新 聞一：三星代工產(chǎn)能利用率回升至60%，2025H2虧損已減至6.8億美元

過去幾個月里，得益于良品率的提升，三星的晶圓代工業(yè)務似乎逐漸擺脫了困境，有抬升的趨勢。三星也為晶圓代工業(yè)務設定了新目標，希望能扭轉(zhuǎn)不利的形勢，在兩年內(nèi)實現(xiàn)盈利，并占據(jù)20%的市場份額。

據(jù)Wccftech報道，2025年下半年三星晶圓廠的整體產(chǎn)能利用率為50%，現(xiàn)在已逐步提高至60%，不過距離收支平衡的80%目標仍然有一定的差距。無論如何，總算是一個好的開始，而且大幅減輕了三星的財務壓力。

3nm GAA工藝的糟糕表現(xiàn)給三星造成了巨大的經(jīng)濟損失，長時間的低良品率意味著無法獲得客戶的信任，為此紛紛轉(zhuǎn)向更為可靠的臺積電下單，使得三星非存儲部門虧損約2萬億韓元（約合13.53億美元/人民幣94.2億元）。隨著局面的扭轉(zhuǎn)，三星在2025年下半年將這部分虧損減至約1萬億韓元（約合6.77億美元/人民幣47.1億元）。

三星代工業(yè)務最近良好的發(fā)展態(tài)勢并非來自2nm GAA的客戶數(shù)量增加，主要得益于4nm和8nm訂單的增加，比如生產(chǎn)任天堂Switch 2主機的定制SoC和英特爾的PCH芯片。目前三星4nm工藝的良品率已經(jīng)穩(wěn)定在60%至70%之間，傳聞已經(jīng)贏得了新的訂單，為一家美國芯片設計生產(chǎn)1億美元的AI芯片。

去年三星宣布1.4nm工藝將延后兩年至2029年量產(chǎn)，并計劃優(yōu)化2nm工藝的性能和能耗表現(xiàn)，提高良品率，使其更適合業(yè)界使用。同時三星還改進4nm、5nm和8nm等工藝，認為這些工藝仍然屬于比較先進的類型，市場需求依然很大，可以帶動營收的增長。

原 文 鏈接：https://www.expreview.com/103799.html

隨著芯片廠商“逃離臺積電”的進度，此前一直不被看好的三星代工，也在2025年的下半年有了起色，雖然還沒能止住虧損，但總算是提升了產(chǎn)能利用率到60%，也算是不小的進步。不過，這些提升并不是來自于先進半導體產(chǎn)能，而是4nm和8nm訂單，這些訂單的利潤率還是比較低的，三星估計還得練……

新 聞2： 隨著2nm良品率逐漸穩(wěn)定，三星開始向合作伙伴推廣改進的SF2P工藝

去年9月，三星已經(jīng)開始量產(chǎn)Exynos 2600，采用了SF2工藝。這屬于三星初代2nm工藝，良品率從2025年第一季度的30%，攀升到量產(chǎn)階段的50%左右，目標良品率是70%。相比競爭對手臺積電（TSMC），這樣的良品率仍然比較一般，不過對比三星自己卻有著不小的進步，之前的3nm工藝一直不能突破30%的良品率，使得三星的晶圓代工業(yè)務沒有辦法爭取到大客戶的訂單。

據(jù)Wccftech報道，隨著2nm良品率的改善，三星開始向設計解決方案合作伙伴，表示優(yōu)先推廣改進的SF2P工藝，這是其第二代2nm工藝，似乎暗示將投入更多資源在上面。預計三星將繼續(xù)優(yōu)化初代2nm工藝，進一步提升良品率，另一方面也在加緊第二代2nm工藝的開發(fā)，基礎工藝設計套件（PDK）其實早在去年年中已經(jīng)完成。另外三星還準備了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”，計劃未來一年內(nèi)量產(chǎn)。

三星還在開發(fā)Exynos 2700，預計會采用SF2P工藝制造，支持LPDDR6內(nèi)存和UFS 5.0存儲。除了三星自己的旗艦SoC外，去年特斯拉與三星簽署了一份約165億美元的大額合同，生產(chǎn)AI6芯片，傳聞也將采用SF2P工藝。按照三星的說法，SF2P相比SF2具有多項優(yōu)勢，包括性能提升12%、功耗降低25%、面積縮小8%。

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有意思的是，隨著三星自家Exynos 2600的成功量產(chǎn)，三星在2nm工藝節(jié)點也算是站穩(wěn)了腳跟，其良率也來到了50%。而現(xiàn)在，隨著2nm良品率的改善，三星開始向合作伙伴推廣改進后的SF2P工藝，這已經(jīng)是三星的第二代2nm工藝，后續(xù)還將有第三代的SF2P+。畢竟有Exynos 2600在前，不知道會不會吸引其他芯片設計廠商下單呢？？

新 聞3： 可選當前最先進工藝：消息稱三星電子正開發(fā) 4~2nm 定制 HBM 基礎裸片解決方案

1 月 21 日消息，韓媒 ZDNET Korea 今日報道稱，三星電子將在 HBM4 后的定制 HBM 內(nèi)存上延續(xù)“制程優(yōu)勢”策略，提供從 4nm 直到當前最先進的 2nm 的一系列基礎裸片 (Base Die) 解決方案。

IT之家注：臺積電則計劃為定制 HBM 基礎裸片導入 N3P 制程。

▲ 三星電子代表在 IEEE ISSCC 2025 會議上的演講 在設想的方案中內(nèi)存控制器和定制邏輯單元位于基礎裸片上

搭配 HBM 內(nèi)存的高階 AI XPU 芯片正面臨單體芯片理論最大面積（858mm2 的光罩尺寸）限制算力進一步提升的情況，化解這一問題的方式除了多芯片的物理 / 通信互聯(lián)外還包括將部分電路卸載到鄰近的 HBM 基礎裸片上。

由于 HBM 內(nèi)存進入 HBM4 后，HBM Base Die 也采用邏輯半導體制程，因此可承載原應由 XPU 主體負擔的電路功能。而 HBMBase Die 工藝越先進，其就越能容納邏輯電路、能效越出色。

內(nèi)部人士表示，三星電子的定制 HBM 基礎裸片解決方案由系統(tǒng) LSI 業(yè)務新設立的定制 SoC 團隊負責。

原文鏈接：https://m.ithome.com/html/915127.htm

另外，對三星來說，它還有個更特殊的身份——存儲廠商。在NVIDIA自研HBM4基板使用了先進制程工藝后，有存儲需求的廠商們自然也有了這樣的需求。三星的優(yōu)勢就在這里，它既有HBM生產(chǎn)能力，又有先進半導體工藝技術，定制先進制程HBM內(nèi)存或許就是三星代工的另一個出路？？讓我們期待吧?。?/p>

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