每一片分配給英偉達GPU的高帶寬存儲器（HBM）硅片，都意味著一部智能手機的LPDDR5X內存將失去對應產能。當下，全球科技產業(yè)正站在關鍵的岔路口，一場始于AI基礎設施的“內存饑渴”，已迅速蔓延為席卷整個半導體生態(tài)的風暴，而其沖擊波正清晰抵達普通消費者的日常。

那么，在AI需求爆發(fā)、供需格局重塑、國產替代加速的當下，國產存儲廠商能否抓住這一歷史性機遇、破局產業(yè)困境？

01

短缺核心：AI驅動的“零和博弈”

此次內存危機的根源，在于需求性質的轉變與供給側的主動調整。當前的短缺已非單純由供需錯配引發(fā)的周期性波動，而是全球硅片產能向高附加值領域的一次戰(zhàn)略性、且可能是永久性的重新分配。

長期以來，智能手機和個人電腦所使用的DRAM與NAND一直是半導體產能擴張的核心驅動力。然而，這一格局正在發(fā)生逆轉。如今，以微軟、谷歌、Meta、亞馬遜等科技巨頭為首的AI軍備競賽，催生了對HBM及DDR5等專用、高附加值內存的海量需求。這迫使三星半導體、SK 海力士、美光科技三大內存制造商將有限的產能和資本支出，大幅轉向利潤率更高的企業(yè)級組件。

這實質上是一場“零和博弈”：每一片分配給英偉達GPU的HBM硅片，都意味著智能手機的LPDDR5X內存或筆記本電腦的SSD將失去對應產能。而當下，AI服務器的單系統(tǒng)內存需求量呈指數(shù)級增長，其利潤率也遠高于消費級產品。因此，主要的芯片制造商正將更多產能轉向生產HBM和DDR5，導致消費電子的內存產品供應銳減。

這一結構性轉變的直接后果，是用于智能手機與PC的通用內存模塊供應受到嚴重擠壓，進而推動全品類內存價格自2025年末起大幅上漲，此外，產業(yè)鏈庫存周期見底，上游囤貨和下游恐慌性采購等行為都在加劇存儲持續(xù)漲價。IDC預測，2026年DRAM和NAND的供應增速將低于歷史平均水平，同比僅分別增長16%和17%。

02

連鎖反應：智能手機與PC市場被迫漲價

這種結構性的產能轉移，正通過供應鏈的層層傳導，重塑兩大核心消費電子市場的產品邏輯與定價策略。

對于智能手機市場，過去十年“高端配置平民化”的趨勢正在逆轉。智能手機的成本結構高度依賴內存配置：中端機型的內存成本占BOM成本的15%~20%，高端旗艦機型則約為10%~15%。隨著內存價格持續(xù)飆升，廠商或許不得不大幅提價、降低新機內存配置，或兩者兼施。

手機市場格局也將出現(xiàn)分化：主打性價比、利潤空間本就微薄的中低端品牌將承受巨大壓力，很可能被迫將成本轉嫁給消費者；而蘋果和三星等雖面臨壓力，但具備結構性對沖優(yōu)勢，充足的現(xiàn)金儲備和長期供應協(xié)議使其能提前12~24個月鎖定內存供應。不過，2026年新旗艦機型可能不會升級內存配置，且舊機型的降價幅度也可能縮小。

對于PC市場，情況則更為嚴峻。內存短缺、成本高企的時間點，恰好與微軟Windows 10終止支持引發(fā)的換機潮、行業(yè)力推AI PC的關鍵窗口期疊加，對PC行業(yè)造成顛覆性沖擊。首先，全面漲價已成定局。聯(lián)想、戴爾、惠普等廠商已紛紛預警，行業(yè)將迎來15%~20%的普遍提價。其次，市場份額加速集中。出貨量較大的PC廠商憑借供應鏈優(yōu)勢和議價能力，有望從中小型區(qū)域品牌及白牌廠商手中搶占更多市場份額。

更為關鍵的是，AI PC的增長可能因此受阻。AI PC通常需要至少16GB甚至32GB的大內存，以運行本地化AI模型。然而，就在市場急需增加內存配置的節(jié)點，內存卻變得既短缺又昂貴。這可能導致AI PC價格高不可攀，或在推廣初期被迫降低內存配置，從而削弱其體驗和吸引力。

展望2026年，IDC提出了兩種下行風險情景：在中度下行場景中，2026年智能手機和PC市場規(guī)模預計分別下降2.9%和4.9%，均價上漲3%~5%和4%~6%；在悲觀下行場景中，降幅可能擴大至5.2%和8.9%，漲價幅度也可能更高。這場供應驅動的內存漲價潮，至少可能持續(xù)到2027年。

03

國產機遇：技術迭代與產能爬坡并重

在全球內存巨頭聚焦高端、產能戰(zhàn)略轉向之際，一個歷史性的機遇窗口正向中國存儲廠商敞開。隨著AI需求的爆發(fā)、供需格局的深刻調整，國產存儲芯片正從“能用”向“好用”“敢用”轉變，有望在本輪漲價周期中搶占更多市場份額。

當前，市場已顯現(xiàn)積極信號。傳音、小米、OPPO、vivo等手機品牌，在新機型中嘗試采用國產存儲芯片；聯(lián)想、華為等PC廠商也紛紛在新品中搭載長江存儲的SSD和長鑫存儲的DRAM。國內存儲產業(yè)鏈也積極把握機遇拓展市場。

國產存儲廠商加快技術突破與擴產提速。長江存儲已突破192層及以上堆疊技術，并在300、420層等產品加快研發(fā)，同時其武漢第三工廠預計2027年投產，規(guī)劃月產能15萬片，設備國產化率目標達50%。長鑫存儲全面布局DRAM晶圓、DRAM 芯片、DRAM模組等多元化產品方案，其新品DDR5的速率達8000Mbps，性能比肩國際領先水平，同時還啟動了高端產品量產計劃，2026年設備采購中，國產設備占比將從15%提升至35%。

國內設備廠商在薄膜沉積、刻蝕、測試等環(huán)節(jié)不斷突破，為存儲廠商把握機遇提供了堅實支撐。中微公司60∶1超高深寬比介質刻蝕設備成為國內3D NAND產線標配，下一代90∶1設備即將量產，技術參數(shù)對標應用材料同類產品；北方華創(chuàng)LPCVD設備在長江存儲232層NAND產線實現(xiàn)量產，覆蓋率達30%；拓荊科技ALD設備進入長鑫存儲19nm DDR5產線，替代東京電子設備。

不過，機遇與挑戰(zhàn)并存。國產存儲廠商需警惕周期風險，避免盲目擴張。半導體行業(yè)固有的“繁榮-蕭條”周期依然存在，當前因AI需求激增導致的產能緊張，未來可能隨著技術迭代或需求變化而緩解，國產廠商的擴產策略需平衡短期市場機會與長期技術布局。同時，也應持續(xù)加大HBM和DRAM的研發(fā)投入，加速向高端產品線進軍，進一步提升核心競爭力。

04

小結

這場由AI掀起的全球內存變局，標志著半導體行業(yè)數(shù)十年發(fā)展邏輯的一次深刻轉折。消費電子市場正從需求驅動的增長模式，被迫進入一個由供應約束主導的“成本高企、增長放緩”的調整期。

對于終端用戶，這意味著我們將迎來一個為硬件支付更高溢價的時代，換機周期可能被迫延長。對于整個產業(yè)鏈，這是一場關于供應鏈韌性、技術路線和戰(zhàn)略定力的大考。

中國存儲產業(yè)則正迎來一個證明自身不可或缺性的關鍵節(jié)點。它需要的不僅是產能的填補，更是抓住時間窗口，完成從“跟跑”到“并跑”乃至在部分領域“領跑”的關鍵一躍。

責編/版式：朱文鳳

審校：梅雅鑫 王 濤

監(jiān)制：劉啟誠

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編輯｜梅雅鑫 孫天 朱文鳳

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