來源：東財財經(jīng)頭條

　　周三存儲芯片概念股走強，同有科技、深科達、西測測試等20CM漲停，廣合科技、中電港等漲停，佰維存儲漲超9%，盤中續(xù)創(chuàng)新高。

　　據(jù)證券時報，2026年第一季度全球存儲芯片市場迎來超預(yù)期價格上漲。群智咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季消費電子存儲價格比2025年第四季度漲幅超過60%，其中NAND閃存環(huán)比漲幅更是突破70%，創(chuàng)下近年來的單季最高漲幅紀(jì)錄。

　　AI服務(wù)器強勁需求是本輪存儲漲價的最主要原因。根據(jù)第三方機構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)，2025年全球八大云服務(wù)提供商（CSP）資本支出總額年增率達65%，預(yù)計2026年資本開支總額達6020億美元，增速在40%左右的高位。

　　根據(jù)TrendForce口徑，全球八大云服務(wù)提供商指的是亞馬遜、谷歌、微軟、Meta、甲骨文、阿里巴巴、騰訊與百度。

　　本輪存儲芯片漲價呈現(xiàn)顯著的結(jié)構(gòu)性特征。AI服務(wù)器對HBM、DDR5等高帶寬內(nèi)存的需求持續(xù)旺盛，導(dǎo)致存儲原廠將產(chǎn)能優(yōu)先向高利潤產(chǎn)品傾斜，消費電子用DRAM與NAND的供應(yīng)規(guī)模被進一步壓縮。與此同時，存儲廠商與終端廠商的庫存水位持續(xù)處于低位，補庫存需求強烈，多重因素疊加放大了市場的供應(yīng)緊張缺口。

　　韓國SK集團董事長崔泰源在英偉達GTC大會上表示，由于芯片生產(chǎn)存在系統(tǒng)性瓶頸，他預(yù)計全球內(nèi)存芯片短缺的情況很可能會持續(xù)到2030年。與此同時，他預(yù)計DRAM、NAND和HBM等各類存儲芯片的價格將持續(xù)上漲，漲勢可能會持續(xù)較長時間。

西南證券指出，AI大模型技術(shù)超預(yù)期迭代升級，全球Token消耗量爆發(fā)式增長，由此帶來海量的數(shù)據(jù)存儲、處理和檢索需求，存儲行業(yè)迎來超級景氣周期。海外三大原廠將有限產(chǎn)能向高利潤HBM和DDR5產(chǎn)品傾斜，對消費級和低端存儲芯片產(chǎn)能造成嚴(yán)重擠壓，供需缺口擴大。此外，存儲原廠在上輪周期產(chǎn)能和資本開支過度后，本輪周期擴產(chǎn)動作均較為謹(jǐn)慎；且高端HBM存儲芯片存在潔凈室建設(shè)周期長、良率爬坡困難等問題，短期供給持續(xù)偏緊。在需求爆發(fā)