消息面，近期存儲(chǔ)漲價(jià)持續(xù)，存儲(chǔ)產(chǎn)能供不應(yīng)求有望在2026年持續(xù)。當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月25日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子在今年第一季度將NAND閃存的供應(yīng)價(jià)格上調(diào)了100%以上，這一漲幅遠(yuǎn)超市場(chǎng)此前預(yù)期，凸顯了當(dāng)前半導(dǎo)體市場(chǎng)嚴(yán)重的供需失衡現(xiàn)狀。報(bào)道稱，三星電子目前已著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。

存儲(chǔ)強(qiáng)勢(shì)疊加AI催化，聚焦上游半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）大漲超2%。資金持續(xù)搶籌，近20日凈流入近100億元，當(dāng)前規(guī)模近200億元，居同類產(chǎn)品第一。

行情面上，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）標(biāo)的指數(shù)成分股迎來(lái)普漲，從前十大成分股來(lái)看，整體表現(xiàn)均飄紅，其中，芯源微大漲超14%，安集科技大漲超4%。

截至11：01，成分股僅做展示使用，不構(gòu)成投資建議

近年來(lái)，隨著AI算力爆發(fā)與國(guó)產(chǎn)替代浪潮的持續(xù)推進(jìn)，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)已進(jìn)入高景氣成長(zhǎng)周期。本文將從行業(yè)基本面、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程、需求雙引擎、技術(shù)趨勢(shì)演進(jìn)等維度，帶您系統(tǒng)梳理半導(dǎo)體設(shè)備賽道的核心投資邏輯。

【行業(yè)景氣上行，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊】

半導(dǎo)體設(shè)備是芯片制造的基石，當(dāng)前全球行業(yè)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)，中國(guó)市場(chǎng)占比已達(dá)40%，增速領(lǐng)先全球。國(guó)產(chǎn)設(shè)備在刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，但光刻等高端設(shè)備仍依賴進(jìn)口，替代空間巨大。

數(shù)據(jù)來(lái)源：semi

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)與芯片產(chǎn)能擴(kuò)張直接相關(guān)，屬于典型的科技制造上游。全球設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模常年保持增長(zhǎng)，主要受益于消費(fèi)電子、汽車電子、AI算力等終端需求的持續(xù)放量。中國(guó)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，占全球銷售額約40%，其高增長(zhǎng)不僅源于需求拉動(dòng)，更關(guān)鍵的是在國(guó)家自主可控戰(zhàn)略下，國(guó)內(nèi)晶圓廠積極采購(gòu)國(guó)產(chǎn)設(shè)備，為本土廠商提供了寶貴的驗(yàn)證與放量機(jī)會(huì)。

從設(shè)備結(jié)構(gòu)看，晶圓制造設(shè)備占據(jù)90%份額，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕三大核心工藝各占20%左右，技術(shù)壁壘與價(jià)值量最高。當(dāng)前國(guó)產(chǎn)替代呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性分化：刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約28%，薄膜沉積約20%，已具備批量供貨能力；而高端光刻機(jī)仍完全依賴進(jìn)口，成為制約先進(jìn)制程的“卡脖子”環(huán)節(jié)，也是未來(lái)最具成長(zhǎng)潛力的攻堅(jiān)領(lǐng)域。

【雙重引擎驅(qū)動(dòng)，需求端持續(xù)爆發(fā)】

先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)與存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)共同構(gòu)成行業(yè)需求雙引擎。GPU放量拉動(dòng)先進(jìn)制程設(shè)備需求，AI帶來(lái)的存儲(chǔ)供需錯(cuò)配則推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)線投資，兩者均直接利好半導(dǎo)體設(shè)備訂單。

需求側(cè)的邏輯已從單一的“自主可控”轉(zhuǎn)向“全球AI驅(qū)動(dòng)+國(guó)產(chǎn)替代”雙輪驅(qū)動(dòng)。

一方面，先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)主要由GPU與高端消費(fèi)電子芯片推動(dòng)。海外英偉達(dá)等公司芯片已進(jìn)入4nm/3nm階段，國(guó)內(nèi)GPU廠商多采用7-14nm制程，伴隨AI算力建設(shè)加速，先進(jìn)制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，帶動(dòng)光刻、刻蝕、薄膜沉積等高端設(shè)備需求激增。

另一方面，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)成為新一輪設(shè)備采購(gòu)的重要拉動(dòng)力。AI訓(xùn)練對(duì)存儲(chǔ)帶寬與容量提出極高要求，HBM（高帶寬內(nèi)存）需求爆發(fā)，同時(shí)傳統(tǒng)DRAM、NAND因產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整出現(xiàn)供需錯(cuò)配，價(jià)格大幅上漲。2026年Q1 DRAM合約價(jià)預(yù)計(jì)漲幅達(dá)50%-60%，刺激存儲(chǔ)廠商加快擴(kuò)產(chǎn)步伐。存儲(chǔ)產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高，且設(shè)備需求以刻蝕、薄膜沉積為主，恰恰是國(guó)產(chǎn)優(yōu)勢(shì)環(huán)節(jié)，訂單能見(jiàn)度顯著提升。

【存儲(chǔ)3D化趨勢(shì)，提升設(shè)備價(jià)值量與國(guó)產(chǎn)受益程度】

存儲(chǔ)芯片從2D向3D堆疊演進(jìn)，制造中刻蝕、薄膜沉積步驟大幅增加，相關(guān)設(shè)備價(jià)值量占比提升，進(jìn)一步利好國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商。

數(shù)據(jù)來(lái)源：智研咨詢

3D NAND通過(guò)垂直堆疊存儲(chǔ)單元提升容量，已成為主流技術(shù)方向。堆疊層數(shù)從早期的幾十層發(fā)展至目前300層以上，未來(lái)有望突破1000層。這一過(guò)程中，刻蝕工藝需挖出極深且高深寬比的通孔，薄膜沉積則需實(shí)現(xiàn)均勻的層間絕緣與導(dǎo)電層堆疊，兩者步驟數(shù)成倍增加，帶動(dòng)設(shè)備需求量與單價(jià)齊升。

數(shù)據(jù)來(lái)源：交銀國(guó)際

更重要的是，3D化改變了設(shè)備需求結(jié)構(gòu)：光刻步驟在存儲(chǔ)產(chǎn)線中的占比相對(duì)下降，而刻蝕與薄膜沉積的占比顯著提升。目前國(guó)產(chǎn)設(shè)備在這兩個(gè)環(huán)節(jié)已有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，中微公司、北方華創(chuàng)等在刻蝕與CVD設(shè)備上已實(shí)現(xiàn)批量交付。因此，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)+3D化趨勢(shì)實(shí)際上強(qiáng)化了國(guó)產(chǎn)設(shè)備的話語(yǔ)權(quán)，放大了其在產(chǎn)業(yè)鏈中的受益彈性。

【行情邏輯重構(gòu)：從國(guó)產(chǎn)替代到全球算力映射】

半導(dǎo)體設(shè)備板塊的驅(qū)動(dòng)邏輯已從單純的國(guó)內(nèi)替代，升級(jí)為與全球AI算力周期強(qiáng)關(guān)聯(lián)。海外存儲(chǔ)龍頭資本開(kāi)支提升，直接催化國(guó)內(nèi)設(shè)備公司預(yù)期。

過(guò)去市場(chǎng)將半導(dǎo)體設(shè)備視為純粹的國(guó)產(chǎn)替代主題，行情隨政策與國(guó)內(nèi)晶圓廠招標(biāo)節(jié)奏波動(dòng)。但當(dāng)前階段，行業(yè)邏輯發(fā)生重要轉(zhuǎn)變：存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的核心驅(qū)動(dòng)力來(lái)自全球AI算力建設(shè)，海外GPU出貨量、存儲(chǔ)巨頭資本開(kāi)支計(jì)劃等已成為預(yù)判國(guó)內(nèi)設(shè)備公司訂單的重要先行指標(biāo)。

例如，美光、海力士等企業(yè)上調(diào)資本開(kāi)支，預(yù)示存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張加速，往往帶動(dòng)A股設(shè)備板塊情緒上揚(yáng)。這意味著半導(dǎo)體設(shè)備板塊與海外算力鏈（如光模塊、PCB）類似，具備了“全球需求、中國(guó)供給”的產(chǎn)業(yè)映射特征。這種邏輯拓寬了行業(yè)的成長(zhǎng)空間，也使得板塊走勢(shì)與全球科技周期關(guān)聯(lián)更加緊密，提升了行情的持續(xù)性與可跟蹤性。

【聚焦投資工具：半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）為核心配置載體】

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）覆蓋設(shè)備與材料龍頭，規(guī)模大、流動(dòng)性佳，是高效布局設(shè)備賽道的工具。板塊當(dāng)前估值分位低于芯片設(shè)計(jì)類指數(shù)，具備配置性價(jià)比。

從投資布局角度看，半導(dǎo)體設(shè)備賽道專業(yè)性強(qiáng)、細(xì)分環(huán)節(jié)多，個(gè)股波動(dòng)較大，通過(guò)ETF布局可分散風(fēng)險(xiǎn)，把握行業(yè)整體機(jī)遇。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）持倉(cāng)集中于刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測(cè)等環(huán)節(jié)的國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)，同時(shí)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域布局約24%權(quán)重，涵蓋硅片、光刻膠、特種氣體等關(guān)鍵材料公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）是目前市場(chǎng)規(guī)模最大、流動(dòng)性最佳的半導(dǎo)體設(shè)備主題產(chǎn)品，資金進(jìn)出便利。從估值角度看，當(dāng)前設(shè)備板塊經(jīng)過(guò)調(diào)整，估值分位處于歷史中低水平，相比漲幅較大的芯片設(shè)計(jì)類指數(shù)，安全邊際更優(yōu)，且未來(lái)業(yè)績(jī)能見(jiàn)度高。

數(shù)據(jù)來(lái)源：中證指數(shù)公司，截止2025年1月26日。指數(shù)成分股僅供參考，不代表投資建議。

總結(jié)而言，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正處于“全球AI需求爆發(fā)+國(guó)產(chǎn)替代突破+技術(shù)迭代升級(jí)”三期疊加的景氣階段。建議投資者淡化短期波動(dòng)，關(guān)注設(shè)備招標(biāo)進(jìn)展、海外存儲(chǔ)龍頭資本開(kāi)支動(dòng)向及國(guó)產(chǎn)高端設(shè)備突破進(jìn)展，通過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）進(jìn)行中長(zhǎng)期配置，分享行業(yè)成長(zhǎng)紅利。

風(fēng)險(xiǎn)提示：數(shù)據(jù)來(lái)源ifind，截至2025.1.26，半導(dǎo)體設(shè)備ETF規(guī)模為199.63億，在跟蹤同一指數(shù)的5只ETF產(chǎn)品中排名第一。提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來(lái)表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。