發(fā)展人工操縱單個(gè)原子技術(shù), 實(shí)現(xiàn)人類“用原子搭積木”的愿景, 是納米科技的核心目標(biāo). 早在1989年, IBM科學(xué)家利用掃描隧道顯微鏡(scanning tunneling microscpe, STM)在鎳表面精準(zhǔn)排列35個(gè)氙原子, 拼出公司Logo, 標(biāo)志著人類進(jìn)入原子操縱時(shí)代 [1] . 從此, 原子操縱技術(shù)迅速發(fā)展, 使原子尺度上調(diào)控物質(zhì)的多種物理性質(zhì)成為可能. 這包括: 將原子或分子按照特定的幾何構(gòu)型排列, 用以調(diào)控其能帶結(jié)構(gòu) [2] ; 在原子尺度上對(duì)磁性原子鏈或磁性納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控 [3] ; 以及在原子尺度上實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕 [4] 等. 然而, 傳統(tǒng)的原子操縱與物性調(diào)控研究多集中于貴金屬或半導(dǎo)體材料表面. 近年來(lái), 關(guān)聯(lián)量子材料中演生物態(tài)的原子級(jí)精確調(diào)控對(duì)于實(shí)現(xiàn)原子級(jí)新型量子器件具有重大意義. 目前, 利用原子操縱技術(shù)對(duì)關(guān)聯(lián)量子材料中演生量子物態(tài)進(jìn)行原子級(jí)精確調(diào)控的研究極具挑戰(zhàn)性, 國(guó)際上未曾有過(guò)報(bào)道.

最近, 在籠目金屬CsV3Sb5中, 我們利用極低溫-強(qiáng)磁場(chǎng)掃描隧道顯微鏡/譜與原子操縱技術(shù)人工構(gòu)筑了與表面2×2電荷密度波(charge density wave, CDW)具有相同周期的堿金屬銫(Cs)有序結(jié)構(gòu), 原子級(jí)精準(zhǔn)調(diào)控了演生準(zhǔn)二維超導(dǎo)態(tài)和配對(duì)密度波, 成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)關(guān)聯(lián)量子材料中演生物態(tài)的精確調(diào)控. 該研究成果發(fā)表于 Nature Nanotechnology [5] .

通過(guò)調(diào)控樣品的解理溫度, 我們獲得了一種全新的解理面——2×2 Cs解理面. 該解理面上Cs原子最短間距為兩倍晶格常數(shù). 經(jīng)測(cè)量發(fā)現(xiàn), 2×2 Cs面在費(fèi)米能級(jí)附近存在一個(gè)顯著的局域束縛態(tài), 并且展現(xiàn)出一個(gè)大小約為1.7 meV, 關(guān)于費(fèi)米能級(jí)對(duì)稱的能隙( 圖1(a) ). 系統(tǒng)的變磁場(chǎng)和變溫實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了該能隙為2×2 Cs面的新型演生準(zhǔn)二維超導(dǎo)能隙. 此外, 在對(duì)應(yīng)準(zhǔn)二維超導(dǎo)能量范圍內(nèi), 我們還觀測(cè)到調(diào)制周期為4倍晶格周期(4 a 0×4 a 0)的準(zhǔn)二維超導(dǎo)配對(duì)密度波 [ 6 , 7 ] .

圖1 在籠目金屬CsV3Sb5表面構(gòu)筑堿金屬人工量子結(jié)構(gòu), 演生出新型的準(zhǔn)二維超導(dǎo)態(tài)并實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精準(zhǔn)調(diào)控 [5] . (a) 不同表面的微分電導(dǎo)譜. (b) STM原子操縱構(gòu)建人工2×2 Cs三角形納米島的示意圖. (c) 不同尺寸的人造2×2 Cs納米島. (d) 三角形島特征隧穿電導(dǎo)譜對(duì)島尺寸的依賴關(guān)系. (e) 四種2×2 Cs重構(gòu)構(gòu)型的特征微分電導(dǎo)譜. (f) 在2×2 CDW的“反相位”界面產(chǎn)生準(zhǔn)二維超導(dǎo)

為揭示演生超導(dǎo)的產(chǎn)生機(jī)制, 我們利用STM原子操縱技術(shù)人工構(gòu)建了不同尺寸的正三角形2×2 Cs納米島( 圖1(b), (c) ). 研究發(fā)現(xiàn), 當(dāng)納米島邊由多于20個(gè)Cs原子組成時(shí)( 圖1(d) ), 可在納米島特征譜中探測(cè)到演生超導(dǎo)態(tài). 據(jù)此可以精確計(jì)算出該演生超導(dǎo)態(tài)的相干長(zhǎng)度約為 6?nm, 該數(shù)值和通過(guò)磁通渦旋估算得到的結(jié)果一致.

堿金屬原子會(huì)在樣品表面引入局域電子摻雜, 這會(huì)對(duì)樣品表面能帶造成影響 [8] . 但是除2×2 Cs以外, 在CsV3Sb5中還被報(bào)道發(fā)現(xiàn)過(guò)多種重構(gòu) [9] , 其中不乏與2×2 Cs有著相似表面Cs原子覆蓋度的重構(gòu), 然而我們并未在這些重構(gòu)中探測(cè)到演生超導(dǎo)態(tài). 所以除了電子摻雜外, 一定還存在其他的誘導(dǎo)因素. 我們注意到, 不同于其他重構(gòu), 2×2 Cs和CsV3Sb5的三維2×2×2 CDW有著相同的面內(nèi)周期, 二者可能存在緊密聯(lián)系. 而每個(gè)2×2 Cs超晶格只包含一個(gè)Cs原子, 該原子可占據(jù)下層籠目晶格中CDW的2×2超結(jié)構(gòu)內(nèi)四個(gè)六邊形中心位之一. 由此可以得到四種2×2 Cs超晶格在表面的排布構(gòu)型, 其中只有一種與面內(nèi)2×2 CDW同相位, 其余三種皆為反相位, 即存在π相位差. 而且經(jīng)密度泛函理論計(jì)算發(fā)現(xiàn), 表面2×2 CDW與2×2 Cs存在相位鎖定關(guān)系, 經(jīng)表面弛豫后2×2 CDW會(huì)與2×2 Cs保持同相位, 故四種2×2 Cs構(gòu)型中, 僅一種與體CDW同相, 其余三種因π相位差破壞CDW的相位相干, 形成“反相位”界面. 據(jù)此, 我們?cè)俅卫肧TM原子操縱技術(shù), 在表面構(gòu)建了四種同尺寸不同相位的正三角形2×2 Cs納米島, 在其中三種構(gòu)型中觀測(cè)到了較強(qiáng)的演生超導(dǎo), 剩余一種構(gòu)型中則無(wú)法探測(cè)到( 圖1(e) ). 這說(shuō)明三維2×2×2 CDW的“反相位”界面是演生準(zhǔn)二維超導(dǎo)態(tài)的關(guān)鍵因素( 圖1(f) ).

為進(jìn)一步證明演生超導(dǎo)態(tài)與體材料中三維CDW密切相關(guān), 我們也設(shè)計(jì)了對(duì)比實(shí)驗(yàn). 在同樣具有三維CDW的其他籠目超導(dǎo)體(KV3Sb5和RbV3Sb5)中, 我們均觀測(cè)到了演生超導(dǎo)態(tài)的跡象. 此外, 通過(guò)Ti摻雜, 籠目超導(dǎo)體中長(zhǎng)程有序的CDW被完全抑制 [10] . 在該材料表面構(gòu)筑的2×2的Cs有序結(jié)構(gòu)中未能觀測(cè)到演生超導(dǎo)態(tài).

該研究創(chuàng)新性地通過(guò)原子操縱技術(shù)人工構(gòu)建了堿金有序結(jié)構(gòu), 首次實(shí)現(xiàn)了籠目金屬材料中的演生準(zhǔn)二維超導(dǎo)態(tài)與配對(duì)密度波的調(diào)控, 通過(guò)精確構(gòu)筑CDW“反相位”界面探明了三維CDW堆垛的相位缺陷是產(chǎn)生準(zhǔn)二維超導(dǎo)的關(guān)鍵因素, 提出了在籠目金屬乃至其他關(guān)聯(lián)量子材料中演生、操控與控制量子多體態(tài)的新方法. 未來(lái), 借助自動(dòng)化操縱 [11] 或化學(xué)方法 [12] , 有望實(shí)現(xiàn)在微米尺度上CDW相位的調(diào)控, 為角分辨光電子譜、輸運(yùn)測(cè)量等手段提供全新的量子材料平臺(tái).

參考文獻(xiàn)

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