4月2日消息，外資投行摩根士丹利近日在針對(duì)內(nèi)存芯片大廠美光科技（Micron）跟蹤報(bào)告中披露，美光董事長(zhǎng)兼CEO Sanjay Mehrotra等高層于日前投資人會(huì)議中指出，雖然美光正在積極擴(kuò)產(chǎn)DRAM，但新產(chǎn)能最快也要2027年底才會(huì)出貨，所以DRAM供不應(yīng)求的狀態(tài)將持續(xù)至2027年，其中另一關(guān)鍵原因則在于一些半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)能不足。

目前，人工智能芯片所驅(qū)動(dòng)的對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，仍是導(dǎo)致整個(gè)DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求的關(guān)鍵瓶頸。美光已在2025年第三季達(dá)成HBM位市占率追平其整體DRAM市占的目標(biāo)，美光還看好其未來HBM4E與HBM5導(dǎo)入定制化邏輯基礎(chǔ)芯片后，將進(jìn)一步推升HBM價(jià)格、成本與利潤(rùn)率。因?yàn)閺腍BM3E過渡至HBM4/5時(shí)，消耗DRAM產(chǎn)能的比重可能高達(dá)4:1（此前為3:1）。而且此前數(shù)據(jù)顯示，目前利用DRAM堆疊制造HBM的良率仍在50%-60%左右，這將使得DRAM整體供需失衡的狀況更加劇烈。

為了應(yīng)對(duì)這種結(jié)構(gòu)性改變，AI與數(shù)據(jù)中心的發(fā)展已使DRAM成為策略性重要資產(chǎn)。美光近期啟動(dòng)了“戰(zhàn)略性客戶協(xié)議”（SCA），目前已簽署了一份為期五年的長(zhǎng)期合約，以確保資本支出的適當(dāng)資本回報(bào)率（ROIC），展現(xiàn)出與以往周期不同的運(yùn)營(yíng)持久性。

在財(cái)務(wù)指標(biāo)上，美光最新一季的毛利率財(cái)測(cè)指引高達(dá)81%，管理層更將遠(yuǎn)期目標(biāo)放眼至80%區(qū)間中段。盡管市場(chǎng)近期對(duì)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格下跌及部分過量出貨傳聞抱持疑慮，但美光認(rèn)為這些因素影響有限，并樂觀預(yù)期到2027年每股盈余（EPS）將上看至少100美元。

在擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃上，為支持HBM及先進(jìn)制程DRAM的制造，美光大幅上修資本支出，預(yù)估2026財(cái)年資本支出將達(dá)250億美元，2027財(cái)年更預(yù)期將突破370億美元，并計(jì)劃讓所有產(chǎn)線皆具備EUV設(shè)備能力。雖然，美光正積極地?cái)U(kuò)產(chǎn)，但是美光預(yù)期首批新建晶圓廠的產(chǎn)能最快于2027年底出貨，預(yù)估至2028年才會(huì)對(duì)市場(chǎng)供給產(chǎn)生實(shí)質(zhì)影響，屆時(shí)可能迎來DRAM的供需平衡。而在這一過程中，關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的重足供應(yīng)尤為關(guān)鍵。但目前先進(jìn)制程所需的極紫外光刻（EUV）設(shè)備產(chǎn)能有限，且交付周期較長(zhǎng)。

針對(duì)近期中東等地的地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，美光強(qiáng)調(diào)其產(chǎn)能布局分散，且作為美國(guó)供應(yīng)商，對(duì)比日韓競(jìng)爭(zhēng)者具有高度的戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

在資本回報(bào)方面，受限于美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的五年期資金補(bǔ)貼協(xié)議，美光在協(xié)議前兩年設(shè)有回購上限，目前將優(yōu)先部署資本償還債務(wù)并增加股息。不過，美光預(yù)期自2026年12月9日限制解除后，將啟動(dòng)非常積極的股票回購計(jì)劃。整體來說，美光憑借領(lǐng)先制程、HBM比重上升以及長(zhǎng)期的客戶綁定策略，持續(xù)迎來多年上行循環(huán)。

編輯：芯智訊-浪客劍