新 聞一： 三星宣布HBM4正式量產(chǎn)，4nm基礎(chǔ)裸片，速率達(dá)11.7Gbps，最高可至13Gbps

三星宣布，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)HBM4，并已向客戶(hù)發(fā)貨商用產(chǎn)品。其結(jié)合了4nm基礎(chǔ)裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm級(jí)別）工藝制造DRAM芯片，從量產(chǎn)初期就實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的良品率和行業(yè)領(lǐng)先性能，無(wú)需額外重新設(shè)計(jì)，確保了三星在早期HBM4市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

三星表示，這次的HBM4沒(méi)有采用傳統(tǒng)的既有成熟設(shè)計(jì)，而是向前邁出了一大步，采用了最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)。通過(guò)利用自身的工藝技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力及優(yōu)化設(shè)計(jì)，三星能夠保證充足的性能提升空間，在客戶(hù)需要時(shí)滿(mǎn)足對(duì)方不斷增長(zhǎng)的性能需求。

目前三星生產(chǎn)的HBM4速率達(dá)到了11.7Gbps，比起行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps高出了約46%，是前一代HBM3E最高速率9.6Gbps的1.22倍，為HBM4的性能樹(shù)立了新的標(biāo)桿。三星的HBM4還能進(jìn)一步提高至13Gbps，有效緩解隨著AI模型不斷擴(kuò)展而加劇的數(shù)據(jù)瓶頸。此外，HBM4單堆棧的總內(nèi)存帶寬是HBM3E的2.7倍，最高可達(dá)3.3TB/s。

通過(guò)12層堆疊技術(shù)，三星為HBM4提供了從24GB到36GB不等的容量。未來(lái)三星還將通過(guò)16層堆疊技術(shù)，將容量擴(kuò)展到最高48GB。

HBM4的接口位寬為2048位，相比于過(guò)往的HBM翻倍，帶來(lái)了新的功耗和散熱問(wèn)題。為此三星將先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)方案集成到核心芯片中，采用低電壓硅通孔（TSV）技術(shù)和電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）優(yōu)化，HBM4在功耗效率上相比于HBM3E提升了40%，同時(shí)熱阻降低了10%，散熱能力提升了30%。

三星HBM4為數(shù)據(jù)中心環(huán)境帶來(lái)卓越性能和能效還有高可靠性，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)GPU吞吐量最大化，并有效管理其總體擁有成本（TCO）。

原 文 鏈接：https://m.ithome.com/html/920323.htm

這效率比想象的還快啊，而且正如我們預(yù)料的一樣，三星果然將自家的先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)用在了HBM內(nèi)存基板上。這也算是一種內(nèi)卷，我三星用了4nm，你們兩家跟不跟？不跟的話，你們性能不如我，跟的話，你們成本不如我，這已經(jīng)是三星的陽(yáng)謀了?。?！

新 聞2：三星和SK海力士都面臨產(chǎn)能和良品率問(wèn)題，
英偉達(dá)或放寬HBM4規(guī)格要求

隨著新一代Vera Rubin平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)階段，SK海力士和三星都將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4。三星在昨天就已官宣量產(chǎn)HBM4，采用了4nm基礎(chǔ)裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm級(jí)別）工藝制造DRAM芯片，并已向客戶(hù)發(fā)貨商用產(chǎn)品，領(lǐng)先于SK海力士和美光。

據(jù)TrendForce報(bào)道，性能是HBM4至關(guān)重要的指標(biāo)，不過(guò)產(chǎn)能和良品率決定了下一代AI加速器是否能夠按時(shí)提供穩(wěn)定供應(yīng)，而今年整體HBM4供應(yīng)動(dòng)態(tài)大概率主要取決于英偉達(dá)的采購(gòu)策略，也就是訂單的分配情況。按照最近一段時(shí)間的說(shuō)法，SK海力士將占據(jù)Vera Rubin平臺(tái)大部分HBM4訂單，份額可能在60%至70%，超過(guò)了之前50%的預(yù)期。

雖然SK海力士延續(xù)了HBM3E時(shí)代的強(qiáng)勢(shì)，拿到了過(guò)半的HBM4訂單，但是早期的可靠性評(píng)估顯示，SK海力士提供的HBM4想達(dá)到11Gbps級(jí)別速率有些困難，而SK海力士也一直在做改進(jìn)。三星在英偉達(dá)的HBM4資格測(cè)試中處于領(lǐng)先位置，有著不錯(cuò)的性能表現(xiàn)，可是1cnm DRAM芯片的良品率約為60%，短時(shí)間內(nèi)也無(wú)法大幅提高產(chǎn)能，即便三星加速擴(kuò)大生產(chǎn)線，也不足以滿(mǎn)足英偉達(dá)整體HBM4的需求。

市場(chǎng)已經(jīng)更多地將關(guān)注點(diǎn)放到了英偉達(dá)的整體采購(gòu)策略上，如果堅(jiān)持11.7Gbps的規(guī)格，可能很難采購(gòu)足夠數(shù)量的HBM4用于Vera Rubin平臺(tái)。有業(yè)內(nèi)人士透露，英偉達(dá)可能放寬HBM4規(guī)格要求，除了11.7Gbps，還將采購(gòu)速率降一檔的10.6Gbps產(chǎn)品，以降低存儲(chǔ)器制造商的生產(chǎn)難度，從而確保HBM4的穩(wěn)定供應(yīng)。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104213.html

不過(guò)現(xiàn)在看來(lái)，其實(shí)供需市場(chǎng)已經(jīng)倒掛了。此前，內(nèi)存廠商都是靠著大客戶(hù)來(lái)支撐，但現(xiàn)在大客戶(hù)已經(jīng)需要反過(guò)來(lái)兼容內(nèi)存廠商的問(wèn)題了。Nvidia還不是一般的大客戶(hù)，可想而知其他客戶(hù)的處境了……估計(jì)三星海力士就算使用降級(jí)片交付，大家也只能笑呵呵的接受了……

新 聞3： 美光駁斥被邊緣化的傳言，HBM4已提前一個(gè)季度量產(chǎn)，速率超過(guò)11Gbps

近日有報(bào)道稱(chēng)，美光在HBM4供應(yīng)上出現(xiàn)了一些問(wèn)題，導(dǎo)致落后于三星和SK海力士，英偉達(dá)可能會(huì)對(duì)原先規(guī)劃的訂單進(jìn)行調(diào)整，將部分美光的訂單轉(zhuǎn)交給三星，三星的份額將從20%升至30%，而美光則相反，從30%降至20%。外界猜測(cè)，如果美光的HBM4問(wèn)題嚴(yán)重，甚至可能被排除在HBM4供應(yīng)商名單之外。

據(jù)TrendForce報(bào)道，近日在公開(kāi)活動(dòng)中，美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ark Murphy駁斥了美光被英偉達(dá)邊緣化的傳言，稱(chēng)這些報(bào)道都是“不準(zhǔn)確的”，表示美光已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，并向客戶(hù)發(fā)貨。

按照Mark Murphy說(shuō)法，實(shí)際情況應(yīng)該是HBM4生產(chǎn)提速，量產(chǎn)時(shí)間從第二季度前移至第一季度。同時(shí)Mark Murphy還強(qiáng)調(diào)，美光的HBM4良品率與預(yù)期相符，正在按計(jì)劃推進(jìn)，可以提供速率超過(guò)11Gbps的產(chǎn)品。

美光的HBM4采用了1? (1-beta) DRAM工藝制造，為2048-bit接口，每個(gè)堆棧的帶寬超過(guò)了2.0 TB/s，性能比上一代產(chǎn)品提高了60%以上，同時(shí)還內(nèi)置自檢（MBIST）功能。與美光的上一代HBM3E產(chǎn)品相比，這次HBM4的功率效率提高了20%以上。

隨著英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)階段，三星、SK海力士和美光在HBM4的爭(zhēng)奪戰(zhàn)也變得愈發(fā)激烈。

原文鏈接：https://m.expreview.com/104180.html

那其實(shí)大家可以看到，市場(chǎng)中心的明星已經(jīng)是三星和SK海力士了，第三大DRAM廠商的美光怎么樣了？？美光也很糾結(jié)自己被邊緣化的事情，專(zhuān)門(mén)發(fā)信息回應(yīng)自己并未邊緣化，目前也已經(jīng)完成了HBM4的量產(chǎn)準(zhǔn)備，不知道美光能拿出什么樣的成績(jī)了！

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