場預(yù)期與Meta迭代產(chǎn)品規(guī)劃的推進(jìn)，趨勢正指向具備更高亮度、對(duì)比度的LEDoS 技術(shù)，以拓展應(yīng)用場景，加上Apple、Google（谷歌）、RayNeo（雷鳥創(chuàng)新）、INMO（影目科技）、Rokid（樂奇）、Vuzix等廠商持續(xù)布局，成本有望加速下探。預(yù)估2027-2028年將出現(xiàn)更成熟的全彩LEDoS解決方案，Meta也預(yù)計(jì)推出新一代搭載LEDoS的AR眼鏡。

2026年輔助駕駛滲透率提升

自動(dòng)駕駛技術(shù)（包括高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)ADAS和自動(dòng)駕駛出租車Robotaxi）已成為全球汽車產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的核心賽道，技術(shù)迭代、成本下降與政策支持正推動(dòng)行業(yè)加速發(fā)展。

預(yù)估2026年L2(含)以上輔助駕駛的滲透率將逾40%，智能化將接續(xù)電動(dòng)車成為汽車產(chǎn)業(yè)成長動(dòng)力。此外，以L4級(jí)為目標(biāo)的Robotaxi正迎來全球性的擴(kuò)張浪潮。以L4級(jí)為目標(biāo)的Robotaxi正迎來全球性的擴(kuò)張浪潮。

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