山東
IT之家 2 月 24 日消息，韓媒 Sedaily 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 22 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子位于平澤園區(qū) P2、P3 晶圓廠(chǎng)的晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能利用率已從去年的不及 50% 回升至當(dāng)下的 80% 左右，出現(xiàn)明顯改觀。
IT之家了解到，這些生產(chǎn)線(xiàn)制造 4nm、5nm、7nm 等“非尖端先進(jìn)制程”工藝的半導(dǎo)體，隨著三星電子存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)啟動(dòng) HBM 量產(chǎn)帶來(lái)大規(guī)模 Base Die 訂單和外部需求的增加，原本缺乏需求的產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始高強(qiáng)度運(yùn)作。
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，在 2nm 逐步投產(chǎn)、特斯拉與蘋(píng)果訂單放量等的推動(dòng)下，三星半導(dǎo)體的非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)有望迎來(lái)重大拐點(diǎn)，最早 2026Q4 即可擺脫連續(xù)虧損的長(zhǎng)期頹勢(shì)。
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