英特爾宣布已安裝全球最先進光刻機

近日，英特爾宣布已安裝了新的TWINSCAN EXE:5200B系統(tǒng)。這是目前全球最先進的光刻機，屬于第二代High-NA EUV，將用于Intel 14A制程節(jié)點。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特爾晶圓廠的驗收測試，以提高晶圓產量。

據(jù)悉，TWINSCAN EXE:5200B在標準條件下，產量達到了每小時175片晶圓，英特爾計劃做進一步調整，提升至每小時200片晶圓以上。新系統(tǒng)還提升了套刻精度，達到了0.7nm，這是建立在英特爾過去一年多對High-NA EUV光刻機使用經驗之上。

英特爾表示，High-NA EUV是其晶圓代工技術庫中的重要能力，結合了自身在掩模、蝕刻、分辨率增強和計量等相關領域的技能，實現(xiàn)了當今芯片所需的更精細晶體管細節(jié)。對設計師來說，這帶來了更靈活的設計規(guī)則，減少步驟和掩蔽次數(shù)的能力意味著流程更簡化，良品率更高，而且時間更短。

在上周的2025 IEEE IEDM上，英特爾還與imec合作展示了對2DFET材料氧化物帽層，核心創(chuàng)新是選擇性凹陷刻蝕。

榮耀WIN系列發(fā)布會官宣

今天，榮耀手機宣布，榮耀WIN系列發(fā)布會將于12月26日14:30舉辦，號稱“超神性能雙旗艦”。此次榮耀雙旗艦將同臺登場，榮耀還公布新機外觀，系列包含兩款機型，分別采用后置雙攝與三攝方案。根據(jù)官方透露的信息，兩款機型命名分別是：榮耀WIN、榮耀WIN RT。

榮耀WIN系列共三款配色，分別是：指定贏、快開黑、不怕藍。背殼采用霧面設計，不粘指紋還防汗，在游戲過程中帶來更絲滑舒適的觸感。

榮耀WIN和榮耀WIN RT外觀整體保持家族設計，榮耀WIN作為高配版，擁有后置三攝，榮耀WIN RT則是雙攝。

核心配置上，榮耀WIN將搭載6.83英寸的1.5K LTPS大直屏，搭載高通第五代驍龍8至尊版平臺，內置10000mAh超大電池，支持100W有線和80W無線充；榮耀WIN RT搭載高通驍龍8至尊版平臺，同樣內置10000mAh電池，支持100W有線閃充。

三星和SK海力士已交付HBM4最終樣品

據(jù)TrendForce報道，隨著HBM4競賽的加速，大家的注意力放在了哪個供應商能夠獲得英偉達最多訂單上，用于下一代Rubin架構數(shù)據(jù)中心GPU。傳聞三星和SK海力士都已經向英偉達交付了HBM4最終樣品，這標志著產品已基本達到客戶要求，正式進入以商業(yè)合作為導向的預約合同階段。最后的障礙只剩下質量資格認證，預計2026年第一季度將鎖定具體價格和訂單量。

早在今年9月，SK海力士率先宣布已成功完成HBM4的開發(fā)，并在全球首次構建了量產體系。傳聞SK海力士向英偉達提供了大約2萬到3萬個HBM4樣品，用于大規(guī)模生產前的最終測試和驗證工作。考慮到在HBM3和HBM3E上的優(yōu)異表現(xiàn)，外界普遍認為SK海力士將獲得英偉達最多的HBM4訂單。

相比于HBM3E大幅落后的局面，三星在HBM4上奮起直追。本月初有消息傳出，三星已經在上個月完成HBM4的內部可靠性測試，目前已進入最后預量產階段。如果一切順利，三星將大幅拉近與競爭對手SK海力士在HBM3E時代的市場差距，從過去的六個月縮短至一個月，成為英偉達第二大HBM4供應商。

由于采用了領先競爭對手一代的制造工藝，三星在其他潛在客戶那里也獲得了積極的反饋。有消息稱，三星HBM4在博通的測試中表現(xiàn)超過了預期，高于目標性能，博通給予了積極的評價。

此外，美光也向英偉達提供了HBM4最終樣品，預計也會爭取到少量訂單。

華為WATCH十周年款官宣

12月17日，華為WATCH十周年款正式官宣將在12月22日14:30的nova 15系列發(fā)布會上登場。從官方海報來看，這款十周年款應該是基于華為WATCH 5系列打造，采用了類似的外觀設計，只是用上了新配色和特殊表帶。

華為WATCH 5于今年6月11日發(fā)布，搭載鴻蒙5系統(tǒng)，也是首款鴻蒙AI智能手表。搭載全新智慧助手小藝，支持小藝健康問答、小藝運動操控、小藝生活助手等。此外還支持手勢遙控拍照，手勢控制鬧鐘，以及充當星閃車鑰匙等。

其最大的特色是行業(yè)首發(fā)的側邊X-TAP智感窗，首創(chuàng)三合一傳感器（PPG+ECG+壓感），不僅能玩壓感游戲，業(yè)界首發(fā)指尖實時血氧，同時支持免氣囊高血壓風險研究。用戶只需指尖輕觸表冠3秒，就能完成血氧、血管彈性、壓力值等11項核心指標檢測，60秒生成完整健康報告。

蘋果將對iPhone 18外形大調整

據(jù)外媒最新報道稱，蘋果可能將對下一代iPhone外形進行大變革，蘋果計劃徹底摒棄“靈動島”藥丸形挖孔，轉而在iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max上采用左上角單打孔前置鏡頭與屏下Face ID技術。

為了讓不少用戶能夠直觀的理解新iPhone的外觀，還有相關設計概念圖被一同被放出。

此前也曾有消息稱，iPhone 18 Pro屏幕形態(tài)會有變化，蘋果正測試特殊HIAA挖孔方案，主攝測試可變光圈；橫向大Deco不變，后蓋有透明設計，PM首次采用鋼殼電池。供應鏈人士表示，相比于完全隱藏但會導致畫質受損的屏下攝像頭（CUP/UPC）方案，HIAA作為“打孔屏”的終極形態(tài)，被認為是在2027年實現(xiàn)完美全屏前最穩(wěn)妥的高畫質自拍方案。

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