2026-1-13

直播嘉賓：

李星全 國泰基金量化投資部行業(yè)研究員

摘 要

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正迎來高景氣周期，受益于先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)與存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)催生的雙重需求，疊加國產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）作為核心標(biāo)的，具備突出投資價(jià)值。

行業(yè)基本面堅(jiān)實(shí)：全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模穩(wěn)步增長，晶圓制造設(shè)備占比達(dá)90%，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕為核心工藝。國內(nèi)市場占全球40%，增速顯著高于全球平均水平，核心驅(qū)動(dòng)力來自消費(fèi)電子終端放量與自主可控需求。國產(chǎn)替代進(jìn)程分化：刻蝕設(shè)備替代率約28%、薄膜沉積約20%，已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破；光刻設(shè)備仍依賴進(jìn)口，為未來核心成長賽道。

雙重引擎驅(qū)動(dòng)需求爆發(fā)：一方面，GPU放量帶動(dòng)先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)，海外英偉達(dá)芯片采用4納米制程，國內(nèi)GPU廠商聚焦7-14納米，疊加消費(fèi)電子芯片制程升級(jí)，先進(jìn)制程設(shè)備需求急迫；另一方面，AI虹吸效應(yīng)導(dǎo)致存儲(chǔ)供需錯(cuò)配，DDR4、NAND等產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，2026年Q1DRAM合約價(jià)預(yù)計(jì)漲50%-60%，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期升溫。存儲(chǔ)3D化趨勢進(jìn)一步提升刻蝕、薄膜沉積設(shè)備的價(jià)值量占比，利好國產(chǎn)優(yōu)勢環(huán)節(jié)。

半導(dǎo)體設(shè)備行情已從單一自主可控，升級(jí)為與海外算力強(qiáng)映射的格局，海外存儲(chǔ)企業(yè)資本開支變動(dòng)對(duì)國內(nèi)板塊催化明顯。當(dāng)前板塊估值分位低于主流芯片指數(shù)，性價(jià)比突出。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）優(yōu)勢顯著：持倉涵蓋設(shè)備與材料領(lǐng)域龍頭，聚焦核心工藝環(huán)節(jié)；是市場規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF，當(dāng)前節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）催化邏輯明確，是把握行業(yè)景氣周期的優(yōu)選工具。

正 文

半導(dǎo)體行業(yè)景氣上行，核心設(shè)備工藝與國產(chǎn)替代現(xiàn)狀

李星全：各位投資者，今天非常榮幸又有機(jī)會(huì)給大家分享關(guān)于國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的投資機(jī)會(huì)。

其實(shí)現(xiàn)在大家可能會(huì)比較關(guān)心AI跟存儲(chǔ)的問題，但是從我們自己研究來看，不管是先進(jìn)制程，比如GPU放量所帶來的先進(jìn)制程需求擴(kuò)產(chǎn)，還是相關(guān)的存儲(chǔ)擴(kuò)展，從當(dāng)前A股的一些標(biāo)的來看，半導(dǎo)體設(shè)備會(huì)是一個(gè)確定性較強(qiáng)的賽道。所以今天也是借這個(gè)機(jī)會(huì)，我們想給大家分享相關(guān)的一些內(nèi)容。

不過，今天大部分內(nèi)容還是會(huì)以科普為主，因?yàn)橐疹櫟胶芏嘀皼]有深入研究過半導(dǎo)體設(shè)備的投資者。當(dāng)然，我們也會(huì)把這一行情的基本面跟后續(xù)的一些展望給大家做一個(gè)詳盡的介紹。

首先，我們從整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的周期來看，2023年以來，半導(dǎo)體行業(yè)受到了AI的強(qiáng)力拉動(dòng)。從全球半導(dǎo)體銷售額來看，2023年至今，銷售額增長非常迅猛，其中絕大部分增量都來自于GPU相關(guān)的收入。從海外市場來看，確實(shí)有很多優(yōu)秀的公司走出了強(qiáng)勁行情，甚至締造出了幾家數(shù)萬億美元市值的全球龍頭公司。

AI的強(qiáng)力拉動(dòng)同樣作用于國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，對(duì)其成長形成強(qiáng)勁支撐。今天我們主要分享半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)內(nèi)容，首先給大家介紹半導(dǎo)體行業(yè)的一些基本環(huán)節(jié)情況。

這些年除了個(gè)別特殊年份，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的市場規(guī)?；颈３址€(wěn)定增長。最主要的原因很簡單：隨著科技發(fā)展，我們使用的消費(fèi)電子產(chǎn)品越來越多，包括手機(jī)、電腦、平板電腦、無人機(jī)，甚至現(xiàn)在機(jī)器人也在逐步走進(jìn)千家萬戶。這類消費(fèi)電子終端的放量，會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體器件的用量大幅增加；而半導(dǎo)體芯片使用量越多，對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備市場而言，也必然會(huì)呈現(xiàn)同步向上的趨勢。

在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中，晶圓制造設(shè)備的占比達(dá)到90%左右。從晶圓制造設(shè)備內(nèi)部來看，薄膜沉積、刻蝕和光刻這三項(xiàng)技術(shù)的占比相對(duì)較高，每項(xiàng)占比均在20%左右。

中國市場近年來成長十分迅速，大家可以參考右下角的圖表。核心原因除了剛才提到的半導(dǎo)體芯片需求量上漲帶動(dòng)設(shè)備需求同步上行之外，另一個(gè)核心原因則是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的發(fā)展需求。因此，中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的增速顯著高于全球平均水平。

數(shù)據(jù)來源：wind，semi

目前，中國半導(dǎo)體設(shè)備市場已占到全球的40%左右。為什么我們需要大量先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備？這還需要從芯片制造的核心環(huán)節(jié)說起。大家可以看左邊的圖示，這是一個(gè)較為易懂的例子。

在光刻過程中，我們通常會(huì)在晶圓表面覆蓋一層光刻膠。這層光刻膠具有特殊特性，例如被光照射后會(huì)變得易于去除。這樣一來，我們就可以將所需的電路圖案印制在掩膜板上。后續(xù)步驟大家可以參考右邊的圖示：我們會(huì)在晶圓上保留部分所需的光刻膠，之后通過刻蝕工藝在晶圓表面挖出溝道?？涛g的方法有很多種，包括干法刻蝕和濕法刻蝕，這部分內(nèi)容我們后面會(huì)詳細(xì)說明。但無論采用哪種方法，核心都是在晶圓表面挖出所需的溝道。而有光刻膠覆蓋的區(qū)域，光刻膠會(huì)對(duì)晶圓起到保護(hù)作用，因此這部分不會(huì)被刻蝕出溝道。通過定向刻蝕，只有我們需要制作溝道的區(qū)域會(huì)被挖出凹槽。

凹槽形成后，會(huì)在其中沉積粒子或直接填充導(dǎo)體，最終形成完整的電路結(jié)構(gòu)。大家可以這樣理解：挖溝道的過程是刻蝕，向凹槽內(nèi)沉積粒子的過程是薄膜沉積，填充金屬的過程則是金屬化工藝等。

在完整的芯片制造流程中，光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝需要重復(fù)成千上萬次。這里的模型旨在幫助大家理解芯片從沙子到成品的制作過程。以硅片制造為例，其核心流程并不復(fù)雜：首先對(duì)工業(yè)砂進(jìn)行提純，隨后將提純后的材料拉制成晶棒，經(jīng)過打磨、拋光、切割等工序后，最終形成晶圓。

晶圓制成后，便會(huì)進(jìn)入前文提到的薄膜沉積、光刻等工藝環(huán)節(jié)。什么是薄膜沉積？我們可以將其理解為芯片制造中的“加法工藝”。其工作原理是：當(dāng)芯片需要具備額外的導(dǎo)電性等物理特性時(shí)，需在芯片的特定層沉積一層其他離子，這一過程即為薄膜沉積。

薄膜沉積的主流方法有三種，分別是CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）和ALD（原子層沉積）。CVD采用化學(xué)方法進(jìn)行沉積，PVD則采用物理方法，ALD同樣屬于化學(xué)沉積方法，但其技術(shù)更為先進(jìn)，能夠通過高精度控制將沉積薄膜的厚度精準(zhǔn)到原子級(jí)別，因此更適用于對(duì)薄膜沉積精度要求較高的場景。

CVD包含多種化學(xué)沉積方式，例如讓芯片與特定化學(xué)溶液或氣體發(fā)生反應(yīng)，使粒子沉積在芯片表面。物理氣相沉積（PVD）的原理則是先將目標(biāo)粒子氣化，再將芯片置于充滿該粒子的氣體腔中，使粒子自然沉積在芯片表面。無論采用哪種方式，最終目的都是將目標(biāo)粒子沉積在芯片表面。

從全球市場格局來看，CVD、PVD、ALD等主流薄膜沉積設(shè)備的市場份額目前仍主要由海外廠商占據(jù)。不過，國內(nèi)廠商近年來的成長速度十分迅猛。

第二個(gè)核心工藝是光刻。光刻工藝的技術(shù)壁壘極高，光刻機(jī)包含大量核心技術(shù)。我們可以了解到：第四代光刻機(jī)的波長為193納米，其最小工藝節(jié)點(diǎn)可覆蓋20-30納米區(qū)間。而最先進(jìn)的EUV（極紫外線）光刻機(jī)，目前仍是先進(jìn)制程中的主流設(shè)備。EUV光刻機(jī)目前主要由海外龍頭企業(yè)壟斷，國內(nèi)市場仍完全依賴進(jìn)口。

從全球市場份額來看，目前光刻機(jī)市場主要由阿斯麥（ASML）、佳能和尼康三家公司主導(dǎo)。其中阿斯麥的市場份額超過80%，在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域更是占據(jù)100%的市場份額。也就是說，全球范圍內(nèi)的芯片制造廠（Fab）若需EUV光刻機(jī)，只能向阿斯麥采購。該設(shè)備主要應(yīng)用于先進(jìn)制程。目前光刻機(jī)的國產(chǎn)替代率仍較低，這也將是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)未來的核心成長賽道。

刻蝕工藝與薄膜沉積相對(duì)應(yīng)：如果說薄膜沉積是“加法工藝”，那么刻蝕就是“減法工藝”。這一說法該如何理解？其實(shí)刻蝕工藝在古代就有類似應(yīng)用?？涛g主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩類。濕法刻蝕是將金屬或晶圓置于特定溶液中，利用溶液的腐蝕性在晶圓表面蝕刻出所需圖案，這與古代匠人制作銀器等金屬飾物時(shí)的蝕刻工藝有相似之處。

從目前的技術(shù)應(yīng)用來看，濕法刻蝕依賴化學(xué)腐蝕作用，因此對(duì)化學(xué)溶液的腐蝕性要求較高?？涛g工藝中有兩個(gè)關(guān)鍵概念：各向同性與各向異性。具體來說：當(dāng)我們需要刻蝕溝道時(shí)，理想狀態(tài)是僅沿深度方向進(jìn)行刻蝕，而非向四周擴(kuò)散，否則可能破壞整體電路設(shè)計(jì)。這種僅沿特定方向刻蝕的特性就是各向異性。但濕法刻蝕采用溶液腐蝕的方式，難以精準(zhǔn)控制刻蝕方向，隨著半導(dǎo)體工藝不斷進(jìn)步，其局限性也日益凸顯。因此，干法刻蝕目前已成為半導(dǎo)體工藝中的主流刻蝕方式。

干法刻蝕包含離子束濺射、反應(yīng)離子刻蝕、等離子體刻蝕等多種方式。但無論采用哪種方式，刻蝕工藝的核心目的都是刻蝕出所需溝道。從當(dāng)前市場格局來看，刻蝕設(shè)備的主流份額仍由海外公司占據(jù)，但令人欣喜的是，國內(nèi)企業(yè)近年來已實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破。目前，國內(nèi)頭部企業(yè)在刻蝕技術(shù)領(lǐng)域已形成深厚積累，并且在產(chǎn)線應(yīng)用中獲得了明確的市場份額。因此，刻蝕環(huán)節(jié)的國產(chǎn)替代率顯著高于光刻。此外，離子注入和CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）設(shè)備的價(jià)值量占比相對(duì)較低。離子注入的核心是濺射離子，CMP的核心則是拋光處理。

數(shù)據(jù)來源：三星官網(wǎng)，芯智訊，電子工程網(wǎng)，興業(yè)證券研究所

根據(jù)長江證券的測算，截至2024年，半導(dǎo)體設(shè)備在不同細(xì)分賽道的國產(chǎn)替代率存在差異。其中，光刻目前仍完全依賴進(jìn)口；薄膜沉積的國產(chǎn)替代率約20%；刻蝕的國產(chǎn)替代率約28%；量檢測、涂膠顯影等環(huán)節(jié)的國產(chǎn)替代率則相對(duì)較低。以上就是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的基本情況。

雙重引擎驅(qū)動(dòng)：GPU放量與存儲(chǔ)漲價(jià)催生擴(kuò)產(chǎn)需求

從未來成長動(dòng)力來看，對(duì)于國內(nèi)市場而言，GPU市場將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體芯片需求的核心驅(qū)動(dòng)力。全球AI產(chǎn)業(yè)正快速發(fā)展，北美企業(yè)每年需投入數(shù)千億元采購英偉達(dá)的GPU芯片。

國內(nèi)云計(jì)算市場約占全球五分之一的份額，按理說，國內(nèi)算力需求也應(yīng)占到全球20%-30%的份額。因此，中國GPU市場的規(guī)模其實(shí)非?？捎^。

GPU的放量將帶動(dòng)先進(jìn)制程的需求加速增長。除了GPU之外，消費(fèi)電子領(lǐng)域也存在對(duì)先進(jìn)制程的需求。例如，蘋果當(dāng)前的A18芯片已采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程，未來蘋果還計(jì)劃將臺(tái)積電3納米制程進(jìn)一步升級(jí)至2納米。不過，國內(nèi)高端手機(jī)芯片的制程進(jìn)度目前仍落后于蘋果。因此，國內(nèi)消費(fèi)電子領(lǐng)域未來也將推動(dòng)手機(jī)芯片向更先進(jìn)制程升級(jí)，這將進(jìn)一步帶動(dòng)先進(jìn)制程需求的加速擴(kuò)張。相應(yīng)地，先進(jìn)制程的產(chǎn)能也需要進(jìn)一步擴(kuò)充。

另一方面，我們可以看到現(xiàn)在的GPU，海外如英偉達(dá)的芯片（包括其H100及當(dāng)前熱門的GB200），采用的都是臺(tái)積電4納米左右的制程。但對(duì)于大陸的部分GPU廠商而言，其使用的制程主要集中在7到14納米。因此，若GPU持續(xù)放量，將帶來先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)所需的額外設(shè)備需求。由此可見，先進(jìn)制程當(dāng)前的擴(kuò)產(chǎn)需求較為急迫，國產(chǎn)設(shè)備在該賽道將迎來更多機(jī)會(huì)。當(dāng)然，國內(nèi)設(shè)備廠商未必能在初期就占據(jù)較大份額，但這種緩慢替代的過程，已奠定了半導(dǎo)體設(shè)備賽道的中長期景氣基礎(chǔ)。

另一個(gè)市場關(guān)注的焦點(diǎn)是存儲(chǔ)行業(yè)的情況。存儲(chǔ)市場分類繁多，但DRAM和NAND兩大產(chǎn)品占據(jù)了98%至99%的市場份額，是最核心的品類。不過，這兩類產(chǎn)品的主要市場份額仍由日韓及美國廠商占據(jù)，大陸廠商的份額相對(duì)較少。

為什么存儲(chǔ)價(jià)格會(huì)大幅上漲？其實(shí)核心原因源于AI的虹吸效應(yīng)。英偉達(dá)這類芯片中會(huì)大量使用HBM，這是因?yàn)樵贏I訓(xùn)練與推理過程中，計(jì)算的開銷其實(shí)很低——芯片依靠晶體管中的器件運(yùn)作即可完成計(jì)算，且計(jì)算速度極快，真正的瓶頸在于數(shù)據(jù)需要不斷搬運(yùn)、頻繁切換，由此帶來的存儲(chǔ)與傳輸需求會(huì)非常大。

因此，內(nèi)存性能一直限制著AI芯片的性能提升。從海外情況來看，英偉達(dá)在GPU周圍配置了大量HBM，通過HBM的高速數(shù)據(jù)交換保障持續(xù)計(jì)算。在近期的CES2026上，黃仁勛宣布了一項(xiàng)存儲(chǔ)池化技術(shù)，該技術(shù)通過存儲(chǔ)池化為芯片額外增加了對(duì)NAND的需求，每張GPU大約對(duì)應(yīng)16TBNAND容量，相比以往翻了三四倍，這也將推動(dòng)存儲(chǔ)需求快速擴(kuò)張。

AI芯片自2023年起進(jìn)入了爆發(fā)式增長階段。2023年全球GPU出貨量還相對(duì)較少，但截至2025年來看，全球GPU（包括ASIC）出貨量已接近或超過1000萬片，增長速度極為迅猛。GPU持續(xù)放量將帶動(dòng)相關(guān)存儲(chǔ)需求，而需求增長極為迅猛，供給卻未能同步快速提升，這就導(dǎo)致了供不應(yīng)求的局面。對(duì)于美光等技術(shù)先進(jìn)的海外公司，他們顯然更愿意將產(chǎn)能投向利潤率更高的HBM產(chǎn)品，這就導(dǎo)致他們在部分舊有產(chǎn)品上的產(chǎn)能快速收縮。以DDR4為例，海外產(chǎn)能收縮速度極快，而今年DDR4的下游領(lǐng)域（如消費(fèi)電子、家電等）需求相對(duì)穩(wěn)健，這種供需錯(cuò)配直接導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲。

當(dāng)然，不同階段的漲價(jià)節(jié)奏存在差異，有時(shí)NAND漲勢更快，有時(shí)DRAM漲幅更突出。但總體來看，去年Q4存儲(chǔ)模組的合約價(jià)格已大幅上漲，而據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年Q1DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)還將上漲50%至60%。

如果存儲(chǔ)行業(yè)持續(xù)增長，從投資角度該如何布局，這是我長期思考的問題。比如，大家若想通過指數(shù)類ETF布局存儲(chǔ)板塊，難度其實(shí)很大。因?yàn)槲沂崂砹耸袌錾现髁鞯陌雽?dǎo)體相關(guān)指數(shù)后發(fā)現(xiàn)，這類ETF的存儲(chǔ)板塊占比普遍僅10%，甚至不足20%。因此，存儲(chǔ)行情與這類ETF雖有相關(guān)性，但ETF行情并非主要由存儲(chǔ)行情驅(qū)動(dòng)。

順著這個(gè)思路，存儲(chǔ)漲價(jià)的本質(zhì)是產(chǎn)能端供不應(yīng)求，需求增長的核心驅(qū)動(dòng)力是全球AI技術(shù)的快速發(fā)展；而當(dāng)供給端出現(xiàn)調(diào)整時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)有望啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，這將直接利好半導(dǎo)體設(shè)備板塊。

存儲(chǔ)3D化+邏輯重構(gòu)，半導(dǎo)體設(shè)備迎來高景氣新周期

存儲(chǔ)產(chǎn)線的國產(chǎn)化率顯著高于先進(jìn)制程領(lǐng)域。此外，存儲(chǔ)行業(yè)正呈現(xiàn)明顯的3D化趨勢，如圖所示，存儲(chǔ)芯片通過不斷堆疊存儲(chǔ)顆粒來增加層數(shù)，這種堆疊過程將更利好刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)。

數(shù)據(jù)來源：智研咨詢，中國海關(guān)總署，中微公司，北方華創(chuàng)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，華金證券研究所，泛林，交銀國際

網(wǎng)上可查的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，尤其是NAND芯片，其層數(shù)不斷增加的同時(shí)，刻蝕環(huán)節(jié)也會(huì)相應(yīng)增多，因此刻蝕設(shè)備在整條產(chǎn)線中的價(jià)值量占比也會(huì)更高。此外，隨著3D化趨勢的推進(jìn)，對(duì)技術(shù)的要求也在不斷提高，例如，目前深寬比90:1的刻蝕技術(shù)已逐步得到應(yīng)用。

因此，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)將更利好國產(chǎn)設(shè)備，其中，國產(chǎn)設(shè)備在薄膜沉積、刻蝕等優(yōu)勢環(huán)節(jié)將顯著受益，而光刻等相對(duì)弱勢的環(huán)節(jié)，其重要性則相對(duì)被弱化。

此外，“兩存”的上市也是市場關(guān)注的焦點(diǎn)。若“兩存”成功上市，疊加當(dāng)前存儲(chǔ)價(jià)格超預(yù)期上漲、產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求的態(tài)勢，行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期有望進(jìn)一步升溫，這將為半導(dǎo)體設(shè)備板塊帶來持續(xù)催化。

剛才提到的3D化趨勢，從2D到3D，存儲(chǔ)芯片通過不斷堆疊存儲(chǔ)顆粒實(shí)現(xiàn)升級(jí)。由于是逐層堆疊，需要進(jìn)行多次刻蝕，例如挖掘溝道，且挖掘的溝道相比以往更深。因此，刻蝕設(shè)備在存儲(chǔ)產(chǎn)線中的價(jià)值量占比有望持續(xù)提升。

目前，主流廠商已基本推出300多層的3DNAND芯片，據(jù)第三方數(shù)據(jù)預(yù)測，到2030年這一數(shù)字可能會(huì)增加到1000層左右。層數(shù)的顯著提升，也意味著相關(guān)環(huán)節(jié)的景氣度將持續(xù)向好。

一個(gè)重要的變化是，當(dāng)前由存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體設(shè)備行情，其炒作邏輯與以往不同。以往半導(dǎo)體設(shè)備的炒作邏輯主要圍繞自主可控進(jìn)度，核心是關(guān)注國產(chǎn)設(shè)備在大陸市場的滲透率提升，本質(zhì)是國產(chǎn)設(shè)備逐步擠占海外廠商在國內(nèi)的市場份額。

而存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體設(shè)備行情邏輯完全不同，其核心驅(qū)動(dòng)力來自全球AI的發(fā)展。例如，海外AIGPU持續(xù)快速出貨，將進(jìn)一步加劇全球存儲(chǔ)產(chǎn)能的供不應(yīng)求，這將推動(dòng)國內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)加速擴(kuò)產(chǎn)，在此過程中，相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備廠商將持續(xù)接到更多訂單。

因此，當(dāng)前看待半導(dǎo)體設(shè)備板塊，不應(yīng)再僅局限于自主可控這一單一視角。自主可控固然重要，但已非唯一的核心邏輯。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備板塊已如同此前的光模塊、PCB等海外算力相關(guān)環(huán)節(jié)，進(jìn)入了與海外算力強(qiáng)映射的階段。例如，當(dāng)前海外部分存儲(chǔ)公司資本開支超預(yù)期時(shí)，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備板塊的股價(jià)也會(huì)有所反應(yīng)，這種映射關(guān)系在近兩個(gè)月表現(xiàn)得尤為明顯。大家若有興趣可對(duì)比觀察，當(dāng)出現(xiàn)相關(guān)催化因素時(shí)，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備板塊與北美主要存儲(chǔ)及半導(dǎo)體設(shè)備公司的股價(jià)映射關(guān)系十分清晰。

由此可見，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)為半導(dǎo)體設(shè)備板塊帶來的核心利好在于，其行情將跟隨AI賽道同步發(fā)展，進(jìn)入高景氣成長階段。

聚焦投資機(jī)遇：半導(dǎo)體設(shè)備ETF與全產(chǎn)業(yè)鏈布局

從布局角度來看，更推薦大家關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）。該ETF涵蓋了國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備及材料領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先的各賽道龍頭企業(yè)，持倉標(biāo)的極具核心競爭力。從持倉分布來看，該ETF約63%的權(quán)重配置于設(shè)備領(lǐng)域，24%左右配置于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，這也意味著，半導(dǎo)體材料板塊后續(xù)也有望迎來行情機(jī)會(huì)。

總體來看，半導(dǎo)體設(shè)備板塊的核心優(yōu)勢在于催化邏輯明確：無論是先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)，還是存儲(chǔ)行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)，最終都將利好半導(dǎo)體設(shè)備賽道。同時(shí)，從估值分位來看，半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)標(biāo)的指數(shù)的歷史估值分位低于當(dāng)前主流芯片指數(shù)，性價(jià)比優(yōu)勢更為突出。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）目前是市場上規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題ETF，投資者購買無需擔(dān)憂流動(dòng)性問題，因此該產(chǎn)品是我們的核心推薦。

事實(shí)上，國泰基金在芯片相關(guān)賽道的產(chǎn)品布局十分完善。例如芯片ETF（512760），涵蓋了數(shù)字芯片設(shè)計(jì)、模擬芯片設(shè)計(jì)、集成電路制造、設(shè)備材料等半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“全基”。

集成電路ETF（159546）則更偏向芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，該ETF約72%的權(quán)重配置于數(shù)字芯片設(shè)計(jì)與模擬芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，16%左右配置于制造領(lǐng)域，不含設(shè)備板塊，因此更聚焦于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。

科創(chuàng)芯片ETF（589100）是近兩年行情表現(xiàn)突出、備受市場關(guān)注的產(chǎn)品，其優(yōu)勢在于類似科創(chuàng)板精選半導(dǎo)體指數(shù)，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，且具備科創(chuàng)板20%漲跌幅的彈性優(yōu)勢。

因此，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都是我們重點(diǎn)看好并推薦的領(lǐng)域，后續(xù)我們也會(huì)持續(xù)更新相關(guān)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)。不過站在當(dāng)前節(jié)點(diǎn)，我們更推薦半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516），其他產(chǎn)品的表現(xiàn)則需關(guān)注國產(chǎn)算力GPU等領(lǐng)域后續(xù)是否出現(xiàn)催化因素。

今天就這樣，白了個(gè)白~

風(fēng)險(xiǎn)提示

投資人應(yīng)當(dāng)充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲(chǔ)蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導(dǎo)投資人進(jìn)行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風(fēng)險(xiǎn)，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲(chǔ)蓄的等效理財(cái)方式。

無論是股票ETF/LOF基金/聯(lián)接基金，都是屬于較高預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)和預(yù)期收益的證券投資基金品種，其預(yù)期收益及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會(huì)面臨因投資標(biāo)的、市場制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風(fēng)險(xiǎn)，提請投資者注意。

板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點(diǎn)之輔助材料，僅供參考，不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績的保證。

文中提及個(gè)股短期業(yè)績僅供參考，不構(gòu)成股票推薦，也不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績的預(yù)測和保證。

以上觀點(diǎn)僅供參考，不構(gòu)成投資建議或承諾。如需購買相關(guān)基金產(chǎn)品，請您關(guān)注投資者適當(dāng)性管理相關(guān)規(guī)定、提前做好風(fēng)險(xiǎn)測評(píng)，并根據(jù)您自身的風(fēng)險(xiǎn)承受能力購買與之相匹配的風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)的基金產(chǎn)品?；鹩酗L(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。