一則尚未得到官方證實，卻已在產(chǎn)業(yè)界引發(fā)廣泛關注的消息正在悄然流傳：日本正通過隱性手段收緊高端光刻膠對華出口，試圖復制六年前壓服韓國的劇本，將這一核心半導體材料打造成對華施壓的籌碼。

不同于明確的禁令，日本此次并未發(fā)布公告或列出管制清單，而是通過審批流程拖延、要求補充額外材料、以產(chǎn)能緊張為由推遲交付等模糊操作，實質(zhì)性限制高端光刻膠流向中國市場，這一手法與2019年對韓制裁的套路如出一轍。

2019年，因慰安婦問題引發(fā)的外交矛盾激化，日本將韓國移出貿(mào)易白名單，對氟化氫、光刻膠、氟聚酰亞胺三大半導體關鍵材料實施出口管制。

如今，高市早苗政府似乎想故技重施，尤其在其11月7日公然宣稱臺海沖突是“日本存亡危機”后，這種以技術霸權換取政治籌碼的意圖愈發(fā)明顯，但此次面對的中國，早已不是當年缺乏反制能力的韓國。

光刻膠被譽為“芯片制造的血液”，是光刻工藝中形成電路圖案的核心材料，其純度、分辨率與穩(wěn)定性直接決定芯片的良率與制程極限，在晶圓材料制造成本中占比達13%。

全球半導體光刻膠市場長期被日本企業(yè)壟斷，東京應化、JSR、信越化學、富士膠片四大廠商合計占據(jù)近六成市場份額。

其中，深紫外（DUV）光刻膠日本企業(yè)控制著90%以上的市場，極紫外（EUV）光刻膠的市占率更是接近100%，全球僅日本掌握全流程生產(chǎn)技術。

中國作為全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要市場，2025年光刻膠市場規(guī)模預計將達到97.8億元，但其光刻膠進口依賴度高達80%至90%，其中50%至55%的供應來自日本。

更關鍵的是，光刻膠的客戶驗證周期長達12至24個月，晶圓廠為保證生產(chǎn)穩(wěn)定輕易不敢更換供應商，即便有庫存也僅能支撐數(shù)月，這正是當年日本對韓施壓能夠成功的底層邏輯。

與2019年對韓“明刀明槍”的制裁不同，日本此次對華采取了更為隱蔽的施壓策略。不發(fā)布正式禁令的做法，既為了規(guī)避WTO規(guī)則約束和國際社會的外交反彈，也能配合美國主導的芯片四方聯(lián)盟對中國半導體產(chǎn)業(yè)的圍堵，同時在涉臺問題上形成經(jīng)濟脅迫。

但日本顯然低估了中國的反制底氣與戰(zhàn)略縱深，其現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)恰恰高度依賴中國的戰(zhàn)略資源，稀土。光刻膠中的光引發(fā)劑、樹脂改性劑等關鍵組分，必須用到鏑、鋱、釹等重稀土元素，而中國不僅控制著全球70%的稀土產(chǎn)量，更掌控著90%的重稀土供應和80%的稀土冶煉分離產(chǎn)能，形成了難以替代的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢。

2025年10月，中國已依法對稀土相關物項實施更嚴格的出口管制，12月初便有日媒證實，對日稀土出口審批出現(xiàn)顯著延誤。

這并非全面禁運，而是依托《出口管制法》《稀土管理條例》實施的精準調(diào)控，正如外交部發(fā)言人所言，相關審批正在依法處理，這種制度化的博弈已形成“你斷我膠，我限你礦”的平衡格局，誰先打破這種平衡，誰就將率先承受產(chǎn)業(yè)沖擊。

更令日本始料未及的是，每一次技術封鎖都在倒逼中國加速自主創(chuàng)新的步伐。在國家相關專項的持續(xù)支持下，國產(chǎn)光刻膠已從實驗室逐步走向量產(chǎn)產(chǎn)線。

目前，KrF光刻膠的國產(chǎn)市占率已接近40%，能夠批量供應中芯國際、長江存儲等頭部晶圓廠；ArF光刻膠已通過中芯國際14納米制程驗證并實現(xiàn)量產(chǎn)，EUV光刻膠也進入中試驗證階段，取得階段性突破。

盡管高端領域的國產(chǎn)化率仍有待提升，但成熟制程的替代窗口正在快速打開。2025年，中國28納米及以上成熟制程晶圓產(chǎn)能全球占比已超過35%，這一龐大的產(chǎn)能規(guī)模為國產(chǎn)光刻膠提供了絕佳的驗證與迭代場景。

越來越多的晶圓廠開始主動縮短國產(chǎn)材料的認證周期，開放測試線資源，形成了下游需求倒逼上游技術升級的良性循環(huán)，而這正是當年韓國突破日本技術封鎖的關鍵路徑。

日本或許忘了，韓國只是單一的半導體制造大國，而中國是全球最大的半導體市場，更是擁有全產(chǎn)業(yè)鏈縱深的制造強國。

韓國可以被一顆關鍵材料“卡死”，但中國憑借完整的工業(yè)體系和巨大的市場空間，具備了“繞道突圍”的底氣與能力。光刻膠之爭的表面是材料領域的博弈，實質(zhì)是產(chǎn)業(yè)主權的爭奪。

日本依靠極致工藝和生態(tài)鎖定構筑了30年的技術壁壘，但在全球化深度融合的今天，沒有永遠不可替代的“神壇”。中國或許還需要三五年時間才能完全掌握EUV光刻膠等尖端技術，但只要守住28納米到14納米成熟制程的自主供應能力，就能確保半導體產(chǎn)業(yè)“不斷鏈、不崩盤”，為高端技術的突破贏得寶貴時間。

技術封鎖從來不是終點，而是自主創(chuàng)新的起點。當年日本用光刻膠壓服了依賴外部供應的韓國，如今卻想用同樣的手段對付一個正在系統(tǒng)性突圍的中國，這不僅是戰(zhàn)略誤判，更是對時代趨勢的錯位認知。

中國半導體產(chǎn)業(yè)的自主化進程，早已不是單點突破的零散嘗試，而是全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同推進的系統(tǒng)性工程。在戰(zhàn)略資源反制、龐大市場支撐、持續(xù)技術投入的多重加持下，日本壓服韓國的舊劇本，注定無法在新時代的中國身上重演。

這場圍繞光刻膠的博弈，終將成為中國半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)全面自主的重要注腳，而那些試圖通過技術霸權遏制他人發(fā)展的行為，最終只會反噬自身的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。