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據(jù)消息報道，中國臺灣擔心臺積電進軍美國市場會削弱臺灣在半導體領域的領先地位，正在考慮制定新的出口規(guī)則，只允許這家全球最大的晶圓代工廠出口比其最先進生產(chǎn)節(jié)點落后兩代的技術。如果這項規(guī)則得以實施，可能會減緩臺積電在美國的擴張步伐，因為該公司目前主要依靠在美國積極建設先進的晶圓廠。
這項新出口政策的核心是政府的“N-2規(guī)則”，該規(guī)則僅允許將落后中國臺灣領先技術兩代的工藝技術出口海外。此前，中國臺灣堅持“N-1規(guī)則”，允許臺積電出口所有落后臺灣領先制造工藝至少一代的技術。新規(guī)則更為嚴格；根據(jù)對“代”的計算方式，這意味著臺積電可能只能出口落后其最先進技術兩到四年的工藝節(jié)點。
根據(jù)中國臺灣科技委員會成員林發(fā)成的說法，按照這種方法，如果臺積電在臺灣開發(fā)出 1.2nm 或 1.4nm 級的制造工藝，那么只有其 1.6nm 級的產(chǎn)品才有資格在國外使用。
目前，臺積電位于亞利桑那州的Fab 21一期工廠能夠生產(chǎn)采用N4/N5工藝（屬于同一代）的芯片。在國內(nèi)，臺積電擁有多座已全面投產(chǎn)的晶圓廠，具備3nm級制造工藝（N3B、N3E、N3P等）的能力，并且即將開始大規(guī)模生產(chǎn)采用N2工藝節(jié)點（屬于2nm級）的芯片。從形式上看，臺積電的Fab 21一期工廠已經(jīng)符合N-2規(guī)則。然而，一旦臺積電在2027年開始在Fab 21二期工廠采用3nm級工藝生產(chǎn)芯片，該工廠將不再符合N2-2規(guī)則，因為N3工藝在形式上僅比N2/N2P/A16工藝落后一代。然而，雖然 A16 是采用背面供電網(wǎng)絡的 N2P，但如果將 A16 視為全新一代產(chǎn)品，那么 Fab 21 第二階段將符合新的高科技出口框架。
林發(fā)成還強調(diào)，臺積電的大部分研發(fā)人員仍留在中國臺灣，并指出公司的研發(fā)布局符合政府要求。實際上，這種工程師和科學家的集中部署確保了未來的工藝開發(fā)能夠扎根于臺灣本土，即便公司在海外建設產(chǎn)能和研發(fā)中心。林先生還強調(diào)，半導體行業(yè)所有合格人員均受監(jiān)管，這不僅保護了知識產(chǎn)權和硬件，也保護了人力資本。
此外，還有相關人士表示，臺積電未來在美國的任何投資都將按照現(xiàn)行法律進行審查，超過一定門檻的項目必須由投資委員會進行審查。
https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/taiwan-considers-tsmc-export-ban-that-would-prevent-manufacturing-its-newest-chip-nodes-in-u-s-limit-exports-to-two-generations-behind-leading-edge-nodes-could-slow-down-u-s-expansion
（來源：編譯自tomshardware）
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