北京
據(jù)The Elec報道，三星宣布與三星先進技術(shù)研究所已成功開發(fā)出一種新型晶體管，能夠?qū)崿F(xiàn)在10納米以下制程節(jié)點生產(chǎn)DRAM。
這一突破有望解決移動內(nèi)存進一步微縮所面臨的關(guān)鍵物理挑戰(zhàn)，為未來設(shè)備帶來更高的容量與性能表現(xiàn)。
傳統(tǒng)DRAM制程的微縮在進入10納米以下節(jié)點后，因物理極限而面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
三星此次推出的“高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”具備極佳的高溫穩(wěn)定性，可在高達攝氏550度的條件下保持性能不衰退，從而適應(yīng)先進制造工藝的要求。
該晶體管采用垂直溝道設(shè)計，溝道長度僅為100納米，且可與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。測試結(jié)果顯示，其漏極電流表現(xiàn)穩(wěn)定，在長期老化測試中也保持了良好的可靠性。
三星表示，該技術(shù)計劃應(yīng)用于未來的0a與0b級別DRAM產(chǎn)品中，目前仍處于研究階段。
預(yù)計搭載該技術(shù)的存儲芯片將有助于三星在高密度內(nèi)存市場保持競爭力，并有望于2026年起陸續(xù)應(yīng)用于終端設(shè)備中。
來源：快科技
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