快科技2月26日消息，據(jù)媒體報道，隨著存儲芯片技術持續(xù)迭代，三星正加速告別傳統(tǒng)工藝。自2013年率先量產(chǎn)3D V-NAND閃存以來，三星逐步將傳統(tǒng)的2D NAND產(chǎn)線轉向3D堆疊架構。

時隔十余年，這條技術過渡路線迎來了重要節(jié)點：三星最后一條2D NAND產(chǎn)線即將正式退出歷史舞臺。這條位于華城12號的生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能約8萬至10萬片12英寸晶圓，三星最早將于3月停止其運營。

不過，這并非簡單的關停，而是產(chǎn)線角色的轉換——它將被改造為DRAM后處理車間，專注于金屬布線和表面處理等前端工藝完成后的后續(xù)工序。升級之后，該產(chǎn)線將分擔華城工廠其他DRAM生產(chǎn)線的工作量，從整體上提升生產(chǎn)效率。

事實上，這一調(diào)整早有跡可循。三星電子在去年第四季度的財報中已透露，將從傳統(tǒng)工藝向先進工藝過渡，包括停止生產(chǎn)傳統(tǒng)的2D NAND。

當前，2D NAND主要應用于U盤等低成本存儲設備，但隨著3D NAND的普及，市場需求已大幅萎縮，主要NAND廠商均已基本完成向3D閃存的過渡。

此番華城12號線升級完成后，三星的產(chǎn)能布局將更加清晰：華城工廠將全力生產(chǎn)DRAM內(nèi)存，而平澤工廠則繼續(xù)兼顧DRAM、NAND生產(chǎn)。

值得注意的是，原本平澤P4產(chǎn)線混用DRAM、NAND和晶圓代工生產(chǎn)，如今新的規(guī)劃傾向于聚焦1c DRAM的生產(chǎn)。與此同時，三星位于西安的工廠將繼續(xù)負責NAND生產(chǎn)，并同步推進產(chǎn)線工藝的轉換。

三星此次產(chǎn)線調(diào)整，不僅是為了優(yōu)化資源配置，更是為下一代高帶寬內(nèi)存（HBM4）鋪路——改造后產(chǎn)出的1c DRAM，正是HBM4的重要基礎。根據(jù)三星的規(guī)劃，預計今年下半年，1c DRAM的總晶圓產(chǎn)能將達到每月約20萬片。