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在當今世界，半導體產(chǎn)業(yè)是技術創(chuàng)新的核心。從智能手機和筆記本電腦到先進的醫(yī)療設備和人工智能系統(tǒng)，幾乎所有現(xiàn)代電子產(chǎn)品都依賴于日益精密的微芯片。推動這一進步的領軍企業(yè)之一是臺積電，它是全球最大的純半導體代工廠。憑借持續(xù)的研究、先進的制造技術和積極的規(guī)模化戰(zhàn)略，臺積電在拓展芯片制造的極限方面發(fā)揮了關鍵作用。

隨著半導體技術的進步，縮小器件尺寸成為一項至關重要的目標。更小的晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)更高的器件密度、更快的開關速度和更低的功耗。然而，尺寸縮小也帶來了巨大的工程挑戰(zhàn)。在5納米及更小的工藝節(jié)點上，即使是微小的圖案偏差也會顯著影響器件的性能和良率。當相鄰結構之間的距離接近幾十納米時，精確控制這些距離（例如“端到端”間距）變得越來越困難。

傳統(tǒng)光刻工藝通常需要多次圖案化和蝕刻步驟才能實現(xiàn)極小的間距。在早期方法中，形成端到端距離非常小的圖案可能需要三個獨立的光刻步驟以及多個蝕刻階段。每增加一個步驟都會增加生產(chǎn)時間、成本以及對準誤差的可能性。掩模之間的套刻誤差會導致關鍵尺寸偏差，從而對器件可靠性和制造良率產(chǎn)生負面影響。因此，在保持或提高精度的同時減少工藝步驟是先進半導體制造的關鍵目標。

一項重要的創(chuàng)新在于，利用單一光刻工藝結合精心設計的蝕刻技術，實現(xiàn)小于35納米的端到端距離。這種方法并非依賴多次圖案轉(zhuǎn)移，而是首先利用先進的光刻技術（例如極紫外光刻）在光刻膠層中形成單向特征。極紫外光刻使用波長極短的光，能夠形成比以往深紫外光刻系統(tǒng)更小的特征。通過精心設計初始圖案，然后應用可控角度的蝕刻工藝，可以在不改變特征寬度的情況下調(diào)整其有效長度。

斜角蝕刻技術尤為重要。通過將離子束以特定角度照射到襯底表面，工程師可以有選擇地修整或擴展圖案結構的特定尺寸。例如，可以增加沿某一方向的特征長度，從而減小相鄰特征之間的間距。這使得最終圖案的間距比光刻掩模中最初定義的間距更小。重要的是，該方法在僅調(diào)整所需軸向的同時，保持了關鍵的寬度尺寸，從而實現(xiàn)了精確的尺寸控制。

這種工藝優(yōu)化具有多項優(yōu)勢。首先，它將所需的光刻步驟從三個減少到一個，從而縮短了周期時間并降低了制造成本。光刻是半導體制造中最昂貴、最耗時的步驟之一，因此即使減少一個光刻步驟也能帶來顯著的經(jīng)濟效益。其次，更少的工藝步驟降低了累積缺陷和錯位誤差的風險，從而提高了整體良率和器件可靠性。第三，精簡的工藝流程提高了高產(chǎn)量制造環(huán)境下的生產(chǎn)效率，從而能夠更快地將先進芯片推向市場。

在諸如FinFET等廣泛應用于先進工藝節(jié)點的器件中，精確的圖案控制至關重要。FinFET架構依賴于三維溝道結構，與平面晶體管相比，這種結構能夠更好地控制靜電。然而，其三維幾何結構也增加了制造工藝的復雜性。保持觸點、柵極和互連線之間一致的間距，是確保良好電氣隔離和性能的關鍵。能夠在不增加工藝復雜性的前提下實現(xiàn)更小端到端距離的技術，將直接支持FinFET及未來晶體管架構的持續(xù)微縮。

歸根結底，半導體制造領域的創(chuàng)新不僅僅在于縮小芯片尺寸，更在于如何高效、可靠且經(jīng)濟地實現(xiàn)這一目標。像臺積電這樣的公司持續(xù)加大對工藝集成、材料工程和先進圖形化技術的投資，以確保在5納米節(jié)點之后繼續(xù)取得進展。通過將先進的光刻技術與創(chuàng)新的蝕刻策略相結合，半導體行業(yè)能夠克服曾經(jīng)看似無法逾越的尺寸縮小障礙。

隨著人工智能、5G通信、自動駕駛汽車和高性能計算等技術的推動，全球?qū)τ嬎隳芰Φ男枨蟛粩嘣鲩L，此類創(chuàng)新的重要性只會與日俱增。以極高的精度控制納米級距離的能力，不僅是一項技術成就，更是一項塑造現(xiàn)代技術未來的基石。

https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/366877-tsmc-process-simplification-for-advanced-nodes/

（來源：編譯自semiwiki）

*免責聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，半導體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業(yè)觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導體行業(yè)觀察。

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