朱一明放下已成功的千億市值公司，押上全部聲譽開啟的第二次創(chuàng)業(yè)，終于帶領長鑫科技走到了資本市場的門口，直面全球存儲巨頭的競爭。

“中國第一、全球第四”的DRAM制造商長鑫科技，日前正式沖刺科創(chuàng)板。其高達295億元的擬募資額，使之成為科創(chuàng)板開板以來規(guī)模第二大的IPO項目。

這家成立于2016年的公司，在不到十年間成長為中國大陸唯一實現(xiàn)通用型內存芯片大規(guī)模量產的企業(yè)。其創(chuàng)始人兼董事長朱一明，是一位擁有清華大學物理系學士和工程物理系碩士學位的連續(xù)創(chuàng)業(yè)者。

長鑫科技的此次IPO被市場視為一個標志性事件。它不僅是一家公司的上市，更代表著中國半導體產業(yè)在核心存儲芯片領域對國際巨頭壟斷發(fā)起的實質性挑戰(zhàn)。

根據(jù)招股書，長鑫科技計劃將募集資金主要用于DRAM存儲器技術升級和晶圓制造量產線改造，旨在抓住當前行業(yè)發(fā)展的窗口期，快速擴大產能并提升技術競爭力。

公司的成長軌跡與創(chuàng)始人朱一明的個人抉擇緊密相連。這位清華畢業(yè)生早年在美國硅谷從事芯片工作，2005年回國首次創(chuàng)業(yè)，建立了存儲芯片設計公司兆易創(chuàng)新，并成功將其打造為市值超千億元的行業(yè)龍頭。

真正的轉折點發(fā)生在2018年。為實現(xiàn)技術自主，朱一明做出了一個驚人決定：他辭去兆易創(chuàng)新總經理職務，僅保留董事長身份，全身心投入到長鑫科技的運營中，立志攻克技術壁壘更高、戰(zhàn)略價值更大的DRAM芯片制造，并立下了“項目盈利前不領一分薪酬”的軍令狀。

技術突破是長鑫科技故事的核心。公司采取“跳代研發(fā)”的激進策略，在不到十年時間里完成了從第一代到第四代工藝技術平臺的跨越，產品覆蓋了從DDR4到DDR5、LPDDR5/5X等主流規(guī)格，實現(xiàn)了從跟隨到并跑的轉變。

支撐這一技術突破的是持續(xù)高強度的研發(fā)投入。2022年至2025年上半年，公司累計研發(fā)投入達188.67億元，占同期營業(yè)收入的33.11%，研發(fā)強度顯著高于國際同行。

在資本層面，長鑫科技擁有堪稱豪華的股東陣容。國家集成電路產業(yè)投資基金二期、安徽國資構成堅實基盤，阿里巴巴、騰訊等互聯(lián)網巨頭，以及小米產投等產業(yè)資本先后入局，形成了“國家隊+產業(yè)資本+金融資本”的強大支持網絡。

盡管技術突破和市場地位顯著，長鑫科技仍面臨財務挑戰(zhàn)。作為重資產模式的IDM企業(yè)，巨大的固定資產折舊持續(xù)侵蝕利潤，加上行業(yè)周期性波動，公司近年來仍處于虧損狀態(tài)。招股書顯示，2022年至2024年累計虧損超過300億元。

行業(yè)分析指出，長鑫科技正迎來難得的發(fā)展機遇。全球AI浪潮催生的存儲需求暴漲，以及國際巨頭將產能向高端產品傾斜導致的通用DRAM供應趨緊，為長鑫科技這樣的追趕者創(chuàng)造了擴大市場份額的時間窗口。

公司預計，隨著產品出貨量增加和市場景氣度提升，2025年有望首次實現(xiàn)主營業(yè)務盈利，并可能在2026年實現(xiàn)凈利潤扭虧為盈。這一預期為公司的上市故事增添了更多確定性。

從清華實驗室走出的朱一明，到如今帶領長鑫科技站上科創(chuàng)板舞臺，這條路徑勾勒出了中國高科技人才從學術研究到產業(yè)創(chuàng)新，再到與國際巨頭正面競爭的完整軌跡。長鑫科技的上市進程，將成為觀察中國半導體產業(yè)能否在核心領域實現(xiàn)突破的關鍵風向標。