AI的需求如何傳導(dǎo)至存儲(chǔ)，讓內(nèi)存變成了“電子黃金”？

來源 |騰訊科技

作者 |海軍（傅里葉的貓）

“最近內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多。”10月24日，雷軍在微博上帶貨某款手機(jī)時(shí)表示。

以三星電子為例。

日前，其宣布內(nèi)存芯片價(jià)格調(diào)漲60%，漲價(jià)直接沖擊到了下游的消費(fèi)電子廠商，帶動(dòng)包括手機(jī)，也包含筆記本、PC、平板等一系列設(shè)備的漲價(jià)。

內(nèi)存漲價(jià)的直接原因是AI巨頭們對(duì)HBM存儲(chǔ)的需求，擠占DRAM顆粒產(chǎn)能。

與此同時(shí)，推理需求的暴漲，也擠占了NAND閃存顆粒產(chǎn)能。

內(nèi)存價(jià)格暴漲后，它們被賽博玩家們戲稱為“電子茅臺(tái)”、“電子黃金”。

漲價(jià)牽動(dòng)著整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的神經(jīng)，中芯國際第三季度業(yè)績會(huì)上，38次提及存儲(chǔ)，聯(lián)席CEO趙海軍做了幾個(gè)關(guān)鍵判斷——

目前供應(yīng)缺口在5%以上，終端廠商短期有壓力、擴(kuò)產(chǎn)仍然在繼續(xù)、對(duì)制造業(yè)是利好。

“無論是汽車、手機(jī)還是消費(fèi)電子領(lǐng)域，使用存儲(chǔ)器的終端廠商來年都將面臨價(jià)格壓力和供應(yīng)保障問題，目前沒有任何一方能給出明確的供應(yīng)承諾?！壁w海軍說。

趙海軍強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)缺口至少在5%以上，高價(jià)位將持續(xù)一段時(shí)間。

“我曾做過分析，存儲(chǔ)器市場若出現(xiàn)5%的供應(yīng)缺口，價(jià)格可能翻倍；若供過于求5%，價(jià)格可能腰斬。”

那么，這一輪存儲(chǔ)價(jià)格暴漲的邏輯鏈條是什么，或者說AI的需求如何傳導(dǎo)至存儲(chǔ)，讓內(nèi)存變成了“電子黃金”？

01

恐慌、囤貨與價(jià)格倒掛

內(nèi)存作為標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，其行業(yè)發(fā)展直接受下游需求影響，呈現(xiàn)鮮明的周期性特征。

下游需求旺盛，行業(yè)進(jìn)入上行周期，價(jià)格上漲，而下游需求一旦收縮，行業(yè)就進(jìn)入了下行周期，價(jià)格就會(huì)下跌。

按趙海軍的說法，在供需平衡狀態(tài)下，出現(xiàn)正負(fù)5%的偏差，存儲(chǔ)價(jià)格的對(duì)應(yīng)翻倍或腰斬。

過去10多年，存儲(chǔ)行業(yè)走過多輪交替起落的階段：

2012-2015、2015-2019、2020-2023，2024-至今，基本維持四年一個(gè)周期。

單純看時(shí)間，當(dāng)前至少還處于上行階段。

需要注意的是，前三個(gè)周期基本與智能手機(jī)有關(guān)。

直到2024年起，大廠主動(dòng)減產(chǎn)優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，疊加AI熱潮拉動(dòng)服務(wù)器、PC 端高端存儲(chǔ)需求攀升，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入新一個(gè)周期的上行通道。

DDR技術(shù)路線圖，來源：美光

2025年美光、三星等頭部原廠相繼宣布DDR4進(jìn)入生命周期尾聲——

生產(chǎn)終止、銷售收尾、支持縮減，在最后的采購期，原廠供貨達(dá)成率遠(yuǎn)低于預(yù)期，動(dòng)搖市場長期供應(yīng)信心。

頭部廠商本輪調(diào)整，核心是適配高端服務(wù)器需求，產(chǎn)能優(yōu)先供給利潤更高的HBM和DDR5，這種不可逆的產(chǎn)能遷移導(dǎo)致DDR4有效供給持續(xù)縮減。

需求端則呈現(xiàn)強(qiáng)韌性。

北美互聯(lián)網(wǎng)公司為控制成本、規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)大量囤貨；

國內(nèi)企業(yè)的AI服務(wù)器需求激增帶動(dòng)DDR4采購量增長；

信創(chuàng)服務(wù)器因CPU產(chǎn)能緊張從DDR5退回DDR4；

工控、網(wǎng)通、中低端手機(jī)等成本敏感產(chǎn)品因供應(yīng)擔(dān)憂提前備貨。

原廠停產(chǎn)、渠道商控貨、終端廠商搶貨，DDR4價(jià)格反超DDR5，“價(jià)格倒掛” 現(xiàn)象出現(xiàn)。

盡管DDR5是未來趨勢，但從DDR4切換過來需CPU、主板和操作系統(tǒng)等支持，短期無法改善供需錯(cuò)配現(xiàn)狀。

一位存儲(chǔ)行業(yè)從業(yè)者強(qiáng)調(diào)，這一輪漲價(jià)主要源自大廠停產(chǎn)引起的囤貨恐慌，而非新增的消費(fèi)需求，屬于不健康的市場現(xiàn)象，不符合市場邏輯的性價(jià)比和商品屬性。

“（漲價(jià)）至少要持續(xù)到明年，但市場情況變化很快，存儲(chǔ)又周期性很強(qiáng)，要看具體情況。”該從業(yè)者說。

02

“遲來的”內(nèi)存暴漲

前年提過，AI催生的剛性需求與行業(yè)供需結(jié)構(gòu)的改變，同樣推動(dòng)著NAND閃存漲價(jià)。

過去NAND存儲(chǔ)需求主要靠手機(jī)、電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品拉動(dòng)，增長平緩，且增長易受消費(fèi)疲軟影響，而AI推理的規(guī)?；涞?，徹底改變這一局面。

推理需求規(guī)模上，OpenAI和Gemini的API日調(diào)用都接近10萬億 tokens，國內(nèi)預(yù)估是這個(gè)數(shù)據(jù)兩倍，甚至是三倍。

此外，智能客服、自動(dòng)駕駛等場景需處理海量數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)的容量、速度及隨機(jī)I/O訪問能力提出高要求，QLC eSSD這類NAND產(chǎn)品恰好完美適配這些需求。

8月下旬，華為也推出了基于SLC和3D TLC顆粒的AI SSD產(chǎn)品，當(dāng)時(shí)還被稱之為AI推理加速“黑科技”。

問題來了，AI行情都持續(xù)了這么久了，為什么現(xiàn)在才輪到存儲(chǔ)暴漲？

DRAM，尤其是NAND的需求相對(duì)滯后，主要是需求處于積累期未形成規(guī)?；l(fā)，不代表技術(shù)無進(jìn)展。

一方面，頭兩年AI技術(shù)多停留在模型訓(xùn)練與小規(guī)模驗(yàn)證階段，互聯(lián)網(wǎng)大 AI產(chǎn)品以探索、測試為主，業(yè)務(wù)滲透率相對(duì)較低，用戶量與交互頻次也有限，對(duì)存儲(chǔ)的需求僅集中在HBM等高性能產(chǎn)品，未波及支撐海量數(shù)據(jù)分層存儲(chǔ)的DRAM與NAND。

另一方面，AI對(duì)話以快思考為主，依賴自身知識(shí)庫生成答案、token消耗低且無外部Agent協(xié)同，整體數(shù)據(jù)交互量也有限，難以拉動(dòng)兩類存儲(chǔ)需求。

今年存儲(chǔ)需求突然爆發(fā)，核心是AI業(yè)務(wù)邁入高滲透期：

互聯(lián)網(wǎng)大廠AI產(chǎn)品已成熟上線，業(yè)務(wù)滲透率提升大幅提升；

支付、電商等傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品也在加速AI重構(gòu)，帶動(dòng)用戶交互頻次顯著增加。

SAP今年10月份的報(bào)告顯示，目前中國企業(yè)平均28%的業(yè)務(wù)任務(wù)由AI提供支持，未來兩年這一比例預(yù)計(jì)將升至44%。

另外，云計(jì)算廠商的三副本備份機(jī)制——

把數(shù)據(jù)分割后，復(fù)制出3個(gè)完全相同的副本，再通過分布式算法將副本存儲(chǔ)在集群中不同服務(wù)器的不同物理磁盤——

也推動(dòng)數(shù)據(jù)總量呈指數(shù)級(jí)增長，而這些數(shù)據(jù)需通過DRAM與NAND進(jìn)行分層存儲(chǔ)，直接拉動(dòng)了兩類產(chǎn)品的需求。

本輪漲價(jià)核心驅(qū)動(dòng)力也包括是AI服務(wù)器需求超預(yù)期，云廠客戶不僅鎖定2025年第四季度產(chǎn)能，還提前下達(dá)2026年訂單，導(dǎo)致供需快速失衡。

需要強(qiáng)調(diào)，本輪內(nèi)存周期下DDR4產(chǎn)品庫存與供需狀態(tài)也與以往不同：目前供給端庫存處于低位。

根據(jù)我們從產(chǎn)業(yè)了解到的數(shù)據(jù)，模組廠庫存正常為4個(gè)月，目前只有2個(gè)月，而在供過于求時(shí)，模組廠庫存可達(dá)10-12個(gè)月。

當(dāng)然，HBM利潤水平高達(dá)50%-70%，且產(chǎn)能消耗是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的3倍，原廠資本支出優(yōu)先投向HBM，整個(gè)存儲(chǔ)的供給結(jié)構(gòu)已經(jīng)改變。

03

漲價(jià)這柄雙刃劍

這波存儲(chǔ)漲價(jià)，哪些行業(yè)受影響比較明顯？

可以按存儲(chǔ)剛需客戶的內(nèi)存需求占比作個(gè)排序。

下圖是大摩統(tǒng)計(jì)的“內(nèi)存在硬件廠商成本中的占比”，其中All-Flash Array Storage（全閃存陣列存儲(chǔ)）位居首位，占比73%。

前面提到的手機(jī)產(chǎn)業(yè)，看似水深火熱，但其實(shí)內(nèi)存在整體成本中的占比只有18%。

之所以各手機(jī)廠商都站出來發(fā)聲，核心是手機(jī)市場的整體規(guī)模大，且更貼近于消費(fèi)者。

內(nèi)存供需失衡，與上游存儲(chǔ)原廠控制利潤率有關(guān)：

哪類客戶利潤率高，就優(yōu)先分配產(chǎn)能。

過去，手機(jī)這類客戶可通過季度性優(yōu)惠促銷鎖定70%-80%需求，現(xiàn)在存儲(chǔ)廠商優(yōu)先供給訂單大、利潤率高的AI服務(wù)器客戶，手機(jī)廠商淪為配角。

本營國際的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)一線品牌僅能鎖定明年80%銷量所需存儲(chǔ)，二線廠商更是僅能鎖定60%。

20%-40%的缺口，與隨行就市的高價(jià)壓力，以手機(jī)為代表的消費(fèi)電子廠商，供應(yīng)鏈能力將遭遇嚴(yán)苛考驗(yàn)。

所以，雷軍這類手機(jī)大佬在線“訴苦”，也就不足為奇了。

短時(shí)間內(nèi)，手機(jī)廠商可以通過庫存平均價(jià)維持毛利，但隨著庫存消化，存儲(chǔ)漲價(jià)帶來的成本壓力將逐步放大，疊加存儲(chǔ)占整機(jī)BOM成本接近20%。

利潤偏薄的低端機(jī)型受沖擊更明顯，行業(yè)大者恒大的洗牌趨勢也將進(jìn)一步凸顯。

除了消費(fèi)電子品牌，硬件OEM/ODM行業(yè)也正面臨存儲(chǔ)超級(jí)周期帶來的顯著利潤率壓力。

生成式AI和數(shù)據(jù)激增等長期趨勢支撐需求上漲，但NAND和DRAM價(jià)格在過去6個(gè)月分別上漲50%和300%，導(dǎo)致輸入成本急劇上升。

大摩根據(jù)2016-2018周期歷史經(jīng)驗(yàn)，在11月初的硬件OEM行業(yè)報(bào)告中預(yù)測，2026年行業(yè)毛利率中位數(shù)下降60%，每股收益中位數(shù)低于比行業(yè)共識(shí)低了11%，并可能引發(fā)估值倍數(shù)收縮，戴爾、惠普、華碩等更是被大摩列為“最脆弱”的公司。

更宏觀的來看，漲價(jià)對(duì)于產(chǎn)業(yè)也會(huì)帶來負(fù)效應(yīng)。

目前，DDR5已經(jīng)成為國際產(chǎn)品的主流，英特爾、AMD等CPU頭部企業(yè)的新一代平臺(tái)也都已經(jīng)完成導(dǎo)入。

集邦咨詢2025年第一季度報(bào)告顯示，全球服務(wù)器DRAM市場中，DDR5的出貨占比已突破90%，成為AI訓(xùn)練、云計(jì)算等高算力場景的主要供給，這個(gè)時(shí)候因DDR4“價(jià)格倒掛”而擴(kuò)產(chǎn)，可能會(huì)拖慢產(chǎn)業(yè)升級(jí)節(jié)奏。

“如果DRAM廠商看重短期DDR4價(jià)格倒掛帶來的收益，而繼續(xù)保持或擴(kuò)大其產(chǎn)量，在產(chǎn)能為王的產(chǎn)業(yè)競爭格局中，意味著減少在DDR5等更高端產(chǎn)品上的投入，錯(cuò)失產(chǎn)品升級(jí)，進(jìn)而喪失在DRAM高速迭代市場競爭中的抗衡能力?！鼻笆龃鎯?chǔ)行業(yè)從業(yè)者說。

04

存儲(chǔ)的新故事

過去幾年，基于DRAM顆粒的HBM憑借高帶寬贏得了AI芯片巨頭們的青睞，但存儲(chǔ)容量卻是先天短板，于是開始閃迪等廠商提出基于NAND顆粒的HBF技術(shù)。

HBF借鑒了HBM的堆疊思路，將16層核心芯片堆疊并通過硅通孔互聯(lián)，帶寬可與HBM相匹配。

HBF架構(gòu)剖面圖，與GPU合封

閃迪強(qiáng)調(diào)稱，成本接近的情況下，HBF芯片的容量卻達(dá)HBM的8-16倍，單堆棧容量可達(dá)512GB，簡單來說就是經(jīng)濟(jì)性更好。

另外，在當(dāng)前計(jì)算架構(gòu)下，接收數(shù)據(jù)的流程是SSD→ HBM→GPU，HBM同時(shí)負(fù)責(zé)計(jì)算內(nèi)存和緩存網(wǎng)關(guān)的工作，進(jìn)而形成了延遲瓶頸。

HBF與GPU直連提供數(shù)據(jù)，這會(huì)帶來一系列連鎖反應(yīng)：

token生成速度提升→GPU空閑時(shí)間減少→人工智能總擁有成本（TCO）降低 → 大型語言模型服務(wù)的單位成本下降。

經(jīng)濟(jì)性，低功耗、低延遲、高擴(kuò)展性和實(shí)用性，進(jìn)一步擴(kuò)大了HBF的應(yīng)用場景。

按應(yīng)用場景看，HBF技術(shù)適合讀取密集型AI推理任務(wù)，可用于手機(jī)端大模型本地化、自動(dòng)駕駛等場景，閃迪計(jì)劃2026年下半年交付樣品，還聯(lián)合SK海力士推進(jìn)其技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化。

不過，這并不意味著HBF這種新的存儲(chǔ)解決方案完美無瑕。

其一，DRAM顆粒沒有生命周期限制，NAND存在壽命限制。

一旦與GPU合封，其壽命耗盡也就意味著GPU板卡損壞，這對(duì)于一張價(jià)值數(shù)萬美元的GPU來說，成本是無法接受的。

其二，NAND閃存對(duì)工作環(huán)境要求相對(duì)嚴(yán)格，在80-85攝氏度之間，而DRAM可以達(dá)到125攝氏度。

也就是說，未來行業(yè)有可能推動(dòng)HBM+HBF的混合架構(gòu)的落地，來大幅降低模型推理成本，其中HBF在與HBM的協(xié)同中，承擔(dān)大容量輔助內(nèi)存的角色。

雖然說HBM還不會(huì)被取代，但其需求增長的斜率預(yù)計(jì)將趨于平緩，對(duì)應(yīng)DRAM顆粒的需求也會(huì)放緩，轉(zhuǎn)而加大對(duì)NAND顆粒的依賴。

· END ·

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