1 月 15 日，國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《Science》以重磅研究論文形式，刊發(fā)了一項(xiàng)足以改變光電子產(chǎn)業(yè)格局的革命性成果：由首爾國(guó)立大學(xué)、劍橋大學(xué)、帝國(guó)理工學(xué)院等全球 20 余所頂尖機(jī)構(gòu)聯(lián)合組成的科研團(tuán)隊(duì)，成功研發(fā)出層級(jí)殼（Hierarchical Shell, HS）穩(wěn)定化技術(shù)。該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦納米晶體（PeNCs）在固態(tài)薄膜中近 100% 的光致發(fā)光量子產(chǎn)率（PLQY），同時(shí)攻克了該材料長(zhǎng)期面臨的光、熱、濕度穩(wěn)定性難題，徹底打破了高效發(fā)光與商用壽命不可兼得的行業(yè)困局，為下一代顯示、照明、生物光電子等領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)與商業(yè)化應(yīng)用鋪平了道路。

圖1. 一種層級(jí)殼可實(shí)現(xiàn)晶格界面互鎖，將膠體鈣鈦礦納米晶轉(zhuǎn)化為具備商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的固態(tài)發(fā)光體

百年技術(shù)瓶頸與鈣鈦礦的“甜蜜煩惱”

發(fā)光材料作為現(xiàn)代科技的核心基礎(chǔ)，廣泛支撐著顯示面板、固態(tài)照明、生物傳感、光學(xué)通信等關(guān)鍵領(lǐng)域的發(fā)展。理想的固態(tài)發(fā)光體必須同時(shí)具備強(qiáng)吸收能力與高量子產(chǎn)率，才能最大化光轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而降低能源消耗。然而，一個(gè)困擾全球科研界和產(chǎn)業(yè)界近百年的技術(shù)瓶頸始終存在：當(dāng)發(fā)光材料集成到致密固態(tài)薄膜中時(shí)，濃度猝滅效應(yīng)與自吸收現(xiàn)象會(huì)不可避免地導(dǎo)致量子產(chǎn)率大幅下降，使得幾乎所有已知固態(tài)發(fā)光體的外量子產(chǎn)率始終難以突破65%。

鈣鈦礦納米晶體（PeNCs）的發(fā)現(xiàn)曾為行業(yè)帶來(lái)曙光。這類材料憑借超高吸收系數(shù)、優(yōu)異的色純度和溶液狀態(tài)下超過(guò) 95% 的光致發(fā)光量子產(chǎn)率，被公認(rèn)為最具潛力的下一代光轉(zhuǎn)換材料。從理論上講，鈣鈦礦納米晶體有望突破傳統(tǒng)發(fā)光材料的性能上限，實(shí)現(xiàn)更高的光轉(zhuǎn)換效率和更廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。然而，鈣鈦礦固有的軟離子晶格結(jié)構(gòu)與不穩(wěn)定表面，使其極易受光、熱、濕度等環(huán)境因素影響，發(fā)生晶格膨脹、離子遷移、表面氧化等一系列降解反應(yīng)，導(dǎo)致量子產(chǎn)率急劇衰減，使用壽命大幅縮短。

研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)深入研究首次揭示了鈣鈦礦納米晶體的核心降解機(jī)制：其劣化過(guò)程遵循 “晶格 - 界面互聯(lián)路徑”—— 光或熱誘導(dǎo)的晶格膨脹會(huì)削弱離子鍵合力，加速離子遷移，進(jìn)而引發(fā)表面氧化和水合反應(yīng)；而表面化學(xué)反應(yīng)又會(huì)進(jìn)一步破壞晶格結(jié)構(gòu)，形成惡性循環(huán)。這一發(fā)現(xiàn)表明，傳統(tǒng)的穩(wěn)定化策略如聚合物封裝、氧化物殼層包覆、配體交聯(lián)等，僅能作為被動(dòng)屏障阻擋水分和氧氣侵入，無(wú)法從根本上抑制晶格膨脹與離子遷移，自然難以同時(shí)滿足高量子產(chǎn)率與商用穩(wěn)定性的雙重要求。

更具挑戰(zhàn)性的是，鈣鈦礦納米晶體的組成極具多樣性，包括全無(wú)機(jī)、有機(jī) - 無(wú)機(jī)雜化、混合鹵化物、混合陽(yáng)離子等體系，不同體系的降解路徑差異顯著。例如，有機(jī) - 無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦雖能實(shí)現(xiàn)符合 ITU-R BT.2020 標(biāo)準(zhǔn)的純綠光發(fā)射，卻對(duì)濕度和熱量極為敏感；碘化物富集型鈣鈦礦則易發(fā)生氧化和相分離；混合鹵化物鈣鈦礦在光照下容易出現(xiàn)相分離現(xiàn)象。這些特性使得單一穩(wěn)定化方案難以通用，進(jìn)一步制約了鈣鈦礦技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。長(zhǎng)期以來(lái)，鈣鈦礦納米晶體始終停留在實(shí)驗(yàn)室階段，無(wú)法真正走向市場(chǎng)應(yīng)用，成為行業(yè)內(nèi) “看得見(jiàn)、用不上” 的“甜蜜煩惱”。

此外，商用化應(yīng)用還對(duì)發(fā)光材料提出了諸多嚴(yán)苛要求：需滿足在 60℃、90% 相對(duì)濕度條件下，光致發(fā)光量子產(chǎn)率下降 10% 的時(shí)間（T??）超過(guò) 1000 小時(shí)，在連續(xù)藍(lán)光照射下 T??超過(guò) 10000 小時(shí)；同時(shí)需具備良好的組成兼容性、加工性能和生物安全性。這些要求共同構(gòu)成了鈣鈦礦納米晶體商業(yè)化的多重門檻，亟待顛覆性技術(shù)突破。

圖2. 層級(jí)殼結(jié)構(gòu)對(duì)鈣鈦礦晶格的限制作用

層級(jí)殼結(jié)構(gòu)構(gòu)建“晶格 - 界面互鎖”防護(hù)體系

針對(duì)鈣鈦礦納米晶體的固有缺陷，首爾國(guó)立大學(xué) Tae-Woo Lee 教授團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地提出 “晶格 - 界面互鎖” 穩(wěn)定化策略，通過(guò)設(shè)計(jì)獨(dú)特的層級(jí)殼（HS）結(jié)構(gòu)，從根本上阻斷了 “晶格 - 界面互聯(lián)降解路徑”，實(shí)現(xiàn)了高效發(fā)光與長(zhǎng)期穩(wěn)定的統(tǒng)一。這一技術(shù)突破的核心在于從被動(dòng)防護(hù)轉(zhuǎn)向主動(dòng)調(diào)控，通過(guò)多層級(jí)、化學(xué)鍵合的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，同時(shí)鎖定晶格與穩(wěn)定表面。

（一）三維互鎖結(jié)構(gòu)：多層協(xié)同打造穩(wěn)定“鎧甲”

層級(jí)殼結(jié)構(gòu)由相互鍵合的 PbSO?內(nèi)層、SiO?中間層和硅氧烷聚合物外層構(gòu)成，形成一個(gè)一體化的晶格 - 界面互鎖網(wǎng)絡(luò)，每層均承擔(dān)著關(guān)鍵且不可替代的作用，層層遞進(jìn)、協(xié)同防護(hù)：

PbSO?內(nèi)層：具有超高晶格能，能夠直接與鈣鈦礦核心晶格形成強(qiáng)化學(xué)鍵合，有效鎖定表面離子、鈍化表面陷阱態(tài)，從源頭抑制離子遷移和缺陷形成。這一層的設(shè)計(jì)直擊鈣鈦礦晶格軟化的核心問(wèn)題，為整個(gè)結(jié)構(gòu)提供基礎(chǔ)穩(wěn)定性；

SiO?中間層：通過(guò)APTES與PbSO?內(nèi)層形成化學(xué)耦合，不僅強(qiáng)化了內(nèi)層與鈣鈦礦核心的結(jié)合力，還構(gòu)建起一道致密的物理屏障，阻擋外界水分、氧氣與核心材料接觸，同時(shí)進(jìn)一步限制晶格膨脹；

硅氧烷聚合物外層：通過(guò)Si-O共價(jià)鍵與SiO?中間層緊密連接，確保鈣鈦礦納米晶體在硅氧烷樹(shù)脂中均勻分散，避免團(tuán)聚導(dǎo)致的濃度猝滅，同時(shí)提供額外的空間限制和環(huán)境屏蔽，進(jìn)一步提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和加工性能。

這種三層結(jié)構(gòu)并非簡(jiǎn)單的疊加，而是通過(guò)化學(xué)鍵合形成的統(tǒng)一穩(wěn)定體系，能夠同時(shí)調(diào)控晶格動(dòng)力學(xué)與表面化學(xué)性質(zhì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)鈣鈦礦納米晶體的全方位、主動(dòng)式保護(hù)，徹底區(qū)別于傳統(tǒng)被動(dòng)防護(hù)策略。

（二）精準(zhǔn)可控工藝：規(guī)模化生產(chǎn)的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

為實(shí)現(xiàn)層級(jí)殼結(jié)構(gòu)的均勻制備與批量生產(chǎn)，研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一套精準(zhǔn)可控的多步驟制備工藝，確保產(chǎn)品的一致性與可重復(fù)性：

表面重構(gòu)與內(nèi)層形成：通過(guò)定制合成的(APTES)2SO4試劑，對(duì)鈣鈦礦納米晶體核心進(jìn)行表面處理。該試劑能在 2 分鐘內(nèi)選擇性刻蝕表面 CsBr，形成富 Pb2?終端，進(jìn)而原位生成厚度僅 0.2 nm 的 PbSO?單層膜。這一過(guò)程既能實(shí)現(xiàn)高效表面鈍化，使鈣鈦礦溶液的量子產(chǎn)率從 46% 提升至 99%，又能避免晶格應(yīng)變，保障核心光學(xué)性能；

中間層沉積：在甲苯溶劑中，通過(guò)TMOS的可控水解反應(yīng)，在PbSO?內(nèi)層表面形成厚度約 2.5nm 的 SiO?薄膜。該薄膜與APTES形成共價(jià)橋接，進(jìn)一步強(qiáng)化界面結(jié)合力，同時(shí)保持鈣鈦礦核心的光學(xué)與結(jié)構(gòu)完整性；

外層聚合與薄膜成型：將包覆PbSO?-SiO?雙層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦納米晶體與硅氧烷前驅(qū)體混合，通過(guò)原位聚合反應(yīng)形成硅氧烷聚合物外層。最終形成的層級(jí)殼 - 鈣鈦礦復(fù)合材料可通過(guò)棒涂、卷對(duì)卷印刷等工藝制備成均勻薄膜，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

該制備工藝具有極高的批量重復(fù)性，10個(gè)連續(xù)批次的HS-MAPbBr?薄膜均能穩(wěn)定超過(guò)商用老化基準(zhǔn)，且材料總產(chǎn)率可達(dá)75%—— 其中PbSO?/SiO?沉積過(guò)程的產(chǎn)率接近100%，僅在后續(xù)聚合過(guò)程中因前驅(qū)體附著產(chǎn)生約25%的損耗，為后續(xù)工業(yè)化生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。更重要的是，該技術(shù)具有廣泛的組成兼容性，可適用于全無(wú)機(jī)、有機(jī) - 無(wú)機(jī)雜化、混合鹵化物、純碘化物和混合陽(yáng)離子等各類鈣鈦礦納米晶體體系。

圖3. 層級(jí)殼結(jié)構(gòu)修飾型鈣鈦礦納米晶體的老化穩(wěn)定性

（三）核心作用機(jī)制：從源頭阻斷降解循環(huán)

通過(guò)GIWAXS、DFT計(jì)算、XPS等先進(jìn)表征技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)清晰揭示了層級(jí)殼結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定化機(jī)制：

晶格鎖定效應(yīng)：在光照射或加熱條件下，未修飾的鈣鈦礦納米晶體會(huì)發(fā)生明顯晶格膨脹，產(chǎn)生拉伸應(yīng)變，削弱離子鍵合力并導(dǎo)致晶格軟化；而層級(jí)殼修飾后的鈣鈦礦納米晶體熱膨脹系數(shù)大幅降低，有效鎖定了晶體結(jié)構(gòu)；

界面穩(wěn)定作用：DFT計(jì)算表明，僅0.1%的晶格膨脹就會(huì)顯著增強(qiáng)H?O和O?分子在鈣鈦礦表面的吸附能力，并降低Br?離子的遷移勢(shì)壘，加速表面水解和氧化反應(yīng)；層級(jí)殼通過(guò)抑制晶格膨脹，從源頭阻斷了這一連鎖反應(yīng)；

動(dòng)力學(xué)調(diào)控：層級(jí)殼結(jié)構(gòu)還能抑制激子-聲子耦合，使縱向光學(xué)聲子能量從裸鈣鈦礦的33.8meV降至接近零，穩(wěn)定晶格動(dòng)力學(xué)，避免發(fā)光中心從亮態(tài)向暗態(tài)轉(zhuǎn)換，確保高量子產(chǎn)率的長(zhǎng)期保持。

此外，研究團(tuán)隊(duì)還通過(guò)系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)，二價(jià)鉛鹽殼層是形成互鎖界面層的關(guān)鍵，其中PbSO?的穩(wěn)定效果最優(yōu)；而外層APTES-SiO?-硅氧烷層則是實(shí)現(xiàn)完全晶格 - 界面鎖定的必要條件，缺少任何一層都會(huì)導(dǎo)致穩(wěn)定性大幅下降。這種 “鎖晶格 + 穩(wěn)表面” 的雙重作用，打破了鈣鈦礦納米晶體的降解循環(huán)，為其實(shí)現(xiàn)高量子產(chǎn)率與長(zhǎng)壽命提供了核心保障。

圖4. 分級(jí)殼層的廣泛適用性

關(guān)鍵指標(biāo)刷新行業(yè)紀(jì)錄，滿足商用需求

層級(jí)殼技術(shù)的應(yīng)用，使鈣鈦礦納米晶體的綜合性能實(shí)現(xiàn)革命性突破，在量子產(chǎn)率、穩(wěn)定性、光譜可調(diào)性、加工性能、生物安全性等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到或超越商用標(biāo)準(zhǔn)，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

（一）量子產(chǎn)率突破極限：近100% 效率實(shí)現(xiàn)光子循環(huán)

測(cè)試結(jié)果顯示，HS-MAPbBr?薄膜的光致發(fā)光量子產(chǎn)率達(dá)到100.0%，徹底抑制了非輻射復(fù)合過(guò)程，將傳統(tǒng)發(fā)光材料中有害的自吸收現(xiàn)象轉(zhuǎn)化為高效的光子循環(huán)。隨著鈣鈦礦納米晶體濃度從 1 wt% 增加到 40 wt%，其光致發(fā)光量子產(chǎn)率僅從 100.0% 輕微下降至 98.1%，內(nèi)部量子產(chǎn)率始終保持在 99.6% 以上，展現(xiàn)出卓越的抗?jié)舛肉缧阅堋?/p>

超高量子產(chǎn)率帶來(lái)了外量子產(chǎn)率的歷史性突破：20 wt% 的 HS-MAPbBr?薄膜外量子產(chǎn)率達(dá)到 91.4%，接近理論最大值 92.0%，遠(yuǎn)超此前所有報(bào)道的固態(tài)發(fā)光體，包括稀土磷光體、有機(jī)分子、傳統(tǒng)量子點(diǎn)、碳點(diǎn)和金屬納米簇等。

定量建模分析表明，HS-MAPbBr?薄膜中光子平均循環(huán)次數(shù)隨濃度增加而顯著提升，從 1 wt% 時(shí)的 1.42 次增至 40 wt% 時(shí)的 4.49 次，光子循環(huán)效率從 0.267 提升至 0.777。這意味著，每一個(gè)被重新吸收的光子都能被高效再發(fā)射，徹底改變了傳統(tǒng)發(fā)光材料中自吸收導(dǎo)致能量損耗的固有缺陷。同時(shí)，HS - 鈣鈦礦納米晶體還能增強(qiáng)硅氧烷薄膜內(nèi)的光散射，減少波導(dǎo)模式造成的光學(xué)損耗，進(jìn)一步提升光取出效率。

圖5. 層級(jí)殼體結(jié)構(gòu)型鈣鈦礦納米晶體的可加工性

（二）穩(wěn)定性全面達(dá)標(biāo)：嚴(yán)苛環(huán)境下遠(yuǎn)超商用基準(zhǔn)

HS - 鈣鈦礦納米晶體在各類嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試中均表現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性，完全滿足商業(yè)化應(yīng)用對(duì)使用壽命的要求，部分指標(biāo)甚至遠(yuǎn)超行業(yè)預(yù)期：

濕熱穩(wěn)定性：HS-CsPbBr?薄膜在 60℃、90% 相對(duì)濕度的加速老化條件下，光致發(fā)光量子產(chǎn)率下降 10% 的時(shí)間（T??）達(dá)到 3211 小時(shí)；對(duì)濕度和熱量極為敏感的有機(jī) - 無(wú)機(jī)雜化體系 HS-MAPbBr?薄膜，在相同條件下 T??達(dá)到 3900 小時(shí)，是商用基準(zhǔn)（1000 小時(shí)）的 3.9 倍；

光穩(wěn)定性：HS-CsPbBr?薄膜在 180 W/m2 的連續(xù)藍(lán)光照射下，T??達(dá)到 12000 小時(shí)；HS-MAPbBr?薄膜經(jīng)拉伸指數(shù)擬合外推的 T??高達(dá) 27234 小時(shí)（約 37 個(gè)月），是商用基準(zhǔn)（10000小時(shí)）的 2.7 倍，較裸膜提升超過(guò) 400 倍；

水環(huán)境穩(wěn)定性：HS-CsPbBr?薄膜在水中浸泡 90 天后，仍能保持近乎恒定的光致發(fā)光量子產(chǎn)率，展現(xiàn)出優(yōu)異的防水性能，徹底改變了鈣鈦礦材料遇水易降解的固有缺陷；

長(zhǎng)期存儲(chǔ)穩(wěn)定性：HS - 鈣鈦礦納米晶體膠體溶液在室溫條件下可穩(wěn)定存儲(chǔ)超過(guò) 400 天，無(wú)明顯發(fā)光衰減，為規(guī)?；a(chǎn)和運(yùn)輸提供了便利。

更重要的是，在整個(gè)老化過(guò)程中，HS - 鈣鈦礦納米晶體薄膜的發(fā)光光譜保持高度穩(wěn)定，無(wú)峰值偏移或半峰寬展寬現(xiàn)象，確保了應(yīng)用場(chǎng)景中顏色的一致性。XPS 測(cè)試表明，即使經(jīng)過(guò) 3000 小時(shí)濕熱老化或 4000 小時(shí)藍(lán)光照射，HS - 鈣鈦礦納米晶體的表面化學(xué)性質(zhì)仍未發(fā)生改變，未出現(xiàn) Pb-O 和 CO?2?等降解產(chǎn)物的特征峰，證實(shí)了其結(jié)構(gòu)完整性。

（三）光譜可調(diào)性廣：全波段覆蓋滿足多元需求

該層級(jí)殼策略具有極強(qiáng)的普適性，成功穩(wěn)定了多種組成的鈣鈦礦納米晶體，實(shí)現(xiàn)了 409 至 783 nm 的精準(zhǔn)可調(diào)發(fā)射波長(zhǎng)，全面覆蓋藍(lán)光、綠光、紅光及近紅外光波段，為全色顯示、多波段傳感等應(yīng)用提供了全方位解決方案：

混合鹵化物體系：HS-CsPbBr?.?I?.?薄膜在連續(xù)藍(lán)光照射下可穩(wěn)定發(fā)光超過(guò) 2000 小時(shí)，而裸膜僅能穩(wěn)定 11 小時(shí)，有效抑制了光誘導(dǎo)相分離；

碘化物富集體系：HS-APbI?的濕熱穩(wěn)定性提升 10 倍以上，光穩(wěn)定性提升 100 倍以上，解決了碘化物鈣鈦礦易氧化、相穩(wěn)定性差的難題；

有機(jī) - 無(wú)機(jī)雜化體系：HS-MAPbBr?、HS-FAPbBr?等雜化體系均實(shí)現(xiàn)了高量子產(chǎn)率與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，其中 HS-MAPbBr?的純綠光發(fā)射（525-535 nm）完全符合 BT.2020 標(biāo)準(zhǔn)，性能超越商用 CdSe-ZnS 量子點(diǎn)；

全無(wú)機(jī)體系：HS-CsPbCl?、HS-CsPbBr?等全無(wú)機(jī)鈣鈦礦均實(shí)現(xiàn)了近100%量子產(chǎn)率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性，拓展了高穩(wěn)定性場(chǎng)景的應(yīng)用可能。

各類 HS - 鈣鈦礦納米晶體均可形成均勻無(wú)團(tuán)聚的固態(tài)薄膜，藍(lán)光、綠光和紅光薄膜的共聚焦顯微鏡圖像顯示，材料分散均勻，發(fā)光一致性良好，為后續(xù)器件集成提供了優(yōu)質(zhì)基礎(chǔ)。

圖6. 層級(jí)殼體結(jié)構(gòu)型鈣鈦礦納米晶體的顯示應(yīng)用

（四）加工性能優(yōu)異：兼容規(guī)?；圃旃に?/strong>

HS - 鈣鈦礦納米晶體在硅氧烷樹(shù)脂中具有良好的分散穩(wěn)定性和加工適配性，可兼容多種規(guī)?；圃旃に?，為工業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐：

卷對(duì)卷印刷：成功制備出大面積柔性綠色 HS-MAPbBr?和紅色 HS-CsPbBr?.?I?.?薄膜，最大可實(shí)現(xiàn) 3200 mm×600 mm 的大面積制備，展現(xiàn)出工業(yè)化生產(chǎn)潛力；

噴墨打?。嚎蓪?shí)現(xiàn)高精度鈣鈦礦圖案化，滿足個(gè)性化器件制備和柔性電子應(yīng)用需求；

光刻圖案化：能夠制備最小尺寸為 3 μm 的微圖案，像素密度達(dá)到 3522 像素 / 英寸（PPI），完全滿足增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）近眼顯示等高端應(yīng)用的高分辨率要求。

研究團(tuán)隊(duì)已成功演示了基于 HS - 鈣鈦礦納米晶體的全系列顯示原型器件，包括 4K 超高清顯示面板（3840×2160 像素）、10.1 英寸平板電腦、28 英寸和 32 英寸專業(yè)顯示器，以及 43 英寸和 75 英寸超大尺寸電視。這些器件的色域覆蓋達(dá)到 Rec. 2020 標(biāo)準(zhǔn)的 97% 以上、NTSC 標(biāo)準(zhǔn)的 131% 和 sRGB 標(biāo)準(zhǔn)的 185%，遠(yuǎn)超現(xiàn)有液晶顯示器（LCD）、磷化銦（InP）量子點(diǎn)顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器的色域表現(xiàn)，呈現(xiàn)出更逼真、更鮮艷的色彩效果。

開(kāi)啟低能耗高畫質(zhì)技術(shù)新紀(jì)元，撬動(dòng)千億市場(chǎng)

該研究成果通過(guò)創(chuàng)新的層級(jí)殼穩(wěn)定化策略，首次實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦納米晶體近 100% 量子產(chǎn)率與商用級(jí)穩(wěn)定性的完美統(tǒng)一，不僅解決了困擾該領(lǐng)域多年的核心技術(shù)難題，更開(kāi)辟了固態(tài)發(fā)光材料設(shè)計(jì)的新范式，其對(duì)產(chǎn)業(yè)影響深遠(yuǎn)且廣泛。

研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、首爾國(guó)立大學(xué) Tae-Woo Lee 教授表示：“層級(jí)殼技術(shù)的突破讓鈣鈦礦納米晶體真正具備了商業(yè)化應(yīng)用的核心條件。我們相信，這種兼具高量子產(chǎn)率、長(zhǎng)壽命和優(yōu)異加工性能的新型發(fā)光材料，將在顯示、照明、生物傳感等多個(gè)領(lǐng)域引發(fā)革命性變革，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)千億級(jí)別的市場(chǎng)機(jī)遇。”

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