2026年4月8日，SK hynix宣布已開始量產(chǎn)消費級固態(tài)硬盤PQC21，這塊產(chǎn)品的最大賣點是業(yè)界首款采用321層QLC NAND 閃存。

PQC21的核心技術(shù)優(yōu)勢在于將高密度321層4D NAND堆疊工藝與QLC（四級單元）存儲技術(shù)深度融合，同時采用外圍電路下置（PUC）架構(gòu)，將外圍電路放置在存儲單元陣列下方，有效縮小芯片體積，實現(xiàn)了存儲密度與產(chǎn)品小型化的雙重突破。QLC（四級單元）是一種用于NAND閃存的存儲單元，可在單個單元中存儲四位數(shù)據(jù)，這也是其實現(xiàn)高存儲密度的核心基礎(chǔ)。

具體來說，NAND閃存的性能與存儲密度，主要取決于單個存儲單元所能容納的數(shù)據(jù)位數(shù)，目前行業(yè)內(nèi)主要分為單級單元（SLC，1位）、多級單元（MLC，2位）、三層單元（TLC，3位）、四級單元（QLC，4位）及五級單元（PLC，5位）。

其中，隨著存儲單元層級的提升，同一體積的NAND閃存可承載的數(shù)據(jù)量將呈指數(shù)級增長，進(jìn)而實現(xiàn)存儲密度的大幅提升，這也是PQC21能夠在小巧體積內(nèi)實現(xiàn)高容量的核心原因。據(jù)市場研究機構(gòu)IDC預(yù)測，QLC NAND閃存在全球cSSD市場的份額將從2025年的22%顯著增長至2027年的61%，市場潛力巨大。

不僅如此，PQC21還創(chuàng)新性地搭載了動態(tài)SLC緩存技術(shù)，并采用DP芯片封裝技術(shù)，將多個321層NAND芯片集成到單一芯片中，進(jìn)一步提升單位面積的存儲密度。其中，動態(tài)SLC緩存可根據(jù)數(shù)據(jù)訪問需求，將部分存儲區(qū)域靈活切換為SLC（單級單元）模式，大幅提升頻繁訪問數(shù)據(jù)的讀寫速度與穩(wěn)定性。

該技術(shù)采用“高速寫入+后臺轉(zhuǎn)換”的智能機制，先以SLC模式高速寫入數(shù)據(jù)，再通過后臺算法自動轉(zhuǎn)換為QLC目標(biāo)格式，既保證了瞬時寫入性能，又兼顧了長期存儲的高密度需求，全面優(yōu)化了產(chǎn)品的整體響應(yīng)效率與使用體驗，有效彌補了傳統(tǒng)QLC技術(shù)在速度上的短板。

容量方面，PQC21初期推出1TB和2TB兩種主流規(guī)格，可充分滿足AI PC、高端筆記本及臺式機等設(shè)備的存儲需求，適配AI模型加載、多模態(tài)數(shù)據(jù)處理等高頻場景。

SK hynix表示，這款產(chǎn)品從2026年4月起， 已正式向戴爾科技批量供貨。后續(xù)SK hynix還將逐步擴大合作范圍，與全球更多主流PC廠商達(dá)成深度合作，進(jìn)一步拓寬產(chǎn)品的市場覆蓋。

總體來看，SK hynix PQC21這款321層QLC固態(tài)硬盤的成功量產(chǎn)與批量供應(yīng)，不僅是公司在AI PC存儲領(lǐng)域的關(guān)鍵里程碑，更是其在高堆疊層數(shù)NAND技術(shù)領(lǐng)域的又一突破。該產(chǎn)品將精準(zhǔn)匹配AI PC時代對高容量、高性能、低功耗存儲的核心需求，助力終端設(shè)備實現(xiàn)更流暢的AI運算與多任務(wù)處理，強化其在內(nèi)存與存儲領(lǐng)域的核心競爭力，持續(xù)引領(lǐng)AI PC存儲技術(shù)的迭代升級。

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