北京
三星最近在其Exynos 2600芯片中引入了全新的HPB（Heat Path Block）散熱技術(shù)，此項創(chuàng)新被認為是半導體封裝領域的一次重要突破。HPB技術(shù)能夠?qū)⑿酒臒嶙杞档?6%，顯著提升溫控表現(xiàn)，為處理器的高效運行提供了有力保障。這一設計無疑為未來的高性能芯片散熱方案樹立了新的標桿。
與此同時，高通也計劃在即將發(fā)布的驍龍8 Elite Gen6系列中應用同樣的HPB技術(shù)。根據(jù)最新的行業(yè)報道，該系列芯片在工程測試階段的主頻甚至有望達到5.0GHz或更高。這表明HPB技術(shù)的有效性已經(jīng)得到了實測驗證，并且在支撐超高頻率穩(wěn)定運行方面，將發(fā)揮至關(guān)重要的作用。
HPB技術(shù)的核心原理在于其采用了一種直接放置在硅晶圓上的銅制散熱塊。在傳統(tǒng)芯片設計中，DRAM內(nèi)存芯片通常堆疊在SoC上方，這種結(jié)構(gòu)可能形成熱阱，使核心熱量難以散發(fā)，迫使芯片依賴外部均熱板或石墨片進行散熱。而HPB通過將內(nèi)存芯片移至處理器的側(cè)邊，釋放出的空間則被高導熱的銅塊覆蓋在核心上，從源頭上縮短了散熱路徑。
對高通而言，現(xiàn)有的被動散熱方案如VC均熱板已接近物理極限，單純增加散熱面積已無法有效抑制頂級核心的熱量。因此，引入HPB技術(shù)不僅提供了一種更高效的散熱解決方案，更預示著未來旗艦芯片將從依賴外部導熱轉(zhuǎn)向更精密的封裝內(nèi)部熱管理，這將使驍龍8 Elite Gen6在高頻運行時能夠更加從容地釋放其強大性能。
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