近日，第71屆國際電子器件大會 IEDM 2025（International Electron Devices Meeting，簡稱 IEDM）在美國舊金山召開。

在本屆 IEDM 上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文成功入選，率先報道了應(yīng)用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在 GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices 分會場首個亮相。

今年恰逢會議主題為“場效應(yīng)晶體管的百年歷史：塑造器件創(chuàng)新的未來”，此次入選標志著氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）技術(shù)在移動終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破，并獲得了國際頂尖學術(shù)平臺的高度認可。

這一成果源于小米對“技術(shù)為本”的堅持，以及對研發(fā)、人才與創(chuàng)新的高度重視，是小米“持續(xù)大規(guī)模投入底層核心技術(shù)，致力成為全球的新一代硬核科技的領(lǐng)導者”的重要例證之一。

IEDM 是全球半導體與電子器件領(lǐng)域最具權(quán)威和影響力的頂級會議之一，以其嚴苛的評審標準與前瞻性的技術(shù)視野，被譽為“電子器件突破性技術(shù)的風向標”和“器件的奧林匹克盛會”，在國際半導體技術(shù)界享有很高的學術(shù)地位和廣泛的影響力。

會議始于1955年，距今已有七十余年歷史，是報告半導體和電子器件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇，同時它也是國際著名高校、研發(fā)機構(gòu)和 Intel、 TSMC、三星、 IBM 等發(fā)布先進技術(shù)和最新進展的重要窗口和平臺。

每一年的 IEDM 盛會，都是全球半導體行業(yè)關(guān)注的焦點。本次會議以100 YEARS of FETs: SHAPING the FUTURE of DEVICE INNOVATIONS 為主題，于2025年12月6日至10日召開。

論文簡介

入選論文題目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》

論文作者：張昊宸*，孫躍*（小米），錢洪途*，劉嘉男（小米），范水靈，韓嘯，張永勝，張暉，張新川，邱俊卓，裴軼，劉水（小米），孫海定，陳敬，張乃千

*表示共同第一作者。該工作由小米手機射頻團隊主導完成，器件組孫躍博士為項目負責人。

論文詳情：

https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/session-details.cfm?scheduleid=273

研究背景

在當前移動通信技術(shù)從 5G/5G-Advanced 向 6G 演進的關(guān)鍵階段，手機射頻前端器件正持續(xù)面臨超高效率、超寬帶、超薄化與小型化的多重技術(shù)挑戰(zhàn)。

作為射頻發(fā)射鏈路的核心組件，功率放大器負責將微弱的射頻信號有效放大并輻射傳輸至基站，其性能直接決定了終端通信系統(tǒng)的能效、頻譜利用率與信號覆蓋能力。目前主流手機功率放大器廣泛采用砷化鎵（GaAs）半導體工藝，該技術(shù)已商用二十余年，在過去數(shù)代通信系統(tǒng)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

然而，隨著 6G 技術(shù)愿景逐步清晰，通信系統(tǒng)對頻段、帶寬與能效的要求不斷提升， GaAs 材料在電子遷移率、熱導率和擊穿電場等方面的物理限制日益凸顯，導致其在功率附加效率、功率密度和高溫工作穩(wěn)定性等關(guān)鍵指標上逐漸逼近理論極限。因此，傳統(tǒng) GaAs 基功率放大器已難以滿足未來通信對更高功率輸出、更低能耗與更緊湊封裝尺寸的綜合需求。

在此背景下，以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料，憑借其高臨界擊穿電場與優(yōu)異的熱導性能，被視為突破當前射頻功放性能瓶頸的重要技術(shù)方向之一。

然而，傳統(tǒng) GaN 器件主要面向通信基站設(shè)計，通常需在 28V/48V 的高壓下工作，無法與手機終端現(xiàn)有的低壓供電系統(tǒng)相兼容，這成為其在移動設(shè)備中規(guī)?；瘧?yīng)用的關(guān)鍵障礙。

為攻克這一難題，研究團隊聚焦于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)路線，通過電路設(shè)計與半導體工藝的協(xié)同創(chuàng)新，成功開發(fā)出面向手機低壓應(yīng)用場景的射頻氮化鎵高遷移率電子晶體管（GaN HEMT）技術(shù)，并率先在手機平臺上完成了系統(tǒng)級性能驗證，為6G時代終端射頻架構(gòu)的演進奠定了關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。

研究方法和實驗

在外延結(jié)構(gòu)方面，本研究重點圍繞降低射頻損耗與優(yōu)化歐姆接觸兩大關(guān)鍵問題展開技術(shù)攻關(guān)。

一方面，通過實施原位襯底表面預處理，并結(jié)合熱預算精確調(diào)控的 AlN 成核層工藝，顯著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反應(yīng)與晶體缺陷，有效降低了射頻信號傳輸過程中的襯底耦合損耗與緩沖層泄漏，使其射頻性能逼近當前先進的 SiC 基 GaN 器件水平。

另一方面，通過開發(fā)高質(zhì)量再生長歐姆接觸新工藝，在降低界面勢壘與提升載流子注入效率方面取得突破，實現(xiàn)了極低的接觸電阻與均勻一致的方塊電阻，為提升器件跨導、輸出功率及高溫穩(wěn)定性奠定了工藝基礎(chǔ)。

得益于外延設(shè)計優(yōu)化與工藝創(chuàng)新，該晶體管能夠在 10V 工作電壓下，實現(xiàn)了功率附加效率突破80%、輸出功率密度達 2.84 W/mm 的卓越性能。

結(jié)合手機終端產(chǎn)品的器件需求定義，我們進一步制定了器件的具體實現(xiàn)方案。該方案針對耗盡型高電子遷移率晶體管（D-Mode HEMT）的常開特性，設(shè)計了專用的柵極負壓供電架構(gòu)，通過精確的負壓偏置與緩啟動電路，確保器件在開關(guān)過程中保持穩(wěn)定可靠，有效規(guī)避誤開啟與擊穿風險。

在模組集成層面，通過多芯片協(xié)同設(shè)計與封裝技術(shù)，實現(xiàn)了 GaN HEMT 工藝的功放芯片與 Si CMOS 工藝的電源管理芯片在模組內(nèi)進行高密度封裝集成。最終，該器件在手機射頻前端系統(tǒng)中完成了關(guān)鍵性能指標的全面驗證，為低壓氮化鎵技術(shù)在下一代移動通信終端中的應(yīng)用提供重要參考。

研究結(jié)論

相較于傳統(tǒng)的 GaAs 基功率放大器，在保持相當線度性的同時，研究團隊開發(fā)的低壓氮化鎵功放展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。最終，該器件實現(xiàn)了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同時兼顧通信系統(tǒng)的線性度和功率等級要求，在系統(tǒng)級指標上達成重要突破。

未來展望

這一成果的實現(xiàn)，標志著低壓硅基氮化鎵射頻技術(shù)從器件研發(fā)成功跨越至系統(tǒng)級應(yīng)用。這不僅從學術(shù)層面驗證了該技術(shù)的可行性，更在產(chǎn)業(yè)層面彰顯了其在新一代高效移動通信終端中的巨大潛力。我們將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動該技術(shù)向更復雜的通信場景拓展，加速其在移動終端領(lǐng)域的規(guī)?；逃眠M程。

未來，小米更加堅定走科技創(chuàng)新的道路，推動更多前沿技術(shù)從實驗室走向規(guī)?；涞?，不斷探索并實現(xiàn)更強大、更可靠、更極致的未來通信體驗。