中國突傳重大突破？芯片制造核心裝備成功自研，打破海外幾十年壟斷！ 2026年1月17日，中國核工業(yè)集團(tuán)傳來一則重磅消息：我國首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）成功實(shí)現(xiàn)離子束流穩(wěn)定輸出，核心指標(biāo)直接對(duì)標(biāo)國際頂尖水平。

此一重大突破也意味著，中國在芯片制造的四大關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域，總算突破了長期以來受制于人的最后一道技術(shù)的瓶頸。

離子注入機(jī)在芯片制造領(lǐng)域可是個(gè)響當(dāng)當(dāng)?shù)?神槍手"，它能把離子像子彈一樣，以超高速射進(jìn)硅片內(nèi)部，讓材料的電學(xué)性能來個(gè)大變身，沒有它，功率半導(dǎo)體芯片的制造就無從談起。

在我們對(duì)自主的核心技術(shù)的不斷突破背景下，這類原本完全依賴進(jìn)口的設(shè)備也逐漸地從“進(jìn)口的脊梁”轉(zhuǎn)變?yōu)椤白灾鞯募沽骸?，既不再受制于外部的技術(shù)進(jìn)口，也不再擔(dān)心外部的技術(shù)斷供。

如今原子能研究院利用核物理加速器的技術(shù)積累，通過串列加速器方案，成功破解了高能離子注入的難題，這種跨界技術(shù)融合，讓中國首次掌握了從底層原理到整機(jī)集成的全鏈路研發(fā)能力。

這次突破的意義遠(yuǎn)不止于一臺(tái)設(shè)備，以高能離子注入機(jī)的研發(fā)為核心的高能離子技術(shù)的突破不僅能為新能源汽車的高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器的高效的功率轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)的高效的能量調(diào)度等提供了無比的生力軍，更將為我國的半導(dǎo)體的核心競(jìng)爭力提供強(qiáng)有力的有力保障。

國產(chǎn)設(shè)備的成熟，直接保障了我國戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈安全。更值得關(guān)注的是，此次研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用逆向創(chuàng)新路徑，聯(lián)合國內(nèi)通信電源、壓縮機(jī)等企業(yè)，將零部件成本壓降40%，國產(chǎn)化率提升至85%。這種全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同模式，為其他高端裝備的自主化提供了樣板。

回顧了中國的芯片裝備從起步到脫胎換骨的這段不平凡的突圍歷程，每一歩都充滿了無比的艱辛和激蕩。

依托于對(duì)近30萬的試驗(yàn)試誤后，才將膜的厚度控制在了0.3埃的極高的精度（甚至比頭發(fā)的三十萬分之一都要?。?，更為其可歌可泣的就是團(tuán)隊(duì)為破解了國外的工藝參數(shù)，居然用最原始的“拆機(jī)測(cè)參數(shù)”這種近乎于“捅破臉”的方式來反向攻關(guān)。

這份執(zhí)著最終迎來了實(shí)質(zhì)性的飛躍——國產(chǎn)的離子注入機(jī)不僅在技術(shù)層面達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)，還通過“售后對(duì)賭”“分期結(jié)算”等創(chuàng)新模式，成功突破了市場(chǎng)的重重壁壘，使得中芯國際、長江存儲(chǔ)等知名企業(yè)紛紛敢于批量采購。

中國芯片裝備的自主化之路，正從單點(diǎn)突破走向系統(tǒng)突圍。離子注入機(jī)的成功研發(fā)，不僅把產(chǎn)業(yè)鏈里的關(guān)鍵缺口給補(bǔ)上了，更是證明了跨界技術(shù)融合以及全鏈條協(xié)同合作是行得通的。

在一批批的核心裝備的相繼國產(chǎn)替代背景下，中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也將在全球的競(jìng)爭中占得更大的話語權(quán)，推動(dòng)了我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更大程度的自主、更高的水平的發(fā)展。同時(shí)也將為我國的經(jīng)濟(jì)的高質(zhì)量的發(fā)展、為我國的國家安全的長治久安提供了更大的保障。