這波長正好是當下DUV光刻機的心跳點，全球主流設(shè)備都靠它來刻芯片圖案。

消息一出，半導體圈子立刻熱鬧起來，大家都知道，這套激光不用氬氟氣體混合，不用高壓電場激發(fā)稀有氣體分子，徹底換了條路子。

以前ASML、佳能、尼康這些巨頭，全靠準分子激光，功率高到上百瓦，頻率也飆到8-9千赫，可維護麻煩，能耗大，還得定期換氣。

中國這套方案用Yb:YAG晶體放大1030納米光，再分兩條路：一條四次諧波變258納米，另一條光學參量放大出1553納米，最后在級聯(lián)硼酸鋰晶體里混成193納米。

平均功率雖只有70毫瓦，重復頻率6千赫，但線寬窄到880兆赫以下，光譜純度已經(jīng)跟商用水平挨得很近。

這個突破不是突然冒出來的驚喜，而是實驗室里日復一日調(diào)參數(shù)攢出來的。團隊從1030納米起步，先把光分成兩路走不同轉(zhuǎn)換，再小心翼翼地把兩束光合起來。

過程中還加了螺旋相位板，把1553納米光變成帶軌道角動量的渦旋光束，成功把渦旋特性帶到193納米處，這是全球第一次在固態(tài)激光里做到這一步。

渦旋光束對種子混合準分子激光器很有價值，未來在半導體缺陷檢測等領(lǐng)域可能用得上。

相比傳統(tǒng)氣體激光，這套固態(tài)系統(tǒng)體積小得多，結(jié)構(gòu)簡單，省了稀有氣體依賴，能耗也低一大截，環(huán)保又省心。

這一技術(shù)突破或?qū)θ蚬饪虣C光源市場格局產(chǎn)生影響。

ASML家 DUV 機型在中國市場賣得火熱，可一旦中國自產(chǎn)光源成熟，客戶轉(zhuǎn)向自家方案的日子就不遠了。傳統(tǒng)準分子激光體積大、維護復雜，中國固態(tài)方案正好戳中痛點。

雖說現(xiàn)在功率和頻率還差得遠，離真正上產(chǎn)線高吞吐量還有距離，但光譜純度已經(jīng)追上商用水準，這一步就夠讓人看到希望。

全球半導體供應鏈里，193 納米是 7 納米及以上成熟制程的支柱，中國這條新路等于在光源環(huán)節(jié)開了自家門。

后續(xù)迭代如果把功率沖上去，產(chǎn)業(yè)鏈補齊光學系統(tǒng)和精密部件，先進制程自給就不是空談。ASML的壟斷地位，本來靠專利和供應鏈護著，現(xiàn)在多了一道隱憂。

這條技術(shù)路走得不容易。過去幾十年，中國在光刻機上吃過太多苦頭，從早期靠進口二手設(shè)備，到后來被層層管制，只能自己悶頭干。

上海微電子2002年出90納米投影機時，大家覺得總算有個起步，可再往前走就卡殼了。國家后來把半導體當成頭等大事，資金、人才、政策全往里砸，中科院、哈工大這些單位埋頭攻關(guān)。

固態(tài)DUV這條線，從紅外光源起步，一步步往紫外推，材料、晶體、轉(zhuǎn)換效率，每關(guān)都得反復啃。哈工大在極紫外方向也攢了不少進展，兩條腿走路，慢慢把差距拉近。

這次193納米固態(tài)激光出來，很多人感慨，封鎖越狠，自研的勁頭反而越大。

現(xiàn)在看，這套光源還在實驗室優(yōu)化階段，功率要繼續(xù)往上提，頻率也得跟上，離整機集成還有好幾道坎。光學匹配、穩(wěn)定性、量產(chǎn)流程，都得一步步過。

可好消息是，國內(nèi)晶體材料和精密加工這些配套環(huán)節(jié)已經(jīng)在加速補鏈。未來如果真把功率頻率追平，成熟制程實現(xiàn)自給，先進節(jié)點也多出備選路徑。

ASML的日子恐怕真不好過了，全球半導體市場靠技術(shù)壟斷吃飯的格局，可能要被撼動。

中國這條路走得苦，每一步都踩實了，科研人員這些年守著儀器熬夜的日子，換來了今天這一束光。路還長，但至少現(xiàn)在，大家已經(jīng)能跟頂尖玩家面對面掰手腕了。