2026年首個交易日，AI芯片供應鏈股票強勢上漲，在美股大盤走勢分化的背景下成為市場焦點。臺積電美股和臺股雙雙創(chuàng)下歷史新高，三星電子韓股大漲7.2%刷新收盤紀錄，帶動整個AI板塊逆市走強。

周五（1月2日），韓國首爾綜合指數(shù)收漲2.3%，歷史上首次突破4300點大關(guān)，主要受三星電子HBM4業(yè)務獲客戶認可的消息提振。臺積電則受益于2nm制程量產(chǎn)兌現(xiàn)及AI芯片需求激增的雙重利好。與此同時，納斯達克指數(shù)當日小幅收跌，標普500指數(shù)微漲，凸顯AI相關(guān)股票的獨立行情。

除了臺積電、三星電子之外，周五多只AI相關(guān)股票錄得漲幅。Sandisk、Micron、Western Digital、Intel和Constellation Energy位列漲幅榜前列。英偉達、Broadcom等萬億美元市值科技公司也出現(xiàn)上漲。

市場對AI基礎設施投資的持續(xù)樂觀情緒推動了這波漲勢。據(jù)路透報道，英偉達正向臺積電追加H200芯片訂單。摩根士丹利指出，2026年存儲器供應正在收緊而非放松，并將DRAM和NAND價格預期分別上調(diào)62%和75%。

分析師普遍認為AI熱潮將延續(xù)至2026年。Bernstein將臺積電列為首選股，預計其2026年和2027年營收將分別增長23%和20%。德意志銀行全球宏觀研究主管Jim Reid表示，持續(xù)的全球增長、AI潛力的樂觀情緒以及央行降息，將繼續(xù)推動金融資產(chǎn)表現(xiàn)。

臺積電2nm量產(chǎn)兌現(xiàn)，訂單需求旺盛

日前，臺積電在官網(wǎng)低調(diào)宣布，其2nm制程（N2）技術(shù)已按計劃于2025年第四季度投入量產(chǎn)，標志著全球半導體行業(yè)正式邁入2nm時代。這一技術(shù)采用第一代納米片晶體管架構(gòu)，相比N3E工藝，在同等功耗下性能提升10%-15%，在同等速度下功耗降低25%-30%。

N2工藝采用了環(huán)柵（Gate-All-Around）納米片晶體管技術(shù)，突破了此前FinFET架構(gòu)在3nm節(jié)點面臨的物理極限。該技術(shù)將電流通道由豎立的"鰭"變?yōu)樗蕉询B的"納米片"，柵極可從四面完全包裹通道，大幅降低漏電并提升晶體管密度。相對于純邏輯電路設計，N2P工藝的晶體管密度比N3E提升約20%。

臺積電CEO魏哲家在十月財報會議上表示，N2進展順利且良率良好，預計2026年在智能手機和高性能計算、AI應用推動下實現(xiàn)更快產(chǎn)能爬坡。公司計劃在高雄晶圓二十二廠和新竹晶圓二十廠同步擴產(chǎn)，罕見地采取"雙線作戰(zhàn)"策略，同時服務手機芯片和AI服務器芯片兩條產(chǎn)品線。

臺積電還在推進更先進制程的布局。公司計劃于2026年下半年量產(chǎn)N2P和A16工藝，其中A16采用背面供電技術(shù)，主要針對AI和高性能計算處理器。1.4nm制程工廠的地基工程已于2025年11月動工，風險性試產(chǎn)預計2027年啟動，量產(chǎn)目標定于2028年。

同時，據(jù)路透報道，英偉達正向臺積電追加H200芯片訂單。消息人士稱，英偉達已要求臺積電開始生產(chǎn)這批額外芯片，預計工作將于2026年第二季度啟動。

三星HBM4獲客戶認可，重回競爭軌道

三星電子周五股價大漲7.2%，創(chuàng)下收盤歷史新高，主要受公司HBM4業(yè)務獲得客戶積極評價的消息提振。

據(jù)華爾街見聞此前文章指出，三星電子聯(lián)席CEO全永鉉在新年致辭中透露，公司的HBM4產(chǎn)品已展示出"差異化的競爭力"，并贏得客戶"三星回來了"的高度評價。

這一表態(tài)極大提振了投資者信心，市場預期三星正逐步縮小此前在高帶寬內(nèi)存市場與SK海力士的差距，并有望在2026年憑借下一代HBM產(chǎn)品重新進入英偉達的核心供應鏈。

此次股價大漲也得益于亞洲科技股的整體共振及行業(yè)基本面的強力支撐。周五，受壁仞科技上市表現(xiàn)及DeepSeek相關(guān)進展引發(fā)的AI投資熱潮影響，恒生科技指數(shù)一度飆升4.3%。

宏觀數(shù)據(jù)方面，韓國12月半導體出口同比激增43%，印證了三星、SK海力士在全球AI硬件繁榮中的重要性。

分析師看好AI芯片供應鏈前景

Bernstein將臺積電列為首選股，認為其在質(zhì)量、風險和估值方面具有優(yōu)勢。該行指出，在沒有有意義的挑戰(zhàn)者的情況下，臺積電是AI芯片的實際生產(chǎn)商，因此是AI增長的主要受益者之一。

Bernstein預計AI和臺積電在先進技術(shù)方面的領導地位將推動公司2026年營收增長23%，2027年增長20%。

該行還表示，更溫和的匯率環(huán)境和更好的成本控制將減輕海外生產(chǎn)的成本負擔，預計臺積電每股收益在同期將以20%的復合年增長率增長，略慢于營收增速。

此外，摩根士丹利強調(diào)，2026年存儲器市場正在收緊而非放松。該行認為制造約束與更強需求相碰撞，并將2026年DRAM平均價格預期上調(diào)62%，NAND上調(diào)75%。

受H200芯片需求激增影響，該行不再預期HBM3E平均價格下降，并大幅上調(diào)美光盈利預期，將2026年和2027年每股收益預期分別上調(diào)56%和63%。