3nm時，三星就不講武德，全球首發(fā)3nm芯片，比臺積電領(lǐng)先了半年時間。

不僅如此，三星還率先全球首家采用GAAFET晶體管技術(shù)， 放棄了老邁的FinFET晶體管技術(shù)，一時之間，讓大家都覺得三星可能在3nm芯片上要翻身了。

但是，三星雖然起了個大早，卻趕了一個晚集，3nm芯片是領(lǐng)先半年量產(chǎn)，還采用了新的技術(shù)，卻在率良上栽了跟頭。

因為良率太低，據(jù)稱只有20%左右，也就是說制造出10顆芯片，有8顆是廢的，只有2顆能用，這實在是太嚇人了。

所以最后連三星的最大客戶高通、英偉達(dá)等都跑路了，轉(zhuǎn)單至臺積電去了。

數(shù)據(jù)顯示，在3nm工藝上，臺積電一家拿下了95%以上的份額，三星可能只有5%左右，可見真是起了個大早也沒什么用。

所以三星，又將目光瞄向了2nm，并且還是采用同樣的戰(zhàn)術(shù)，那就是領(lǐng)先臺積電先量產(chǎn)，同時也要搞點黑科技出來，用來吸引客戶的訂單。

這不，三星正式公布了2nm芯片Exynos 2600的完整細(xì)節(jié)，也就相當(dāng)于是全球首發(fā)了。

Exynos 2600采用的就是三星的2nm工藝，同樣采用GAAFET晶體管技術(shù)，對于三星來講，已經(jīng)是第二代了，所以這一點沒什么可講的。

為了讓Exynos 2600表現(xiàn)更強(qiáng)一點，這次三星采用了10核超強(qiáng)CPU設(shè)計，一顆3.8GHz Cortex-C1 Ultra超級核，3顆3.25GHz Cortex-C1 Pro性能核，還有6顆2.75GHz Cortex-C1 Pro能效，據(jù)稱比上一代性能提升39%。

性能這么強(qiáng)，大家是不是擔(dān)心發(fā)熱大？畢竟之前在5nm上，三星就栽倒在了發(fā)熱上，所以這次三星的黑科技就是HPB技術(shù)（Heat Pass Block）

這個技術(shù)三星用在了HBM芯片中，其它就是一種新的3D封裝方式，讓一個銅基 HPB 散熱器，直接與處理器核心直接接觸，這樣能夠快速將產(chǎn)生的熱量排出來，達(dá)到降溫的目的。

三星稱，采用了這種HPB技術(shù)后，熱阻最多能降低16%，破解高端芯片散熱痛點。

事實上，目前不管是高通，還是聯(lián)發(fā)科、蘋果等廠商，都存在芯片越來越強(qiáng)，熱量越來越大，然后散熱越來越難的問題。

三星此前就已經(jīng)表態(tài)了，如果讓三星來代工，HPB技術(shù)就會共享給高通、蘋果等廠商，可見三星就是希望用這種技術(shù)，以及拿出2nm芯片，來吸引高通、蘋果等的訂單。

接下來就看三星的這顆Exynos 2600芯片表現(xiàn)如何了，如果真的性能強(qiáng)，散熱還好，良率也高，那么未必不能挽回高通等的訂單。

所以現(xiàn)在壓力給到了臺積電了，如果不能從技術(shù)上碾壓三星，那么臺積電當(dāng)前這種壟斷高端芯片的局勢，可能就會被打破了。