01 產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

　　02 存儲芯片兩大概念

　　02-1、DRAM 概述

　　DRAM 是計算芯片的 “臨時工作臺”—— 屬于斷電后數(shù)據(jù)會消失的易失性存儲，能直接對接 CPU、GPU 等核心計算芯片，專門存放每秒數(shù)十億次運算中產(chǎn)生的臨時數(shù)據(jù)，相當(dāng)于計算過程中 “隨取隨用的快捷緩存”。

　　DRAM 芯片的結(jié)構(gòu)可拆解為三個核心部分，如同一個高效運轉(zhuǎn)的 “數(shù)據(jù)存儲工坊”：

　　市場規(guī)模

　　TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球 DRAM 市場規(guī)模達(dá)到 958.63 億美元，同比增幅高達(dá) 84.83%，如同沉寂已久的存儲賽道按下 “加速鍵”，迎來強勢回暖。

　　競爭格局及標(biāo)的

　　全球 DRAM 市場呈現(xiàn)典型的寡頭壟斷格局。據(jù) DRAMeXchange 與 TrendForce 數(shù)據(jù)，2024 年 SK Hynix、三星、美光三家企業(yè)合計拿下 97.49% 的市場份額，如同三足鼎立的巨頭聯(lián)盟，幾乎包攬了整個賽道的話語權(quán)。

　　全球存儲廠商在 DRAM 賽道全力提速，技術(shù)迭代按下快進(jìn)鍵：三星量產(chǎn)第六代 10nm 級 1c DRAM，同步交付 HBM4 樣品并鎖定 2026 年量產(chǎn)，如同賽道上的技術(shù)標(biāo)桿；美光推出全球首款 1γ 節(jié)點 LPDDR5X 內(nèi)存樣品，成為旗艦機 AI 應(yīng)用的性能基石；

　　國內(nèi)陣營同樣亮眼，長鑫存儲發(fā)布通過 JEDEC 認(rèn)證的 DDR5（最高 8000Mbps）與 LPDDR5X 移動端內(nèi)存（最高 10667Mbps），撐起消費電子與服務(wù)器市場的升級骨架；華邦電子的 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM，則是適配工業(yè)與嵌入式領(lǐng)域的耐用拼圖。

　　發(fā)展方向-HBM

　　AI 發(fā)展帶動芯片行業(yè)擴容，大模型計算量激增，傳統(tǒng)帶寬與占 GPU 面積 60% 的緩存存儲結(jié)構(gòu)，成為制約 GPU 性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。

　　HBM 作為基于3D 堆疊與硅通孔（TSV）技術(shù)的高性能 DRAM，憑借高帶寬、低延遲特性減少傳輸損耗，破解芯片性能桎梏。

　　全球 HBM 市場增長迅猛，據(jù) Market Research Future 數(shù)據(jù)，2024 年市場規(guī)模 56.1 億美元，預(yù)計 2034 年達(dá) 570.9 億美元，2024-2034 年復(fù)合增長率 26.1%，是存儲賽道增長黑馬。

　　該領(lǐng)域技術(shù)門檻高，僅 SK hynix、三星、美光三家具備穩(wěn)定量產(chǎn)能力。其中 SK hynix 優(yōu)勢突出，率先推出 HBM3E 并推進(jìn) HBM4 研發(fā)；Counterpoint 數(shù)據(jù)顯示，2025Q2 其以 62% 份額領(lǐng)跑，美光、三星分占 21%、17%。

　　2023-2025 年，HBM 在 DRAM 市場的滲透率爬坡提速：2023 年產(chǎn)量、營收占比僅為 2%、8%；2025 年預(yù)計躍升至 10%、30%。

　　02-2、存儲：NAND Flash

　　NAND Flash 是主打數(shù)據(jù)存儲的非易失性存儲器，依靠電荷的存儲與釋放完成數(shù)據(jù)讀寫。不同于 DRAM、SRAM 這類 “臨時記事本”，它斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，同時兼具大容量、低成本的核心優(yōu)勢。

　　數(shù)據(jù)顯示，2023-2024 年全球 NAND Flash 市場規(guī)模分別達(dá) 387.3 億美元、656.4 億美元，賽道擴容趨勢明確。

　　2024 年市場份額高度集中，前五企業(yè)如同劃定行業(yè)版圖的核心玩家：三星以 35.7% 的份額領(lǐng)跑，SK Group、鎧俠、美光、閃迪依次以 21.3%、14.4%、12.9%、11.0% 的占比緊隨其后，共同瓜分市場主流份額。

　　國內(nèi)外企業(yè)在 NAND Flash 賽道全力沖刺，技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新接連突破。

　　國外陣營中，三星 2024 年量產(chǎn)全球首款 1Tb V-NAND Flash，同年完成 400 層產(chǎn)品開發(fā)并計劃 2025 年量產(chǎn)；SK 海力士 2025 年量產(chǎn) 321 層 2Tb QLC NAND Flash，實現(xiàn)傳輸速度翻倍、讀寫性能與能效大幅躍升。

　　國產(chǎn)廠商長江存儲、江波龍、佰維存儲聚焦技術(shù)架構(gòu)、細(xì)分場景與核心環(huán)節(jié)，加速實現(xiàn)國產(chǎn) NAND Flash 突圍。

　　03 國際龍頭公司

　　03-1、Micron（美光）

　　美光是全球存儲芯片賽道的老牌勁旅，1978 年創(chuàng)立于美國，始終聚焦存儲主業(yè)，產(chǎn)品矩陣覆蓋 DRAM、NAND Flash、NOR 內(nèi)存三大品類，如同為數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車等多領(lǐng)域搭建數(shù)據(jù)存儲的核心骨架。

　　2025 年公司營收表現(xiàn)亮眼，實現(xiàn)營業(yè)收入 373.78 億美元，同比增幅達(dá) 48.85%，2020-2025 年復(fù)合增長率穩(wěn)定在 11.76%；盈利能力同步躍升，毛利率攀升至 39.79%，較上一年大幅提升 17.44 個百分點。

　　2024 年美光營收主力：計算機互聯(lián)網(wǎng)（95.1 億，37.9%）、移動業(yè)務(wù)（63.5 億，25.3%）。

　　2025 年聚焦存儲場景：云存儲（135.2 億，36.2%）成營收主力，移動與客戶端（118.6 億，31.7%）、數(shù)據(jù)中心（19.3%）、汽車及嵌入式（12.7%）同步增長。

　　美光錨定 AI 行業(yè)巨頭，搭建定制化供應(yīng)橋梁。其 HBM3E 全面適配 NVIDIA Hopper、Blackwell 系列 GPU；同時聯(lián)合 NVIDIA 推出全球首款 SOCAMM 內(nèi)存模組，這款模塊化 LPDDR5X 解決方案，專為 NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra 超級芯片量身打造。

　　此外，美光宣布終止 Crucial 品牌業(yè)務(wù)，計劃2026 年 2 月底前全面停售消費級內(nèi)存及 SSD 產(chǎn)品，將釋放的產(chǎn)能與資源悉數(shù)投向 AI 數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級市場等高利潤領(lǐng)域，進(jìn)一步夯實高端存儲賽道的核心競爭力。

　　03-2、SK 海力士

　　SK 海力士是全球頂尖半導(dǎo)體存儲供應(yīng)商，核心產(chǎn)品覆蓋 DRAM、NAND Flash、HBM 等品類。公司掌握領(lǐng)先 3D NAND 堆疊工藝，旗下 HBM3e 等產(chǎn)品是 AI GPU 的存儲核心，支撐生成式 AI 高算力需求，方案廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

　　2024 年公司營收 454.71 億美元，同比大增 102.02%，2020-2024 年復(fù)合增長率 11.59%；毛利率躍升至 48.08%，較上年提升 49.71 個百分點。

　　最新進(jìn)展

　　SK 海力士 HBM 布局清晰：2026-2028 推 16 層 HBM4，HBM4E 起供定制化方案（整合 GPU/ASIC 功能，提算力降功耗）；2029-2031 進(jìn) HBM5 時代。

　　當(dāng)前 12 層 HBM4 樣品帶寬達(dá) 2TB/s（較前代增 60%+），2025 下半年備量產(chǎn)；公司握超 50% HBM 份額，是 NVIDIA AI GPU 的 HBM3/HBM3E 獨家供應(yīng)商。

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　　04 【存儲芯片】核心龍頭

　　1、江波龍

　　公司亮點：核心優(yōu)勢是全產(chǎn)品線與全球化布局融合，構(gòu)建四大產(chǎn)品矩陣，適配消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等場景。2024年營收174.6億元（同比增72.5%），境外營收占比超70%，全球化渠道成效顯著。

　　未來布局發(fā)力高價值賽道：加速PCIe Gen 5.0 eSSD布局，拓展云計算領(lǐng)域；投資多地工廠強化封測能力，深耕三大品牌提升全球客戶忠誠度，形成“產(chǎn)品+渠道+品牌”競爭力。

　　2、兆易創(chuàng)新

　　公司亮點：國內(nèi)NOR Flash龍頭，全球市占率前三，產(chǎn)品線涵蓋NOR/NAND Flash及32位MCU。其“存儲+MCU”協(xié)同模式適配IoT、汽車電子等高增長場景，工藝節(jié)點已推進(jìn)至55nm，并在車規(guī)級產(chǎn)品獲ASIL-D認(rèn)證。

　　未來布局：加速50nm以下NOR Flash量產(chǎn)，拓展1Gb以上大容量產(chǎn)品；深化與合肥長鑫合作，布局自主制程DRAM（如17nm LPDDR4）；投資合肥代工產(chǎn)能，提升車規(guī)級存儲份額，構(gòu)建“設(shè)計+生態(tài)+供應(yīng)鏈”國產(chǎn)化閉環(huán)。

　　3、北京君正

　　公司亮點：通過收購ISSI成為國內(nèi)車載存儲領(lǐng)軍者，擁有完整的車規(guī)級DRAM/SRAM/Flash產(chǎn)品線。其芯片符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，在智能座艙、ADAS領(lǐng)域具先發(fā)優(yōu)勢。

　　未來布局：研發(fā)LPDDR5、GDDR6等高帶寬車用DRAM，推進(jìn)北京與合肥測試中心建設(shè)；整合CPU與存儲技術(shù)，發(fā)力座艙SoC與存儲融合方案；拓展工業(yè)控制、AI邊緣計算市場，提升全球車規(guī)供應(yīng)鏈滲透率。

　　4、長江存儲（未上市）

　　公司亮點：作為國產(chǎn)3D NAND領(lǐng)軍者，核心優(yōu)勢是自主技術(shù)與全產(chǎn)業(yè)鏈布局。獨創(chuàng)晶棧?Xtacking架構(gòu)，以雙晶圓鍵合實現(xiàn)工藝解耦，構(gòu)建技術(shù)壁壘。其3D NAND堆疊層數(shù)突破200層，2025年量產(chǎn)267層產(chǎn)品（單顆1TB），技術(shù)比肩國際巨頭。

　　未來布局：布局聚焦全鏈條：以207.2億元注冊資本推進(jìn)三期項目擴產(chǎn)，夯實制造優(yōu)勢；產(chǎn)品覆蓋晶圓至SSD全系列，適配消費電子、數(shù)據(jù)中心等多元需求，加速國產(chǎn)替代。

　　5、長鑫存儲（未上市）

　　公司亮點：深耕DRAM賽道，核心優(yōu)勢是技術(shù)迭代與產(chǎn)能規(guī)模化雙突破。作為國內(nèi)少數(shù)量產(chǎn)DDR5、LPDDR5X的企業(yè)，DDR5速率達(dá)8000Mbps，LPDDR5X突破10667Mbps（功耗降20%-30%），達(dá)國際主流水平。2019-2024年產(chǎn)能從2萬片/月升至20萬片/月，復(fù)合增長率58.5%。

　　未來布局：布局聚焦兩點：推進(jìn)產(chǎn)品向高代際迭代，覆蓋移動終端、PC等場景；加碼北京、合肥基地建設(shè)，擴建產(chǎn)線提升產(chǎn)能天花板，鞏固國內(nèi)DRAM核心地位。