高通面向筆記本電腦市場(chǎng)推出的首批 3nm 平臺(tái) Snapdragon X2 Elite 系列中，旗艦款 X2 Elite Extreme 被曝并未采用常見(jiàn)的 N3E 或 N3P 制程，而是轉(zhuǎn)向以極限性能為目標(biāo)的臺(tái)積電 3nm N3X 工藝，希望在高電壓與高頻率下榨干單核與多核表現(xiàn)，以支撐其最高可達(dá) 5.00GHz、最多 18 核的高性能配置。

來(lái)自 Moor Insights & Strategy 的技術(shù)拆解顯示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采用類似蘋(píng)果“統(tǒng)一內(nèi)存”的 SiP 封裝方案，把 RAM、存儲(chǔ)等多種元件與 SoC 封裝在同一模塊中，通過(guò) 192 位內(nèi)存總線、128GB 內(nèi)存上限以及最高 9523 MT/s 的內(nèi)存頻率，將帶寬拉高至 228GB/s，這一數(shù)字雖超過(guò)蘋(píng)果 M5，但仍低于 M4 Pro 約 273GB/s 的水平。 整顆芯片集成晶體管數(shù)量約 310 億個(gè)，N3X 相比 N3P 在高性能計(jì)算場(chǎng)景下可額外帶來(lái)約 5% 的性能增幅，不過(guò)代價(jià)是晶體管密度和能效相對(duì)吃虧，高通也將 X2 Elite Extreme 設(shè)計(jì)在超過(guò) 1.0V 的工作電壓上運(yùn)行，以換取更高的頻率空間。

在實(shí)際功耗設(shè)定上，這顆芯片在解鎖功耗限制時(shí)可沖破 100W 閾值，在部分散熱條件較好的筆電機(jī)身中則可長(zhǎng)時(shí)間維持 40W 級(jí)別，以支撐高負(fù)載下的持續(xù)性能輸出。 然而，目前公開(kāi)的 Cinebench 2024 單核與多核測(cè)試結(jié)果顯示，在同等條件下，X2 Elite Extreme 仍落后于蘋(píng)果 M4 Max；在 GPU 端，面對(duì) M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基準(zhǔn)中最高可達(dá)約 45% 的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，高通這顆新旗艦同樣處于下風(fēng)，令業(yè)界對(duì) N3X 帶來(lái)的“極限性能紅利”是否物有所值產(chǎn)生疑問(wèn)。

從節(jié)點(diǎn)策略上看，高通此次選擇 N3X，意味著首度有商用大規(guī)模芯片偏離 TSMC 目前主流的 N3P 路線，優(yōu)先追求高頻與峰值性能，而非面積和能效最優(yōu)解。 報(bào)道認(rèn)為，至少?gòu)哪壳坝邢薜墓_(kāi)基準(zhǔn)測(cè)試來(lái)看，這一選擇尚未兌現(xiàn)預(yù)期中的“碾壓式”領(lǐng)先，高通押注的極限性能路線是否能在更廣泛的實(shí)際應(yīng)用與整機(jī)設(shè)計(jì)中發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，還需要后續(xù)更多機(jī)型與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)給出答案。