（AI云資訊消息）三星已正式啟動(dòng)下一代HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)及出貨，該內(nèi)存速度最高可達(dá)13 Gbps，容量達(dá)48 GB。

HBM4將成為下一代數(shù)據(jù)中心芯片所采用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，例如英偉達(dá)的Vera Rubin和AMD的Instinct MI450系列。

通過率先采用其最先進(jìn)的第六代10納米級(jí)DRAM制程（1c），三星從量產(chǎn)初期便實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的良率和行業(yè)領(lǐng)先的性能，整個(gè)過程無縫銜接，無需任何額外重新設(shè)計(jì)。

三星HBM4提供11.7Gbps的穩(wěn)定處理速度，較行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps提升約46%，為HBM4性能樹立了新標(biāo)桿。這一速度較上一代HBM3E最高9.6Gbps的引腳速度提升1.22倍。同時(shí)，HBM4的性能還可進(jìn)一步提升至13Gbps，有效緩解了隨著AI模型規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大而日益加劇的數(shù)據(jù)瓶頸問題。

此外，單堆?？們?nèi)存帶寬較HBM3E提升2.7倍，最高可達(dá)3.3TB/s。

通過12層堆疊技術(shù)，三星提供24GB至36GB容量的HBM4產(chǎn)品。公司還將根據(jù)未來客戶的時(shí)間規(guī)劃，采用16層堆疊技術(shù)擴(kuò)展容量選項(xiàng)，最高可提供48GB容量。

為應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)I/O從1024個(gè)引腳翻倍至2048個(gè)引腳所帶來的功耗與散熱挑戰(zhàn)，三星已在核心裸晶中集成了先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)解決方案。HBM4還通過低壓硅通孔（TSV）技術(shù)和配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了40%的能效提升，同時(shí)較HBM3E耐熱性提高10%，散熱性能提升30%。

憑借卓越的性能、能效及高可靠性，三星HBM4可滿足未來數(shù)據(jù)中心環(huán)境的需求，助力客戶實(shí)現(xiàn)GPU吞吐量最大化，并有效管理總體擁有成本（TCO）。

三星致力于通過全面的制造資源推進(jìn)HBM路線圖，包括業(yè)界最大的DRAM產(chǎn)能之一及專用基礎(chǔ)設(shè)施，從而確保供應(yīng)鏈韌性，以應(yīng)對(duì)預(yù)計(jì)激增的HBM4需求。

三星電子旗下晶圓代造與內(nèi)存業(yè)務(wù)部門通過緊密協(xié)作的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），得以確保最高標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量與良率。此外，憑借在先進(jìn)封裝領(lǐng)域深厚的內(nèi)部技術(shù)專長(zhǎng)，公司能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)化的生產(chǎn)周期并縮短交付時(shí)間。

三星還計(jì)劃通過與全球GPU制造商及專注于下一代ASIC開發(fā)的大型云服務(wù)商深入探討，拓寬與關(guān)鍵合作伙伴的技術(shù)合作范圍。

三星預(yù)計(jì)2026年HBM銷售額將較2025年增長(zhǎng)兩倍以上，并正積極擴(kuò)充HBM4產(chǎn)能。繼HBM4成功推向市場(chǎng)后，HBM4E樣品預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始供應(yīng)，而定制化HBM樣品則將根據(jù)客戶各自規(guī)格，于2027年起陸續(xù)交付。