花旗警告，2026年全球?qū)⒚媾R存儲芯片的“嚴(yán)重供應(yīng)短缺”。

據(jù)追風(fēng)交易臺信息，花旗在其最新的展望中，展現(xiàn)了比野村證券更為激進的看漲姿態(tài)。分析師認(rèn)為，受AI Agent（人工智能代理）普及和AI CPU內(nèi)存需求激增的驅(qū)動，存儲芯片價格將在2026年出現(xiàn)失控式上漲。分析師將2026年DRAM的平均售價（ASP）漲幅預(yù)期從原本的53%暴力上調(diào)至88%，NAND的漲幅預(yù)期從44%上調(diào)至74%。

定價權(quán)完全向賣方傾斜

花旗研究團隊在最新報告中明確指出，預(yù)計2026年商品存儲器市場將出現(xiàn)“嚴(yán)重的供應(yīng)短缺”。這種短缺并非暫時性的供應(yīng)鏈擾動，而是由結(jié)構(gòu)性數(shù)據(jù)增長驅(qū)動的?；ㄆ鞂?026年DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的平均售價（ASP）同比增速預(yù)期從之前的+53%大幅上調(diào)至+88%。

更令人震驚的是服務(wù)器DRAM的數(shù)據(jù)。

花旗預(yù)計，受AI訓(xùn)練和推理需求的雙重推動，2026年服務(wù)器DRAM的ASP將同比暴漲144%（此前預(yù)測為+91%）。以主流產(chǎn)品64GB DDR5 RDIMM為例，花旗預(yù)測其價格將在2026年第一季度達到620美元，環(huán)比增長38%，遠高于此前預(yù)測的518美元。

在NAND（閃存）領(lǐng)域，花旗同樣不手軟，將2026年的ASP增長預(yù)期從+44%上調(diào)至+74%。其中，企業(yè)級SSD的ASP預(yù)計將同比增長87%。在分析師看來，市場將進入一個極其劇烈的賣方市場，定價權(quán)將完全掌握在三星等存儲巨頭手中。

基于上述激進的價格預(yù)測，花旗對三星電子（Samsung Electronics）的盈利前景進行了大幅修正?；ㄆ祛A(yù)計，受惠于極其有利的定價環(huán)境，三星電子2026年的營業(yè)利潤（OP）將飆升至155萬億韓元，同比激增253%。

這一數(shù)字遠高于花旗此前預(yù)測的115萬億韓元?；ㄆ煺J(rèn)為，隨著DRAM和NAND價格的飆升，三星的盈利能力將展現(xiàn)出極強的彈性。為此，花旗將三星電子的目標(biāo)價從17萬韓元直接上調(diào)至20萬韓元。

野村的“超級周期”與花旗的“極端短缺”

此前野村在其報告中提出了“三重超級周期”（DRAM、NAND、HBM）的概念，預(yù)測2026年全球存儲市場規(guī)模將增長98%至4450億美元。

然而，在價格漲幅的具體判斷上，兩家機構(gòu)出現(xiàn)了巨大的分歧。

野村預(yù)測2026年DRAM價格上漲46%，NAND價格上漲65%。雖然這已經(jīng)是非?？捎^的漲幅，但花旗的DRAM漲幅預(yù)測（88%）幾乎是野村的兩倍。

分歧的核心在于對需求的理解深度不同。

野村強調(diào)的是AI服務(wù)器與通用服務(wù)器的“雙重共振”以及HBM4的產(chǎn)能爬坡；而花旗則進一步強調(diào)了“AI代理”（AI Agents）帶來的增量數(shù)據(jù)生成，認(rèn)為這將導(dǎo)致數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，從而對通用服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)生比預(yù)期更陡峭的價格拉升。

潔凈室短缺成為長期瓶頸

為何價格會如此失控？除了需求的爆發(fā)，供應(yīng)端的物理限制是另一大關(guān)鍵因素。

野村證券在報告中敏銳地指出，全球存儲行業(yè)的供應(yīng)擴張受到了“潔凈室”（cleanroom）可用性不足的嚴(yán)重制約。

野村強調(diào)，即便廠商現(xiàn)在決定擴產(chǎn)，由于潔凈室的短缺，2027年中期之前供應(yīng)端的實質(zhì)性擴張將非常有限。此外，技術(shù)遷移（如向1C納米制程過渡）實際上會導(dǎo)致晶圓產(chǎn)能減少10%至15%，且初期良率較低。這意味著，面對花旗所預(yù)期的AI數(shù)據(jù)爆發(fā)，供給側(cè)幾乎沒有快速響應(yīng)的能力。這種供需錯配正是花旗敢于給出DRAM價格翻倍式上漲預(yù)測的根本邏輯。