快科技4月3日消息，三星電子近期通過(guò)公開(kāi)招標(biāo)方式，計(jì)劃出售約123臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中西安工廠86臺(tái)、韓國(guó)工廠37臺(tái)。

這批設(shè)備主要為90nm至65nm成熟制程的晶圓制造工具，涵蓋沉積、刻蝕、清洗、檢測(cè)等環(huán)節(jié)，還包括部分8英寸設(shè)備。

值得注意的是，三星此次出售的資產(chǎn)中，部分設(shè)備仍在運(yùn)行但計(jì)劃于2026年前拆除，三星已啟動(dòng)預(yù)售以提前鎖定買(mǎi)家。

設(shè)備出售的核心背景是西安工廠NAND閃存工藝的全面升級(jí)——該工廠承擔(dān)了三星約40%的NAND總產(chǎn)量，也是其唯一的海外存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)基地。

目前，三星已停止在西安工廠生產(chǎn)128層V6 NAND，取而代之的是236層V8 NAND并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)多家媒體報(bào)道，西安工廠的制程升級(jí)始于2024年，旨在改造原有V6生產(chǎn)線，以滿足AI時(shí)代對(duì)高性能存儲(chǔ)設(shè)備的需求。

在V8量產(chǎn)后，三星西安工廠的下一步瞄準(zhǔn)了286層堆疊的V9 NAND，相關(guān)生產(chǎn)線位于X2工廠，計(jì)劃在2026年內(nèi)完成過(guò)渡并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

更長(zhǎng)遠(yuǎn)的目標(biāo)是超過(guò)400層的V10 NAND，三星已為此規(guī)劃了清晰的路線圖，預(yù)計(jì)在2026年推出。

在資金投入方面，據(jù)G-enews援引監(jiān)管文件和行業(yè)數(shù)據(jù)，三星2025年在西安NAND閃存生產(chǎn)線投資4654億韓元（約合3.2億美元），較上年增長(zhǎng)67.5%。

需要提及的是，三星加速轉(zhuǎn)型的背后，是AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)高性能存儲(chǔ)的饑渴需求——企業(yè)級(jí)SSD需要更高密度、更低功耗的NAND，200層以上的技術(shù)壁壘構(gòu)成了三星與后來(lái)者之間的護(hù)城河。

與此同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)等中國(guó)本土存儲(chǔ)廠商正在快速發(fā)展。據(jù)公開(kāi)資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已穩(wěn)定大規(guī)模生產(chǎn)270層3D NAND，并計(jì)劃在2026年底前獲得15%的全球銷(xiāo)量份額。