1月5日，A股市場迎來2026年開門紅，滬指重回4000點，存儲芯片板塊大爆發(fā)，成為當(dāng)日早盤最大亮點之一。截至午盤，云漢芯城（301563.SZ）20CM漲停，雷科防務(wù)（002413.SZ）、兆易創(chuàng)新（603986.SH）等個股同步漲停，江波龍（301308.SZ）、香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）等漲幅均超10%。

消息面上，財聯(lián)社1月5日報道稱，三星聯(lián)席首席執(zhí)行官當(dāng)日表示，內(nèi)存芯片短缺"前所未有"且"極其嚴(yán)重"，并警告這將對智能手機(jī)等終端產(chǎn)品的價格產(chǎn)生“不可避免”的影響。

事實上，三星的警告并非空穴來風(fēng)。過去一年，在人工智能（AI）熱潮的強(qiáng)力驅(qū)動下，存儲芯片價格已上演“史詩級”上漲。據(jù)國金證券數(shù)據(jù)，2025年，DDR4 16Gb規(guī)格內(nèi)存價格漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅高達(dá)500%，512Gb NAND閃存漲幅高達(dá)300%。

而人工智能熱潮仍在持續(xù)發(fā)酵。國金證券預(yù)測，Google、Meta、微軟及亞馬遜AWS等北美四大云廠2026年AI基礎(chǔ)建設(shè)總投資金額有望達(dá)到6000億美元（約合4.2萬億元人民幣）的歷史新高規(guī)模。其分析，2026年全年全球存儲芯片市場仍將處于供不應(yīng)求狀態(tài)。預(yù)計DRAM的位元供應(yīng)量增幅約為15%至20%，而需求增速預(yù)計將達(dá)到20%至25%，供需缺口將持續(xù)支撐價格上漲。

中金公司研報同樣認(rèn)為，AI模型的訓(xùn)練和推理對企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）在速度、容量、耐久度等方面提出了更高要求，強(qiáng)勢打開了SSD的需求天花板。預(yù)計供給緊張局面將至少持續(xù)到2026年底，NAND價格有望維持高位。

值得注意的是，在全球存儲芯片供應(yīng)緊張的背景下，中國存儲產(chǎn)業(yè)的核心力量正在資本市場邁出關(guān)鍵一步。2025年12月30日，中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)研發(fā)設(shè)計制造一體化企業(yè)——長鑫科技的科創(chuàng)板IPO申請獲得上海證券交易所受理，擬募集資金高達(dá)295億元。

此外，在基礎(chǔ)研究層面，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)巨頭已開始“懸賞”攻關(guān)。2025年12月26日，華為宣布啟動第六屆“奧林帕斯獎”全球征集，設(shè)立總額300萬元的獎金池，聚焦解決AI時代數(shù)據(jù)存儲面臨的算力開銷大、存儲成本激增等根本性難題。該獎項旨在鼓勵全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論研究，自2019年設(shè)立以來，已吸引全球超過320名學(xué)者參與。

中信建投證券電子首席分析師劉雙鋒認(rèn)為，在數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、存儲芯片供應(yīng)持續(xù)趨緊，價格大幅上漲的背景下，美光交出一份明顯強(qiáng)于預(yù)期的FY26Q1財報，并給出強(qiáng)勁的第二財季指引。預(yù)計存儲芯片供應(yīng)短缺將在2026年持續(xù)并維持更久，美光為代表的存儲IDM廠商將大為受益。

招商證券最新研報則表示，長鑫IPO募投拉動產(chǎn)能升級，受益于國內(nèi)存儲原廠擴(kuò)產(chǎn)，關(guān)注卡位良好及份額較高的存儲設(shè)備。設(shè)備公司正處于景氣上行周期，訂單持續(xù)向好，同時頭部公司不斷放量，國產(chǎn)化率持續(xù)提升。展望2026-2027年，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場空間持續(xù)增長，國內(nèi)設(shè)備技術(shù)水平持續(xù)突破，國產(chǎn)化率迎來1-N階段大規(guī)模提升，伴隨下游先進(jìn)存儲持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，卡位良好及份額較高的存儲設(shè)備公司有望充分受益。

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