山東
IT之家 1 月 16 日消息，據(jù) TrendForce 今天報(bào)道，在 AI 熱潮的當(dāng)下，各大存儲(chǔ)廠商目前對(duì) NAND 閃存產(chǎn)能擴(kuò)張方面表現(xiàn)謹(jǐn)慎，并逐步淘汰 MLC 等舊產(chǎn)品。其中 SK 海力士就在去年 12 月公布了 5-Bit NAND 技術(shù)，讀取速度比傳統(tǒng) PLC 閃存快 20 倍。
據(jù)報(bào)道，海力士的 5-Bit NAND 技術(shù)采用了 Multi-Site Cell（MSC）NAND 方案，可將每個(gè) 3D NAND 單元一分為二，在提升單元數(shù)據(jù)容量的同時(shí)將所需的電壓減少三分之二。
結(jié)合 Blocks & Files 今天報(bào)道，SK 海力士還在 5-Bit NAND 中應(yīng)用了 4D 2.0 技術(shù)，解決了傳統(tǒng)存儲(chǔ)單元在超過(guò) 4 bit（IT之家注：QLC）后必定會(huì)遭遇的“電壓狀態(tài)壁壘”，可在不犧牲速度或耐久性的前提下實(shí)現(xiàn)每單元 5Bit 存儲(chǔ)。
目前，QLC 3D NAND 閃存已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但存在讀取可靠性低、壽命較短等缺陷，因此 SK 海力士選擇將一個(gè) NAND 存儲(chǔ)單元拆分為兩個(gè)相互獨(dú)立的“Site”，每個(gè) Site 所使用的電壓更低，從而讓兩個(gè) Site 實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。
同時(shí)，SK 海力士的這項(xiàng)技術(shù)還能將單顆 NAND Die 及 SSD 的存儲(chǔ)容量提升 25%。
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