廣東
12月8日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 報導，存儲芯片大廠SK海力士已經(jīng)修改HBM4生產(chǎn)計劃，原本2026年2月量產(chǎn)HBM4、明年二季度擴大產(chǎn)量的計劃，已經(jīng)推遲到了2026年3~4月量產(chǎn)，擴大生產(chǎn)的時間點則推遲到了明年第三季。因此，HBM4 量產(chǎn)所需材料和零組件供應速度也放緩。
報道援引消息人士說法稱，SK 海力士原定2026 上半年逐步提升HBM4產(chǎn)能，第二季末提高整體HBM 比重。但現(xiàn)決定至少在2026 上半年，前代HBM3E 生產(chǎn)比重仍維持最高。產(chǎn)能調(diào)整的原因，被認為與英偉達策略調(diào)整和市場需求變化密切相關。
消息人士透露，SK 海力士與英偉達討論2026 年HBM 供貨時，發(fā)現(xiàn)英偉達HBM3E 采購量大幅增加，反映幾個關鍵信息：
1、英偉達Rubin 芯片可能延后發(fā)布： HBM4 是為英偉達預計在2026 年推出的新一代AI芯片Rubin 所準備的。業(yè)界普遍擔憂，Rubin 晶片量產(chǎn)時間可能延期。
2、HBM3E 需求強勁：搭載HBM3E 的Blackwell GPU需求依然強勁。為滿足當前市場對HBM3E 的穩(wěn)健需求，SK 海力士選擇優(yōu)先確保HBM3E 供應。
英偉達Rubin芯片量產(chǎn)時間可能延期原因，一方面是因Rubin 芯片追求性能提升導致所需配套的 HBM4 等技術難度變高：HBM4 的輸入/輸出（I/O）端口數(shù)量擴大至2,048 個，這是前一代產(chǎn)品的兩倍，意味著數(shù)據(jù)傳輸通道更加寬廣；用于控制HBM 的邏輯芯粒將不再采用傳統(tǒng)的DRAM 制程，而是改用臺積電的晶圓代工制程來進行生產(chǎn)。另外臺積電2.5D 先進封裝CoWoS 也面臨產(chǎn)能瓶頸。
SK 海力士回應稱，雖然無法確認經(jīng)營策略相關細節(jié)，但計劃根據(jù)市場需求，采取靈活應對措施。
編輯：芯智訊-浪客劍
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