E5071C是最主流的網(wǎng)絡(luò)分析儀，市場保有量最大，性能最穩(wěn)定的。廣泛的用于天線、基站、無源組件、射頻有源器件等測試。網(wǎng)分使用之前一定要做好校準，才能保證測試結(jié)果的精度。

今天我們以E5071C頻率為8.5G的網(wǎng)分，來進行校準的操作。

首先打開E5071C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，校準之前需要先選擇校準套件。按“Cal”（校準）鍵→“CalKit”（校準套件），然后選擇校準套件。我們使用的校準套件為85032F，可以選擇85032F就行。

網(wǎng)絡(luò)分析儀端口校準（反射測試）步驟

我們可以1-2-3-4按順序進行端口校準（反射測試），首先我們在1端口接上同軸線纜后，我們看到阻抗偏離度較大，約有10%。我們來校準1端口，按下“Cal”（校準）鍵→“Calibrate”（校準）→“1-PortCal”（1端口校準）。此時會顯示1-PortCal 85032F，下面是Open，Short，Load三個按鈕。在測試端口連接上Open校準器，點擊Open→Open（f），我們使用的校準器為母頭，所以選擇Open（f），聽到嘀一聲響后返回上一級菜單。擰下Open校準器，換上Short校準器，點擊Short→Short（f），聽到嘀一聲響后返回上一級菜單。擰下Short校準器，換上Load校準器，點擊Load→Load（f），聽到嘀一聲響后返回上一級菜單。最后點擊“Done”，完成單端口校準。此時返回測量界面，按下Format→Smith→R+jX，Smith圓圖阻抗歸一到了最中心點，阻抗誤差小于0.1歐姆。以此類推，我們可以對2-3-4端口進行單端口的校準。

網(wǎng)絡(luò)分析儀直通校準（反射測試）步驟

如果要測試傳輸響應(yīng)，我們還需要針對2個端口進行直通校準，我們以1-3端口為例。把兩條線纜通過直通頭短接，點擊“Cal”（校準）鍵→“Calibrate”（校準）→“Response（Thru）”，進去菜單可以選擇1-2,1-3,1-4,2-3,3-4等等兩端口組合，我們選擇1-3端口，點擊“Thru”→“Done”，可以看到S31插入損耗參數(shù)的測試結(jié)果已經(jīng)歸零，電纜線的損耗已經(jīng)補償。

結(jié)論

在用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量大功率器件時，需要保持一定程度的小心和謹慎以避免損壞矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、輔助測量器件，甚至是對被測器件本身的損壞。

在網(wǎng)絡(luò)分析儀的一些端口上最大可允許的直流輸入電平為0伏，在配置了選件H85時更是要倍加小心，它的射頻測量端口能夠承受的直流電平就是0伏，如有可能，應(yīng)該使用交流耦合。

施加到網(wǎng)絡(luò)分析儀端口上的射頻信號的功率應(yīng)該比這些端口的射頻損壞功率至少低 3dB，在理想情況下應(yīng)該至少低6dB。

當計算測量設(shè)置中某個點的信號的功率時，要確保您所計算的值是反應(yīng)了最壞結(jié)果的情況。例如，如果兩個0dBm 的信號在相同的頻率上合并在一起，在最壞的情況下，最終所得到的信號的功率可能是+6dBm。

DUT和預(yù)放大器可能都會有具體的輸入和輸出匹配要求，在給這些放大器加電之前要確保這些匹配條件能夠得到滿足以避免放大器產(chǎn)生振蕩。要對開路工作條件倍加小心。

DUT和預(yù)放大器可能會對加電的順序很敏感，通常會要求先要保證有正確的源和負載匹配，然后在打開給放大器供電的直流電源，最后再施加射頻激勵信號。在打開測量系統(tǒng)之前，您要確保您已經(jīng)很清楚地了解你所用的預(yù)放大器和所要測量的DUT的要求。

如果測量的設(shè)置會在大功率(將近+40dBm) 上用到網(wǎng)絡(luò)分析儀測量端口的耦合器，您要確保您的網(wǎng)絡(luò)分析儀配置了選件 H85(配置了H85選件之后，網(wǎng)絡(luò)分析儀內(nèi)部的直流偏置部件會被拿掉)，因為導致直流偏置部件損壞的信號的功率只有+30dBm。

對網(wǎng)絡(luò)分析儀進行預(yù)置(Preset)會使網(wǎng)絡(luò)分析儀輸出信號的功率恢復到預(yù)置的狀態(tài)，這可能會對測量系統(tǒng)和DUT造成損壞。您應(yīng)當考慮存儲一個“用戶預(yù)置”狀態(tài)，把信號的功率設(shè)定在比缺省預(yù)置狀態(tài)的信號的功率低的水平上。

在網(wǎng)絡(luò)分析儀完成了測量以后，網(wǎng)絡(luò)分析儀的射頻激勵源仍然會處于打開的狀態(tài)。在測量完成后立即把射頻激勵源關(guān)閉是很好的操作習慣，這樣會避免使DUT被激勵過熱。