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據(jù)報(bào)道，NVIDIA 和 AMD 正在評(píng)估英特爾晶圓代工的 14A 制程節(jié)點(diǎn)，而蘋(píng)果和博通則在考慮采用英特爾的 EMIB 封裝技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)定制服務(wù)器加速器。香港廣發(fā)證券指出，這些進(jìn)展反映出頂級(jí)設(shè)計(jì)公司越來(lái)越愿意重新考慮其前端工藝技術(shù)和后端封裝的供應(yīng)商。臺(tái)積電等其他供應(yīng)商的產(chǎn)能限制可能是促使這些探索性舉措的關(guān)鍵因素，封裝的可用性如今已成為大型設(shè)計(jì)公司面臨的核心制約因素。

就蘋(píng)果而言，供應(yīng)鏈報(bào)告顯示，該公司已與英特爾接洽進(jìn)行工藝評(píng)估，并正在權(quán)衡其他封裝方案。據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果已在使用 18A-P 工藝設(shè)計(jì)套件的 0.9.1 版本，并正在等待預(yù)計(jì)將于 2026 年第一季度發(fā)布的 PDK 1.0 或 1.1 版本，之后才會(huì)進(jìn)行更大規(guī)模的測(cè)試。由博通協(xié)助設(shè)計(jì)的“ Baltra ”服務(wù)器最初與臺(tái)積電的N3 3納米工藝相關(guān)，但由于臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能有限，蘋(píng)果開(kāi)始考慮采用英特爾的EMIB封裝方案。與此同時(shí)，定制AI服務(wù)器部件的出貨時(shí)間似乎更有可能在2028年，而基于英特爾工藝技術(shù)的低端M系列芯片如果PDK修訂和良率目標(biāo)能夠滿足蘋(píng)果的要求，則有望在2027年面世。

對(duì)英特爾而言，外部關(guān)注是對(duì)其數(shù)十年研發(fā)投入以及在制造和先進(jìn)封裝領(lǐng)域數(shù)十億美元投資的認(rèn)可。14A 制程節(jié)點(diǎn)是英特爾晶圓代工成敗的關(guān)鍵，它被定位為對(duì)外部客戶極具競(jìng)爭(zhēng)力的選擇，預(yù)計(jì)在每瓦性能和芯片密度方面將有所提升，并采用 EMIB 和 Foveros 等先進(jìn)封裝技術(shù)。如果能獲得英偉達(dá)和 AMD 等公司的設(shè)計(jì)承諾，將鞏固英特爾晶圓代工的地位，并為其路線圖的持續(xù)投資提供依據(jù)。如果這些合作未能實(shí)現(xiàn)，英特爾將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，難以將其技術(shù)優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)化為更廣泛的市場(chǎng)動(dòng)力，而整個(gè)行業(yè)仍將依賴少數(shù)幾家供應(yīng)商提供前端制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝服務(wù)。

英特爾EMIB，率先突圍

在英特爾IFS業(yè)務(wù)中，先進(jìn)封裝無(wú)疑是最吸引人的。

如上所述，蘋(píng)果和高通正在招募具備EMIB（嵌入式多芯片互連橋）技術(shù)專長(zhǎng)的工程師，這表明英特爾的封裝技術(shù)正在重獲發(fā)展勢(shì)頭——部分原因是臺(tái)積電產(chǎn)能受到嚴(yán)重?cái)D壓。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，這一轉(zhuǎn)變表明，英特爾的先進(jìn)封裝解決方案正日益成為智能手機(jī)SoC和AI ASIC客戶的考慮對(duì)象。

值得注意的是，報(bào)告還援引芯片制造商的話說(shuō)，英特爾正在加大對(duì)先進(jìn)封裝市場(chǎng)的關(guān)注，未來(lái)甚至可能采用臺(tái)積電制造的芯片進(jìn)行下游封裝——此舉將標(biāo)志著英特爾在代工領(lǐng)域的雄心壯志大幅擴(kuò)張。

《商業(yè)時(shí)報(bào)》指出，英特爾擁有關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：其在美國(guó)本土擁有先進(jìn)的封裝能力，從新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工廠到俄亥俄州未來(lái)可能投產(chǎn)的生產(chǎn)線。報(bào)道還指出，EMIB對(duì)異構(gòu)芯片組合的支持使其能夠?qū)崿F(xiàn)高度定制化的設(shè)計(jì)——而本土生產(chǎn)賦予英特爾的戰(zhàn)略影響力遠(yuǎn)超成本優(yōu)勢(shì)，使其成為臺(tái)積電亞利桑那州產(chǎn)芯片的理想下游合作伙伴。

《電子工程時(shí)報(bào)》 3月份報(bào)道稱，英特爾晶圓代工封裝與測(cè)試副總裁馬克·加德納表示，公司正在“努力”緩解先進(jìn)封裝芯片短缺的局面。加德納指出，造成這種短缺的主要原因是客戶依賴競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（臺(tái)積電）的技術(shù)，并補(bǔ)充說(shuō)，英特爾的優(yōu)勢(shì)在于其不受產(chǎn)能限制。值得注意的是，該報(bào)道暗示，AWS和臺(tái)灣的聯(lián)發(fā)科等芯片設(shè)計(jì)公司正在選擇英特爾晶圓代工作為供應(yīng)商。

TrendForce指出，人工智能和高性能計(jì)算數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展正推動(dòng)著前所未有的需求，導(dǎo)致一家主要先進(jìn)封裝供應(yīng)商的供應(yīng)出現(xiàn)瓶頸。這種供應(yīng)緊張的局面正蔓延至競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，迫使主要的芯片封裝服務(wù)提供商（CSP）尋求除CoWoS（芯片封裝在晶圓基板上）之外的其他解決方案，而EMIB正逐漸成為強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)者。

《商業(yè)時(shí)報(bào)》解釋說(shuō)，鑒于臺(tái)積電的CoWoS封裝技術(shù)在英偉達(dá)H100/200、GB200以及AMD MI300系列產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，目前它仍然是AI GPU和HBM封裝的首選。然而，由于這家晶圓代工巨頭的先進(jìn)封裝產(chǎn)能長(zhǎng)期短缺，英特爾的EMIB封裝技術(shù)正逐漸成為一個(gè)可行的替代方案。

報(bào)告指出，與使用硅中介層作為基板的 CoWoS 不同，EMIB 采用局部嵌入式橋接，從而提供更高的成本效益和更大的設(shè)計(jì)靈活性，使其非常適合定制 ASIC、芯片和 AI 推理處理器。

英特爾指出，EMIB是業(yè)界首個(gè)采用嵌入式橋接技術(shù)的2.5D互連解決方案。該公司表示，EMIB自2017年起已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并應(yīng)用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的產(chǎn)品中。

隨著對(duì)更強(qiáng)供電能力的需求不斷增長(zhǎng)，英特爾晶圓代工擴(kuò)展了其EMIB產(chǎn)品線。據(jù)英特爾稱，新型EMIB-M將金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器直接集成到硅橋中，從而提升供電性能。對(duì)HBM的激增需求也提高了對(duì)低噪聲垂直供電的需求，促使英特爾在其EMIB-T解決方案中引入硅通孔（TSV）技術(shù)——該技術(shù)也便于從其他封裝技術(shù)遷移。

另一方面，英特爾還將 EMIB 與 Foveros 2.5D 和 Foveros Direct 3D 結(jié)合，創(chuàng)建了 EMIB 3.5D，這是一種混合架構(gòu)，它使用 Foveros 將芯片垂直堆疊，同時(shí)通過(guò) EMIB 的嵌入式硅橋?qū)⑺鼈兯竭B接起來(lái)。

（來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合）

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