在人工智能算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）已成為大算力芯片的"性能基石"，迎來(lái)黃金發(fā)展期。憑借TSV（硅通孔）、3D堆疊及先進(jìn)封裝等關(guān)鍵技術(shù)，HBM在不占用額外空間的前提下，實(shí)現(xiàn)了容量、帶寬與功耗的最優(yōu)平衡，成為AI時(shí)代存儲(chǔ)領(lǐng)域的核心突破口。

而HBM高度復(fù)雜的制造工藝對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備提出了嚴(yán)苛要求，卻也為國(guó)產(chǎn)設(shè)備商打開(kāi)了戰(zhàn)略性切入窗口。如今，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備正大舉進(jìn)軍HBM領(lǐng)域，在關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。

01

技術(shù)迭代催生需求，HBM設(shè)備成核心支撐

HBM的技術(shù)優(yōu)勢(shì)源于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造工藝。它通過(guò)將多片DRAM Die與Logic Die借助TSV（硅通孔）和Bump（凸點(diǎn)）實(shí)現(xiàn)垂直互連，再經(jīng)中介層與GPU集成于ABF載板，最終通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）形成一體化產(chǎn)品。這種設(shè)計(jì)不僅縮短了信號(hào)傳輸路徑、降低了功耗，更實(shí)現(xiàn)了1024bit的超高總線位寬（HBM1到HBM3E均保持在1024bit），完美匹配AI芯片的高帶寬需求。

與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM的制造流程涵蓋TSV、凸點(diǎn)制造、堆疊鍵合、封裝測(cè)試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其中TSV工藝占HBM總成本的30%，是決定產(chǎn)品性能的核心工序。TSV工藝的實(shí)現(xiàn)需要一系列高端設(shè)備支撐：深孔刻蝕設(shè)備采用Bosch工藝干法刻蝕技術(shù)，為通孔制造奠定基礎(chǔ)；氣相沉積設(shè)備負(fù)責(zé)絕緣層、阻擋層與種子層的精準(zhǔn)沉積；銅填充設(shè)備需解決高深寬比微孔金屬化難題，是整個(gè)工藝中難度最大的環(huán)節(jié)；CMP設(shè)備則要將晶圓減薄至50μm以下，確保銅層暴露以實(shí)現(xiàn)互連。此外，2.5D封裝所需的中介層制造設(shè)備、堆疊鍵合設(shè)備以及封裝后的檢測(cè)設(shè)備，共同構(gòu)成了HBM生產(chǎn)的設(shè)備體系，其技術(shù)門檻遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DRAM制造設(shè)備。

由于HBM在設(shè)計(jì)、制造與封測(cè)全流程均存在顯著差異，進(jìn)一步放大了對(duì)專用設(shè)備的需求。隨著HBM4世代技術(shù)的迭代，設(shè)備的工藝精度、兼容性與穩(wěn)定性要求持續(xù)提升，為具備核心技術(shù)實(shí)力的設(shè)備商提供了廣闊市場(chǎng)空間。

02

AI驅(qū)動(dòng)HBM擴(kuò)產(chǎn)，相關(guān)設(shè)備迎來(lái)機(jī)遇

2025年四季度以來(lái)，全球存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)強(qiáng)勢(shì)上漲，新需求推動(dòng)成品價(jià)格屢創(chuàng)新高，為存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)提供了強(qiáng)勁動(dòng)力。在AI浪潮的全面席卷下，存儲(chǔ)芯片短缺問(wèn)題愈演愈烈，三星、SK海力士、美光等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭紛紛將資本開(kāi)支向HBM等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品傾斜，傳統(tǒng)存儲(chǔ)供需缺口預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年。在此背景下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)緊迫性顯著提升，作為擴(kuò)產(chǎn)前置環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體設(shè)備，率先成為市場(chǎng)關(guān)注的核心焦點(diǎn)。

行業(yè)共識(shí)已明確AI帶來(lái)的存儲(chǔ)缺貨具有持續(xù)性，招商證券研報(bào)指出，本輪存儲(chǔ)行業(yè)上行周期與2024年原廠減產(chǎn)提價(jià)導(dǎo)致的短期上漲截然不同，核心驅(qū)動(dòng)力是AI時(shí)代存儲(chǔ)需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，呈現(xiàn)出價(jià)格上漲持續(xù)時(shí)間更長(zhǎng)、漲勢(shì)加速的特征。而供給側(cè)產(chǎn)能釋放有限，預(yù)計(jì)2026年上半年甚至全年，高端存儲(chǔ)芯片供需缺口將進(jìn)一步擴(kuò)大，價(jià)格漲勢(shì)有望延續(xù)。

受益于AI產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁賦能，全球HBM市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)飆升。數(shù)據(jù)顯示，2024年，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1700億美元，較上年增長(zhǎng)78%。按產(chǎn)品類型劃分，DRAM（包括HBM）占據(jù)最大份額，達(dá)57%。HBM本身占10%。按產(chǎn)品類型劃分，DRAM市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的970億美元增長(zhǎng)到2030年的1940億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為12%。HBM將推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)，其市場(chǎng)規(guī)模將從2024年的174億美元顯著增長(zhǎng)到2030年的980億美元。HBM市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將高達(dá)約33%，領(lǐng)跑整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

當(dāng)前全球市場(chǎng)雖由三星、SK海力士、美光三大巨頭主導(dǎo)，但國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)正加速追趕，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。隨著HBM4世代技術(shù)迭代推進(jìn)，刻蝕、沉積、檢測(cè)等核心設(shè)備的市場(chǎng)需求迎來(lái)激增，為半導(dǎo)體設(shè)備商開(kāi)辟了前所未有的發(fā)展空間。

拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉認(rèn)為，存儲(chǔ)價(jià)格上漲反映出市場(chǎng)仍存在較大需求缺口，從中長(zhǎng)期來(lái)看，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片制造廠持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。數(shù)據(jù)量的快速增長(zhǎng)正驅(qū)動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）向三維集成等方向演進(jìn)，3D NAND Flash芯片堆疊層數(shù)不斷提高，技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)將同步抬升下游客戶對(duì)先進(jìn)硬掩模、關(guān)鍵介質(zhì)薄膜以及相關(guān)薄膜沉積、鍵合設(shè)備的技術(shù)要求和采購(gòu)需求。

值得關(guān)注的是，當(dāng)前中國(guó)HBM產(chǎn)業(yè)鏈在關(guān)鍵設(shè)備端的國(guó)產(chǎn)化率不足5%，成為制約國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片突圍的最大短板，也為國(guó)產(chǎn)設(shè)備商提供了明確的突破方向。

03

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備商大局進(jìn)軍HBM

HBM市場(chǎng)需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)直接帶動(dòng)了上游設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的崛起。近期，國(guó)內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)密集披露 HBM 相關(guān)進(jìn)展，在刻蝕、沉積、鍵合、檢測(cè)等核心環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)全面突破。

制造端核心設(shè)備

盛美上海在互動(dòng)平臺(tái)明確，公司已推出已推出多款適配HBM工藝的設(shè)備。其中，公司的Ultra ECP 3d設(shè)備可用于TSV銅填充；全線濕法清洗設(shè)備及電鍍銅設(shè)備等均可用于HBM工藝，全線封測(cè)設(shè)備（包括濕法設(shè)備、涂膠、顯影設(shè)備及電鍍銅設(shè)備）亦可應(yīng)用于大算力芯片2.5D封裝工藝。

北方華創(chuàng)表示，隨著HBM市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)，將帶動(dòng)相關(guān)工藝設(shè)備需求的增加。公司在HBM芯片制造領(lǐng)域可提供深硅刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心設(shè)備。

中微公司表示，目前公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（包含高寬帶存儲(chǔ)器HBM工藝）全面布局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測(cè)設(shè)備等，且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備。

邁為股份表示，目前公司高選擇比刻蝕設(shè)備及混合鍵合設(shè)備等可用于DRAM（高帶寬存儲(chǔ)器HBM）工藝。公司刻蝕和薄膜沉積設(shè)備已廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片、邏輯芯片制造領(lǐng)域。

鍵合與封裝設(shè)備

拓荊科技：作為國(guó)內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)混合鍵合設(shè)備（W2W）量產(chǎn)的廠商，其晶圓對(duì)晶圓鍵合產(chǎn)品（dione 300）和芯片對(duì)晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品（propus）均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，通過(guò)頭部晶圓廠驗(yàn)證。新一代高速高精度晶圓對(duì)晶圓混合鍵合產(chǎn)品已發(fā)貨至客戶端驗(yàn)證，芯片對(duì)晶圓混合鍵合設(shè)備驗(yàn)證進(jìn)展順利，同時(shí)永久鍵合后晶圓激光剝離產(chǎn)品已開(kāi)發(fā)完成。

華卓精科：自主研發(fā)推出全系列 HBM 高端裝備，包括混合鍵合設(shè)備(UP-UMAHB300)、熔融鍵合設(shè)備(UP-UMAFB300)、芯粒鍵合設(shè)備(UP-D2W-HB)、激光剝離設(shè)備(UP-LLR-300)、激光退火設(shè)備(UP-DLA-300)。公司的CMP裝備、減薄裝備、劃切裝備、邊拋裝備等產(chǎn)品均作為HBM、CoWos等芯片堆疊與先進(jìn)封裝工藝的關(guān)鍵核心裝備，目前已在多家頭部客戶獲得廣泛應(yīng)用。

量檢測(cè)與配套設(shè)備

中科飛測(cè)：首臺(tái)晶圓平坦度測(cè)量設(shè)備GINKGOIFM-P300 成功出貨 HBM 客戶端，標(biāo)志著我國(guó)在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，不僅打破國(guó)外廠商長(zhǎng)期壟斷，還突破了國(guó)內(nèi)設(shè)備對(duì)超高翹曲晶圓、低反射率晶圓的量測(cè)限制，同時(shí)支持鍵合后晶圓及 SiC/GaAs 化合物半導(dǎo)體襯底的全參數(shù)檢測(cè)。

賽騰股份：HBM 檢測(cè)設(shè)備業(yè)務(wù)持續(xù)拓展，三星作為公司重要客戶，前期批量 HBM 設(shè)備訂單已交付并陸續(xù)驗(yàn)收。自主研發(fā)的晶圓邊緣全方位監(jiān)控設(shè)備 RXW-1200 已成功交付國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體頭部 FAB 客戶，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)布局同步推進(jìn)。

武漢精測(cè)：控股子公司及合并范圍內(nèi)其他子公司在十二個(gè)月內(nèi)，與同一客戶簽訂累計(jì)金額4.33 億元的半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備銷售合同。合同產(chǎn)品主要應(yīng)用于先進(jìn)存儲(chǔ)和HBM（高帶寬內(nèi)存）等前沿領(lǐng)域，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體高端檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升。

從核心制造到封裝測(cè)試，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)已構(gòu)建起覆蓋 HBM 全產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)備供給能力。隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備在技術(shù)成熟度、客戶驗(yàn)證等方面的持續(xù)突破，將進(jìn)一步降低國(guó)內(nèi) HBM 芯片廠商的設(shè)備采購(gòu)成本，加速國(guó)產(chǎn) HBM 芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，為我國(guó) AI 算力產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供關(guān)鍵支撐。

當(dāng)前，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備商在HBM領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)從0到1的關(guān)鍵突破。但同時(shí)也應(yīng)清醒地認(rèn)識(shí)到，與國(guó)際領(lǐng)先水平相比，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在工藝精度、技術(shù)代差、供應(yīng)鏈韌性等方面仍存在差距。

在AI需求持續(xù)爆發(fā)的大背景下，HBM設(shè)備已成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的新增長(zhǎng)極。這場(chǎng)HBM設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的攻堅(jiān)戰(zhàn)，不僅關(guān)乎單個(gè)企業(yè)的發(fā)展，更關(guān)乎我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的升級(jí)突圍。未來(lái)，隨著政策、產(chǎn)業(yè)、技術(shù)的協(xié)同發(fā)力，國(guó)產(chǎn)設(shè)備商必將持續(xù)突破技術(shù)瓶頸，縮小國(guó)際差距，在全球HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)重要地位，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。