目前Intel與AMD平臺(tái)均已適配兼容PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)，PCIe5.0理論測(cè)試帶寬相較于PCIe4.0直接翻倍，對(duì)生產(chǎn)力與游戲的提升可謂是立竿見(jiàn)影的，市面上的PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)主要分為DRAM-Based（配備獨(dú)立DRAM緩存芯片）和DRAM-Less（無(wú)獨(dú)立DRAM緩存芯片）兩種方案，在讀寫(xiě)性能表現(xiàn)與價(jià)格方面均有所差異，前者通常以高端旗艦的形象出現(xiàn)，不過(guò)在價(jià)格上往往不占優(yōu)勢(shì)，若你是追求極致的讀寫(xiě)性能，那么配備獨(dú)立DRAM緩存芯片的固態(tài)硬盤(pán)必然是優(yōu)先選擇，宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)就是其中之一，標(biāo)稱(chēng)順序讀取寫(xiě)入速度均可達(dá)14000MB/s與13000MB/s，接下來(lái)對(duì)其深度測(cè)試性能表現(xiàn)。

外包裝盒子以黑色為主色調(diào)，在正面中部印有固態(tài)硬盤(pán)的設(shè)計(jì)圖案，下方印了型號(hào)與容量版本，背面則是參數(shù)規(guī)格，目前提供1TB/2TB/4TB/8TB四種不同容量規(guī)格可選，本次選擇的是2TB容量版本，包裝盒子內(nèi)含有宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)，并附帶一顆安裝螺絲與說(shuō)明書(shū)。

宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤(pán)采用M.2 2280尺寸規(guī)格，以及單面顆粒布局設(shè)計(jì)（8TB容量版本為雙面顆粒布局），主控芯片與閃存顆粒等元器件均布置于PCB板的正面，出廠自帶一塊復(fù)合材質(zhì)散熱貼，在散熱貼上僅印有宏碁掠奪者的徽標(biāo)，其大小可完全覆蓋固態(tài)硬盤(pán)表面，讓主控與顆粒都得到散熱效果。

位于固態(tài)硬盤(pán)背面僅設(shè)有一張標(biāo)簽紙，上面印有品牌型號(hào)與認(rèn)證標(biāo)識(shí)，還有產(chǎn)品SN序列號(hào)條形碼，廠商為宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤(pán)提供五年或1600TBW質(zhì)保售后服務(wù)，哪怕每天寫(xiě)入800GB數(shù)據(jù)持續(xù)五年仍未超出標(biāo)稱(chēng)TBW值，4TB容量版本的總寫(xiě)入數(shù)據(jù)量甚至達(dá)到3200TBW，高于市面上大部分PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)。

宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)支持PCIe5.0傳輸規(guī)格，不同容量版本在讀寫(xiě)性能方面會(huì)有些許區(qū)別，2TB/4TB容量版本的標(biāo)稱(chēng)順序讀取寫(xiě)入速度均可達(dá)14000MB/s與13000MB/s，4K隨機(jī)讀取寫(xiě)入分別為2000K IOPS與1600K IOPS，1TB容量版本的標(biāo)稱(chēng)順序?qū)懭霝?0500MB/s。

固態(tài)硬盤(pán)所標(biāo)配的散熱貼采用石墨烯材料結(jié)合銅箔的設(shè)計(jì)，并覆蓋核心發(fā)熱區(qū)域以實(shí)現(xiàn)快速散熱效果，當(dāng)拆卸下復(fù)合材質(zhì)散熱貼后可見(jiàn)內(nèi)部布局，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)采用DRAM-Based（帶獨(dú)立DRAM緩存）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從左往右分別為主控芯片，DRAM緩存芯片與兩顆TLC閃存顆粒，還有若干貼片電容電阻等元器件。

宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)搭載來(lái)自慧榮SMI的SM2508主控芯片，其基于臺(tái)積電6nm制程工藝打造，采用8通道32CE設(shè)計(jì)，集成四顆ARM Cortex-R8核心，支持PCIe 5.0×4傳輸接口與NVMe2.0標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，支持3600MT/s閃存接口速率，理論持續(xù)讀寫(xiě)速度分別可達(dá)14.5GB/s與14GB/s，主控右側(cè)為獨(dú)立DRAM緩存芯片，其絲印編號(hào)為BWCC2X32N2A，容量為2GB的LPDDR4內(nèi)存顆粒。

DRAM緩存芯片與TLC閃存顆粒均由佰維封裝，佰維是國(guó)內(nèi)極少數(shù)具備先進(jìn)封裝技術(shù)的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商，對(duì)品質(zhì)和穩(wěn)定性更有保障，TLC閃存顆粒的絲印編號(hào)為BWT2BN888-001T，經(jīng)過(guò)查詢是美光B58R 232層堆疊TLC閃存顆粒，單顆閃存顆粒容量為1TB，兩顆組成2TB的總?cè)萘俊?/p>

接下來(lái)對(duì)宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行性能測(cè)試，在硬件配置方面，處理器為Intel Ultra7 265K，技嘉Z890M DDR5冰雕主板，影馳RTX4070Ti Super 16GB金屬大師顯卡，8000MT/s CL38 48GB DDR5內(nèi)存條，主系統(tǒng)盤(pán)為宏碁掠奪者GM9 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤(pán)，操作系統(tǒng)為Windows 11 24H2版本。

主板共配備三個(gè)M.2固態(tài)硬盤(pán)插槽，首個(gè)M.2插槽是支持PCIe5.0×4傳輸規(guī)格，由于該M.2接口是從處理器的IOE模塊引出，再經(jīng)過(guò)SoC模塊到計(jì)算模塊，不同模塊之間使用D2D通訊，因此會(huì)出現(xiàn)在PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)傳輸速度低于預(yù)期，由于英特爾酷睿Ultra 200S處理器的特殊性，本次會(huì)搭配PCIe5.0轉(zhuǎn)接卡去安裝并測(cè)試，該轉(zhuǎn)接卡自帶厚實(shí)的鋁合金材質(zhì)散熱模塊，并將其插在主板的PCIe顯卡插槽上。

接下來(lái)的性能測(cè)試默認(rèn)在英特爾酷睿Ultra7 265K硬件平臺(tái)上進(jìn)行，除非另有說(shuō)明，先利用CrystalDiskInfo軟件查看宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)狀態(tài)信息，顯示固態(tài)硬盤(pán)支持NVMe 2.0協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)前運(yùn)行在PCIe5.0×4傳輸模式中，待機(jī)溫度為37℃，固態(tài)硬盤(pán)的總?cè)萘繛?048.4GB（10進(jìn)制），用戶實(shí)際可用存儲(chǔ)空間為1.86TB（8進(jìn)制）。

基準(zhǔn)性能測(cè)試，先在AMD銳龍9 9950X3D處理器+B850M主板上進(jìn)行性能測(cè)試，實(shí)測(cè)宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的順序讀取速度為14272MB/s，順序?qū)懭胨俣葹?3525MB/s，4K單線程讀寫(xiě)速度分別為91.8MB/s與302.67MB/s，4K隨機(jī)讀寫(xiě)IOPS分別為2073K與2209K。

回到英特爾酷睿Ultra7 265K+Z890M主板平臺(tái)，實(shí)測(cè)宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的順序讀取寫(xiě)入速度分別為14163MB/s與13409MB/s，4K單線程的讀寫(xiě)速度分別為100.3MB/s與366.44MB/s，4K隨機(jī)讀寫(xiě)IOPS分別為2064K與1907K，在AMD/Intel兩個(gè)硬件平臺(tái)上均能達(dá)到標(biāo)稱(chēng)的順序讀寫(xiě)速度, 4K隨機(jī)讀寫(xiě)均高于標(biāo)稱(chēng)值2000K與1600K。

利用PCIe全尺寸插槽去測(cè)試性能只是臨時(shí)做法，該插槽終究是用于連接高性能顯卡，那么將宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)安裝在主板的首個(gè)M.2插槽上，實(shí)測(cè)順序讀取寫(xiě)入速度分別為12434MB/s與13306MB/s，4K單線程讀寫(xiě)速度分別為99.54MB/s與359.63MB/s，從兩次速度測(cè)試對(duì)比可知，主要影響在于順序讀取速度，被限制在12400MB/s左右，順序?qū)懭胨俣扰c4K單線程多線程讀寫(xiě)速度基本沒(méi)區(qū)別。

AS SSD Benchmark基準(zhǔn)性能測(cè)試軟件，實(shí)測(cè)宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的順序讀取寫(xiě)入速度分別達(dá)到9994.44MB/s與10281.71MB/s，而4K單線程讀寫(xiě)速度分別為96.96MB/s與299.93MB/s，讀寫(xiě)延遲均為0.014ms，總成績(jī)?yōu)?4320分。

ATTO Disk Benchmark基準(zhǔn)測(cè)試軟件，在隊(duì)列深度設(shè)定值為4時(shí)，實(shí)測(cè)宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)讀取寫(xiě)入速度分別可達(dá)13.28GB/s與12.5GB/s，4K大小數(shù)據(jù)包時(shí)讀取寫(xiě)入速度分別為656.6MB/s與773.86MB/s當(dāng)文件大小為128KB或以上達(dá)到滿速寫(xiě)入，讀取速度需要在文件大小為2MB之后達(dá)到峰值。

TxBENCH基準(zhǔn)性能測(cè)試軟件，先運(yùn)行基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，全盤(pán)寫(xiě)入的進(jìn)階測(cè)試稍后再測(cè)試，實(shí)測(cè)宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的順序讀寫(xiě)速度分別為13290MB/s和14048MB/s，4K單線程隨機(jī)讀寫(xiě)速度分別為100.235MB/s與365.397MB/s。

HD Ture Pro基準(zhǔn)性能測(cè)試軟件中的文件基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，本次將文件長(zhǎng)度設(shè)為150GB，Mixed混合數(shù)據(jù)模式，相當(dāng)于往固態(tài)硬盤(pán)分別讀寫(xiě)一個(gè)大小為150GB數(shù)據(jù)文件，實(shí)測(cè)讀取速度為10915MB/s，寫(xiě)入速度為9937MB/s，整個(gè)讀寫(xiě)曲線非常平穩(wěn)。

全盤(pán)連續(xù)寫(xiě)入測(cè)試，從寫(xiě)入曲線可見(jiàn)，宏碁掠奪者GM9000 2TB固態(tài)硬盤(pán)呈現(xiàn)出三段式寫(xiě)入速度，在空盤(pán)狀態(tài)下SLC緩存空間約為380GB，此時(shí)的寫(xiě)入速度為13500MB/s，當(dāng)SLC緩存空間耗盡后，寫(xiě)入速度會(huì)下降至3700MB/s，最后為GC回收階段直至測(cè)試結(jié)束，此時(shí)寫(xiě)入速度為1800MB/s，全盤(pán)寫(xiě)入耗時(shí)不到十一分鐘。

在PCMark10基準(zhǔn)性能測(cè)試軟件中的完整系統(tǒng)盤(pán)基準(zhǔn)測(cè)試，完整測(cè)試所有應(yīng)用程序啟動(dòng)與數(shù)據(jù)加載等項(xiàng)目，可以反映固態(tài)硬盤(pán)作為主系統(tǒng)盤(pán)的表現(xiàn)，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)在該項(xiàng)目中獲得成績(jī)?yōu)?941分，帶寬為888.57MB/s，平均存取時(shí)間為29μs。

3DMark基準(zhǔn)性能測(cè)試軟件中的存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的綜合得分為5734，平均帶寬為985.53MB/s，平均存取時(shí)間為31μs，子項(xiàng)加載《戰(zhàn)地風(fēng)云5》游戲時(shí)帶寬為1718MB/s，移動(dòng)游戲帶寬為6267MB/s，前不久測(cè)試過(guò)一款PCIe4.0規(guī)格的固態(tài)硬盤(pán)，它在該測(cè)試項(xiàng)目成績(jī)也就4000分。

固態(tài)硬盤(pán)在讀寫(xiě)方面的優(yōu)勢(shì)可體現(xiàn)在實(shí)際游戲場(chǎng)景，《魔咒之地Forspoken》游戲內(nèi)置基準(zhǔn)測(cè)試功能，可測(cè)試每個(gè)場(chǎng)景載入時(shí)間，將游戲同時(shí)安裝于宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)與PCIe4.0固態(tài)硬盤(pán)中，游戲畫(huà)面設(shè)為4K分辨率與最高等級(jí)畫(huà)質(zhì)，選四個(gè)不同游戲場(chǎng)景進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，游戲數(shù)據(jù)存放于宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)中的載入時(shí)間平均能減少25%，比如第一個(gè)場(chǎng)景載入時(shí)間能縮短超過(guò)32%。

經(jīng)過(guò)多個(gè)大型游戲?qū)嶋H測(cè)試體驗(yàn)，比如《怪物獵人：荒野》與《光與影：33號(hào)遠(yuǎn)征隊(duì)》，《黑神話》的復(fù)戰(zhàn)和連戰(zhàn)模式，每次狩獵或戰(zhàn)斗都需載入場(chǎng)景數(shù)據(jù)，均能明顯感受到宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的加載速度比PCIe4.0固態(tài)硬盤(pán)更快，《極限競(jìng)速：地平線5》與《艾爾登法環(huán)》這類(lèi)開(kāi)放世界游戲也顯著縮短首次加載時(shí)間，地圖場(chǎng)景越龐大的游戲提升約明顯，無(wú)論挑戰(zhàn)BOSS成功與否，都能在更短時(shí)間內(nèi)回到戰(zhàn)場(chǎng)再戰(zhàn)，減少不必要的等待時(shí)間。

接下來(lái)將宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)空間填充到90%，繼續(xù)測(cè)試其在90%空間占用率下的讀寫(xiě)性能表現(xiàn)，實(shí)測(cè)此時(shí)讀寫(xiě)速度分別為14191MB/s與13427MB/s，4K單線程讀寫(xiě)速度分別為98.74MB/s與341.8MB/s，與空盤(pán)狀態(tài)相比并沒(méi)有出現(xiàn)讀寫(xiě)性能下降。

HD Ture Pro軟件的文件基準(zhǔn)測(cè)試，本次將文件長(zhǎng)度設(shè)為100GB，Mixed混合數(shù)據(jù)模式，這相當(dāng)于一次性往固態(tài)硬盤(pán)中分別讀寫(xiě)剩余存儲(chǔ)空間一半的文件數(shù)據(jù)，實(shí)測(cè)讀取寫(xiě)入速度分別為9784MB/s與10363MB/s，無(wú)論是順序讀寫(xiě)還是隨機(jī)讀寫(xiě)的測(cè)試結(jié)果，均與空盤(pán)狀態(tài)基本一致。

最后是運(yùn)行溫度測(cè)試，宏碁掠奪者GM9000固態(tài)硬盤(pán)提供了三個(gè)溫度傳感器數(shù)據(jù)，第二個(gè)應(yīng)該是主控芯片，其它兩個(gè)應(yīng)該是閃存顆粒，測(cè)試期間環(huán)境溫度為28℃，并搭配鋁合金散熱模塊輔助散熱，通過(guò)軟件記錄全盤(pán)寫(xiě)入期間的溫度，顯示峰值溫度為80℃，假如將金屬散熱模塊給拆了下來(lái)僅使用自帶的散熱片，在游戲場(chǎng)景下測(cè)出來(lái)的最高溫度為70℃。

結(jié)語(yǔ)：

宏碁掠奪者GM9000 PCIe5.0 2TB固態(tài)硬盤(pán)采用DRAM-Based帶獨(dú)立緩存芯片方案，所帶來(lái)的效益是相當(dāng)之明顯，在各項(xiàng)性能測(cè)試中表現(xiàn)非常優(yōu)秀，實(shí)測(cè)在Intel與AMD兩個(gè)硬件平臺(tái)上均能達(dá)到14000MB/s與13000MB/s標(biāo)稱(chēng)讀取寫(xiě)入速度值，已觸及PCIe5.0×4理論傳輸帶寬上限，4K隨機(jī)讀寫(xiě)性能更是高于標(biāo)稱(chēng)值，其讀寫(xiě)能力基本不受存儲(chǔ)空間占用率影響，即便在90%高占有率狀態(tài)下仍能保持空盤(pán)時(shí)的性能表現(xiàn)，從全盤(pán)寫(xiě)入測(cè)試結(jié)果來(lái)看，無(wú)論處于哪個(gè)寫(xiě)入階段都十分平穩(wěn)，隨機(jī)讀寫(xiě)性能與持續(xù)寫(xiě)入性能尤為突出，均優(yōu)于采用DRAM-Less方案的固態(tài)硬盤(pán)。

固態(tài)硬盤(pán)讀寫(xiě)性能在日常辦公場(chǎng)景下不一定能感覺(jué)到明顯差別，但在面對(duì)存儲(chǔ)性能有著苛刻要求的任務(wù)時(shí)優(yōu)勢(shì)盡顯，完全滿足游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者的需求，避免了頻繁等待數(shù)據(jù)交互帶來(lái)的莫名煩躁感與割裂感，在工作和游戲時(shí)更舒心高效，固態(tài)硬盤(pán)在能效方面的表現(xiàn)也很不錯(cuò)，僅依靠自帶石墨烯銅箔散熱貼，可從容應(yīng)對(duì)游戲娛樂(lè)和視頻后期等中等負(fù)載場(chǎng)景，若是用于AI模型訓(xùn)練或渲染等持續(xù)高頻率數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的高負(fù)載場(chǎng)景，仍需依靠金屬散熱模塊輔助散熱，假如固態(tài)硬盤(pán)經(jīng)常用于大量數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作的場(chǎng)景，那么1600TBW寫(xiě)入耐久度也都是加分項(xiàng)之一。