國產(chǎn)概念股業(yè)績分化顯著

作者 | 勝馬財(cái)經(jīng)李察

編輯 | 歐陽文

全球存儲芯片行業(yè)正迎來前所未有的“超級周期”。AI基礎(chǔ)設(shè)施需求爆發(fā)引發(fā)的存儲產(chǎn)能“虹吸效應(yīng)”，推動DRAM、NAND、HBM（高帶寬內(nèi)存）等核心品類價(jià)格飆升，三星NAND閃存供應(yīng)價(jià)格一季度漲幅超100%，遠(yuǎn)超市場預(yù)期。

勝馬財(cái)經(jīng)注意到，這一行業(yè)浪潮下，國內(nèi)存儲芯片概念股業(yè)績呈現(xiàn)鮮明分化。據(jù)企業(yè)預(yù)警通2025年業(yè)績預(yù)告數(shù)據(jù)（截至1月26日），29家存儲芯片概念股中，20家實(shí)現(xiàn)凈利潤同比預(yù)增，9家預(yù)虧，行業(yè)“馬太效應(yīng)”凸顯。同時(shí)，新思科技、美光等全球行業(yè)龍頭預(yù)警，存儲芯片緊缺局面將持續(xù)至2027年，部分機(jī)構(gòu)預(yù)判可能延伸至2028年，國產(chǎn)廠商在這場供需重構(gòu)中迎來機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的發(fā)展窗口期。

國產(chǎn)概念股業(yè)績分化

頭部與黑馬雙線領(lǐng)跑

從存儲芯片概念股2025年業(yè)績預(yù)告數(shù)據(jù)來看，行業(yè)盈利格局呈現(xiàn)“三層分化”特征，頭部企業(yè)的規(guī)模優(yōu)勢與細(xì)分賽道黑馬的爆發(fā)力形成鮮明對比，而部分企業(yè)的虧損則暴露行業(yè)競爭短板。

頭部企業(yè)筑牢盈利壁壘，規(guī)模與增速雙優(yōu)。數(shù)據(jù)顯示，凈利潤預(yù)測上限超15億元的企業(yè)共有3家，形成第一梯隊(duì)。大華股份以38.54億元的凈利潤預(yù)測上限位居榜首，同比增速上限達(dá)32.65%，其作為存儲模組領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，受益于AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心存儲需求的雙重拉動。

瀾起科技緊隨其后，凈利潤預(yù)測上限23.5億元，下限21.5億元，同比增速區(qū)間為52.29%-66.46%，公司在DDR5內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，使其在高端存儲產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)關(guān)鍵地位；兆易創(chuàng)新凈利潤預(yù)測上限16.1億元，同比增長46%，其2025年?duì)I業(yè)收入預(yù)計(jì)達(dá)92.03億元，同比增加25%，營收與利潤的同步增長，印證了公司在 NOR Flash 與 MCU 業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展的成效。

這三家企業(yè)的業(yè)績表現(xiàn)，凸顯出頭部廠商在技術(shù)研發(fā)、客戶資源與產(chǎn)能布局上的競爭壁壘，在行業(yè)緊缺周期中更易獲得訂單與利潤優(yōu)勢。

在業(yè)績預(yù)告中，多家中小市值企業(yè)展現(xiàn)出驚人的增長潛力，成為行業(yè)“第二增長曲線”的代表。佰維存儲（688525.SH）以520.22%的同比增速上限、427.19%的下限，成為增速最快的企業(yè)，其凈利潤預(yù)測區(qū)間為8.5億-10億元，公司在存儲模組與先進(jìn)封裝領(lǐng)域的布局，精準(zhǔn)契合了AI服務(wù)器對高性能存儲的需求，此前公司在投資者調(diào)研中也確認(rèn)，2026年第一、二季度存儲產(chǎn)品價(jià)格有望持續(xù)上漲。

好上好與神工股份分別以175.35%、167.31%的同比增速上限緊隨其后，前者在存儲分銷與方案設(shè)計(jì)領(lǐng)域受益于消費(fèi)電子存儲升級，后者則憑借半導(dǎo)體硅材料業(yè)務(wù)的技術(shù)突破，在存儲芯片上游材料環(huán)節(jié)占據(jù)先機(jī)。

香農(nóng)芯創(chuàng)同比增速上限達(dá)134.78%，凈利潤預(yù)測區(qū)間4.8億-6.2億元，其存儲芯片代理業(yè)務(wù)與自研模組業(yè)務(wù)的協(xié)同，使其在行業(yè)漲價(jià)周期中快速兌現(xiàn)利潤。這些企業(yè)的爆發(fā)式增長，印證了存儲行業(yè)細(xì)分賽道的機(jī)遇——無論是HBM配套、存儲材料還是分銷環(huán)節(jié)，只要精準(zhǔn)切入高需求領(lǐng)域，中小廠商也能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。

有人歡喜有人憂，行業(yè)風(fēng)口期，部分企業(yè)也未能逃脫虧損，行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)加速暴露。與業(yè)績高增形成反差的是，9家企業(yè)在2025年預(yù)告虧損，折射出行業(yè)競爭的殘酷性。西安奕材以7.38億元的凈利潤預(yù)測上限（虧損）成為虧損額最高的企業(yè)、東芯股份、晶升股份同樣預(yù)計(jì)去年業(yè)績虧損。

復(fù)旦微電、盛景微雖未虧損但業(yè)績同比下滑明顯：復(fù)旦微電預(yù)計(jì)2025年凈利1.9億元至2.83億元，同比降幅50.58%至66.82%；盛景微預(yù)計(jì)凈利1000萬至1500萬元，同比降幅34.53%至56.35%。業(yè)績下滑核心原因是其產(chǎn)品未能適配AI驅(qū)動的高端存儲需求，仍依賴傳統(tǒng)消費(fèi)電子市場，而該市場被HBM等高端產(chǎn)品擠壓，導(dǎo)致訂單與利潤雙降。

AI需求疊加產(chǎn)能傾斜

行業(yè)緊缺格局延至2027年

存儲芯片概念股的業(yè)績分化，本質(zhì)上是行業(yè)結(jié)構(gòu)性變革的縮影。2025-2026年，全球存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷“需求重構(gòu)、產(chǎn)能傾斜、技術(shù)升級”的三重變革，推動價(jià)格持續(xù)上漲，而這一緊缺格局預(yù)計(jì)將延續(xù)至2027年，為國產(chǎn)廠商帶來長期機(jī)遇。

AI需求重構(gòu)存儲市場，高端產(chǎn)品成“戰(zhàn)略物資”。本輪存儲芯片漲價(jià)核心驅(qū)動力是AI基礎(chǔ)設(shè)施對高性能存儲“剛性饑渴”。一臺高性能AI服務(wù)器對DRAM的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8-10倍，對NAND閃存的需求達(dá)3倍，存儲成本在AI服務(wù)器硬件總成本中的占比已從20%升至35%-40%。

尤其是HBM，作為AI大模型訓(xùn)練的“必需品”，通過3D堆疊技術(shù)將帶寬提升至傳統(tǒng)內(nèi)存的10倍以上，OpenAI、谷歌、微軟等巨頭為鎖定產(chǎn)能，不惜支付高額溢價(jià)，訂單已排至2027年以后。

這種需求并非短期波動，而是長期結(jié)構(gòu)性變革。隨著AI從訓(xùn)練階段邁向規(guī)�；评響�(yīng)用，“以存代算”技術(shù)成為企業(yè)降本增效的核心路徑，進(jìn)一步拉高高端存儲需求。數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%達(dá)414億美元，企業(yè)級SSD營收季增28%達(dá)65.4億美元，創(chuàng)年度新高，印證了AI驅(qū)動的需求爆發(fā)。

頭部廠商產(chǎn)能“棄低追高”，中低端市場供需缺口擴(kuò)大。面對AI需求的高利潤誘惑，掌控全球超90% DRAM市場的三星、SK海力士、美光做出明確戰(zhàn)略選擇，將80%以上的新增先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM與服務(wù)器級DDR5，同時(shí)主動削減甚至停產(chǎn)DDR4等成熟制程產(chǎn)品。

更關(guān)鍵的是，生產(chǎn)1GB HBM消耗的晶圓面積是傳統(tǒng)DRAM的3倍，即便晶圓廠滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，留給手機(jī)、PC、汽車等傳統(tǒng)領(lǐng)域的產(chǎn)能也大幅縮水，這種產(chǎn)能傾斜直接導(dǎo)致中低端市場供需失衡。體現(xiàn)在價(jià)格上，2024年底至2025年12月，16GB DDR4內(nèi)存條價(jià)格暴漲1800%，三星2026年第一季度NAND閃存供應(yīng)價(jià)格上調(diào)100%，遠(yuǎn)超此前預(yù)測的33%-38%。

全球存儲芯片供需失衡，為國產(chǎn)廠商提供了難得的替代窗口。從業(yè)績數(shù)據(jù)來看，除佰維存儲、兆易創(chuàng)新等企業(yè)的高增長外，長鑫存儲2025年DRAM出貨量同比增長50%，全球市場份額從6%提升至8%，首次實(shí)現(xiàn)年度扭虧為盈，凈利潤區(qū)間達(dá)20-25億元，其DDR4產(chǎn)品在國內(nèi)消費(fèi)電子與工業(yè)領(lǐng)域的替代率持續(xù)提升。

長江存儲在QLC、TLC NAND閃存技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，2025年出貨量穩(wěn)居全球前十，旗下消費(fèi)級SSD產(chǎn)品憑借性價(jià)比優(yōu)勢，去年在國內(nèi)市場份額突破12%。

封測環(huán)節(jié)，通富微電（002156.SZ）凈利潤預(yù)測區(qū)間11-13.5億元，同比增速上限達(dá)99.24%，公司募資44億元用于存儲封測產(chǎn)能升級，已成為國內(nèi)少數(shù)能承接HBM封測訂單的企業(yè)。

與此同時(shí)，國產(chǎn)廠商加速資本化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同布局：兆易創(chuàng)新2026年1月完成H股上市，發(fā)售價(jià)162.00港元/股，募資凈額46.11億港元（約42億元人民幣），用于NOR Flash與DRAM技術(shù)研發(fā)；長鑫科技遞交科創(chuàng)板IPO申請，擬募資295億元建設(shè)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)線，標(biāo)志著國產(chǎn)存儲從“技術(shù)突破”向“規(guī)�；瘮U(kuò)張”邁進(jìn)。

2025-2026年的存儲芯片“超級周期”，本質(zhì)上是AI技術(shù)革命與全球產(chǎn)能重構(gòu)共同催生的行業(yè)變革，國產(chǎn)概念股業(yè)績分化正是這場變革的真實(shí)寫照。頭部企業(yè)憑借技術(shù)與規(guī)模壁壘搶占高端訂單，細(xì)分賽道黑馬依托精準(zhǔn)布局實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長，而技術(shù)滯后、適配能力不足的企業(yè)則在周期中陷入困境，行業(yè)“馬太效應(yīng)”進(jìn)一步加劇。

從行業(yè)前景來看，存儲芯片緊缺格局預(yù)計(jì)持續(xù)至2027年，部分機(jī)構(gòu)預(yù)判可能延伸至2028年，AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等需求將持續(xù)為行業(yè)增長提供動力。TrendForce集邦咨詢預(yù)測，2026年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)5516億美元，同比增長134%。

對于國產(chǎn)廠商而言，這既是替代機(jī)遇，也是技術(shù)攻堅(jiān)的考驗(yàn)——唯有持續(xù)加大研發(fā)投入，補(bǔ)齊高端領(lǐng)域短板，推動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同，才能在全球存儲芯片競爭格局中占據(jù)更重要的位置。

在勝馬財(cái)經(jīng)看來，對于投資者，需理性看待行業(yè)分化，頭部龍頭與細(xì)分賽道優(yōu)質(zhì)企業(yè)的業(yè)績增長具備持續(xù)性，可重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)壁壘與訂單儲備；而依賴傳統(tǒng)業(yè)務(wù)、缺乏核心競爭力的企業(yè)，需警惕業(yè)績進(jìn)一步下滑風(fēng)險(xiǎn)。隨著AI技術(shù)的持續(xù)滲透與國產(chǎn)替代的加速推進(jìn)，存儲芯片行業(yè)將迎來更深刻的結(jié)構(gòu)性變革，而這場變革也將重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局。

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