天津
（全球TMT2025年12月18日訊）全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技宣布，S-SiCap（Stack Silicon Capacitor）產(chǎn)品線持續(xù)深化技術(shù)布局，聚焦AI服務(wù)器與高性能計算（HPC）的整合挑戰(zhàn)。S-SiCap產(chǎn)品線涵蓋分離式硅電容（Discrete Devices）與硅電容中介層IPC（InterPoser with silicon Capacitor）兩大類型，對應(yīng)不同系統(tǒng)架構(gòu)與應(yīng)用情境，滿足多元設(shè)計需求。
愛普科技的分離式硅電容S-SiCap Gen4電容值密度較前一代Gen3再增逾50%。Gen4率先導(dǎo)入嵌入式基板（Embedded Substrate）封裝，目前已送樣進(jìn)行制程驗證，量產(chǎn)導(dǎo)入時程將自2026年起逐步展開。另一方面，硅電容中介層S-SiCapT Interposer采用硅晶圓作為中介層基板，內(nèi)建高電容密度的硅電容，顯著強(qiáng)化裸晶對裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高帶寬內(nèi)存（HBM）等高速I/O應(yīng)用的信號與電源穩(wěn)定性。愛普并攜手供應(yīng)鏈合作，導(dǎo)入接合曝光技術(shù)(reticle-stitching technology)，擴(kuò)展中介層裸晶面積，進(jìn)而承載更多Chiplet IC。目前S-SiCap Interposer已完成客戶端的封裝與可靠度驗證，并于第三季末正式進(jìn)入四個reticle的量產(chǎn)階段，新項目亦陸續(xù)展開。
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